添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第342页 > NDP5060L
1996年10月
NDP5060L / NDB5060L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的过程中已特别针对
最大限度地减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。
这些装置特别适用于低电压
应用，如汽车，直流/直流转换器，
PWM电机控制，和其它电池供电
电路中快速切换，低线功率损耗，
并且需要抗瞬变。
特点
26 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.05
@ V
GS
= 5 V
R
DS （ ON）
= 0.035
@ V
GS
= 10 V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP5060L
60
60
±16
±25
26
78
68
0.45
-65 175
NDB5060L
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP5060L Rev.A的
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 30 V，I
D
= 26 A
100
26
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 5 V，I
D
= 13 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 13 A
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
26
16
1
0.65
1.4
1
0.042
0.07
0.031
60
250
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
2
1.5
0.05
0.08
0.035
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
840
230
75
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 24 V,
I
D
= 26 A，V
GS
= 5 V
V
DD
= 30 V，I
D
= 26 A,
V
GS
= 5 V ，R
根
= 30
R
GS
= 30
13
200
45
102
17
4
10
20
400
80
200
24
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP5060L Rev.A的
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 13 A
（注1 ）
V
GS
= 0 V，I
F
= 26 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
0.9
54
2.1
26
78
1.3
120
8
A
A
V
ns
A
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.2
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP5060L Rev.A的
典型电气特性
50
V
GS
= 10V
2
6.0
漏源导通电阻
I
D
，漏源电流（A ）
5.0
40
1.8
V
GS
= 3.0 V
4.5
30
1.6
3.5
4.0
4.5
4.0
R
DS （ ON）
归一化
1.4
20
3.5
1.2
5.0
6.0
3.0
10
1
10
0.8
2.5
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
0.6
0
10
I
D
20
30
，漏电流（ A）
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
2
2
漏源导通电阻
I
D
= 13A
V
GS
= 5V
归一化
漏源导通电阻
1.75
V
GS
= 5 V
1.5
T = 125°C
J
R
DS （ ON）
归一化
1.5
25°C
1
1.25
R
DS （ ON）
1
-55°C
0.5
0.75
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
175
0
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
.
20
1.3
V
GS （ TH）
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 5V
16
I
D
，漏电流（ A）
T = -55°C
J
25°C
125°C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
12
8
4
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
125
150
175
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化与
温度
.
NDP5060L Rev.A的
典型电气特性
（续）
1.15
漏源击穿电压
I
D
= 250A
1.1
I
S
，反向漏电流（ A）
20
10
5
1
V
GS
= 0V
T J = 125°C
BV
DSS
归一化
1.05
0.1
25°C
1
0.01
-55°C
0.95
0.001
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0.0001
0
0.2
V
SD
0.4
0.6
0.8
，体二极管正向电压（ V）
1
1.2
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度
.
1500
10
西塞
V
GS
，栅源电压（V ）
1000
I
D
= 26A
8
V
DS
= 12V
24V
48V
电容（pF）
500
6
科斯
200
4
F = 1 MHz的
100
V
GS
= 0V
CRSS
2
50
1
2
5
10
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
3
30
50
0
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
O u那样牛逼
DUT
V
根
V
O u那样牛逼
10%
10%
倒
R
根
R
GS
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDP5060L Rev.A的
查看更多NDP5060LPDF信息
推荐型号
NFM41CC222R2A3L
NRS683M25
NJU6369A
NHA068S-PC01-1
NTE1212M-R
NTE5147A
NTE2634
NUP1105LT3
NEZ7177-4DD
NAND256R4A0AV6T
NTMFS4121N
NT56V6620C0T-75B
NCP694D33HT1G
NACE470M6.3V5X5.5TR13F
NAND512W3A2AN1T
NLC565050T-390K-PF
NP180N04TUJ
NGTB50N60FLWG
NMC27C128BV200
NAND01GR4A2CZA1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NDP5060L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NDP5060L
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NDP5060L
FAIRCHILD
24+
18650
TO-220
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NDP5060L
FAIRCHILD
21+22+
62710
TO-220
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NDP5060L
FAIRCHILD
1932+
218
原装正品，支持实单
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
NDP5060L
17
24+
最新批次
9850￥/片,MAXIM原厂优势渠道，价格低于代理！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NDP5060L
NS
21+
2437
TO-220
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NDP5060L
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10242
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
NDP5060L
NS/国半
21+
29000
TO-220
全新原装，欢迎订购！
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NDP5060L
FAIRCHILD/HARRIS
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NDP5060L
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9922
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多NDP5060L供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！