1994年5月
NDP508A / NDP508AE / NDP508B / NDP508BE
NDB508A / NDB508AE / NDB508B / NDB508BE
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的过程中得到了特别
针对减少通态电阻，
出色的开关性能，并能承受高
能量脉冲雪崩和减刑
模式。这些装置特别适用于低
电压应用，如汽车，直流/直流
转换器， PWM电机控制和其他电池
供电电路中快速切换，低线
需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
19和17A ， 80V 。
DS （ ON）
= 0.08和0.10Ω 。
在指定临界直流电气参数
升高的温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
需要的外部齐纳二极管瞬态
抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计（ 300万/平方英寸）的极
低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为
通孔和表面贴装应用。
_____________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
< 1 MΩ ）
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
＆ LT ; 50
s)
漏电流 - 连续
- 脉冲
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
T
J
,T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP508A NDP508AE
NDB508A NDB508AE
80
80
±20
±40
19
57
75
0.5
NDP508B NDP508BE
NDB508B NDB508BE
单位
V
V
V
V
17
51
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
-65 175
275
1997仙童半导体公司
NDP508.SAM
电气特性
(T
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
参数
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
DD
= 40 V，I
D
= 19 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 15
TYPE
所有
所有
所有
所有
民
典型值
8.5
66
31
48
23.5
4.5
11.8
最大
20
110
50
80
34
单位
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
V
DS
= 64 V,
I
D
= 19 A，V
GS
= 10 V
所有
所有
所有
NDP508A
NDP508AE
NDB508A
NDB508AE
NDP508B
NDP508BE
NDB508B
NDB508BE
漏源二极管的特性
最大连续型漏源二极管的正向电流
19
A
17
A
I
SM
最大脉冲漏源二极管的正向电流
NDP508A
NDP508AE
NDB508A
NDB508AE
NDP508B
NDP508BE
NDB508B
NDB508BE
57
A
51
A
V
SD
（注2 ）
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V,
I
S
= 9.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 19 A,
dI
S
/ DT = 100 A / μs的
所有
T
J
= 125°C
所有
所有
0.87
0.79
78
5.2
1.3
1.2
110
75
V
V
ns
A
t
rr
I
rr
R
θJC
R
θJA
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
所有
所有
2
62.5
° C / W
° C / W
注意事项：
1. NDP508A / 508B和NDB508A / 508B不额定雪崩模式操作。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
NDP508.SAM
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