1996年4月
NDP4060L / NDB4060L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的过程特别是针对已
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲的
雪崩和减刑模式。这些设备是
特别适用于低电压应用，如
汽车， DC / DC转换器，PWM马达控制，
和其它电池供电的电路，其中快速开关，
低线的功率损耗，以及抗瞬变
需要的。
特点
15A ， 60V 。
DS （ ON）
= 0.1
@ V
GS
= 5V
低驱动要求可直接操作的逻辑
驱动程序。 V
GS （ TH）
< 2.0V 。
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP4060L
60
60
± 16
± 25
15
45
50
0.33
-65 175
275
NDB4060L
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
1997仙童半导体公司
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 25 V，I
D
= 15 A
40
15
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
=125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 5 V，I
D
= 7.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
15
3
8
1
0.65
1.5
1.1
0.085
0.14
0.07
60
250
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
2
1.5
0.1
0.16
0.08
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
510
170
50
600
200
100
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V,
I
D
= 15 A，V
GS
= 5 V
V
DD
= 30 V，I
D
= 15 A,
V
GS
= 5 V ，R
根
= 51
,
R
GS
= 51
9
151
35
61
11
2
6.1
20
250
100
150
17
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.5 A
（注1 ）
T
J
= 125°C
t
rr
I
rr
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
F
= 15 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
0.95
0.88
51
3.6
15
45
1.3
1.2
100
7
ns
A
A
A
V
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
3
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
典型电气特性
30
2
V
GS
= 10V
I
D
，漏源电流（A ）
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
0
R
DS （ ON）
归
,
20
漏源导通电阻
25
6.0
1.8
1.6
1.4
V
GS
= 3.0V
3.5
4.0
4.5
5.0
15
1.2
10
6.0
1
0.8
0.6
5
10
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与栅极电压
和漏极电流
2.2
2
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
R
DS （ ON）
归一化
2.5
I
D
= 7.5A
漏源导通电阻
V
GS
= 5 V
2
V
GS
= 5V
R
DS （ ON）
归一化
TJ = 125°C
1.5
25°C
1
-55°C
0.5
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
20
1.2
125°C
V
th
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
16
I
D
，漏电流（ A）
T = -55°C
J
25°C
V
DS
= V
GS
1.1
I
D
= 250A
1
12
0.9
8
0.8
4
0.7
0
1
2
V
GS
3
4
5
，门源电压（ V）
6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
典型电气特性
（续）
1.15
漏源击穿电压
1.125
1.1
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
0.9
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结温（ ° C）
150
175
20
I
D
= 250A
我，反向漏电流（ A）
10
5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1
0.5
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
S
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
1500
1000
10
I
D
= 7.5A
国际空间站
V
GS
，栅源电压（V ）
8
V
DS
= 12V
48V
500
电容（pF）
24V
6
200
OSS
100
4
50
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
2
20
0.1
0
0.2
V
0.5
DS
1
2
5
10
，漏源极电压（ V）
20
50
0
4
8
12
16
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
V
IN
D
t
on
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
R
L
V
OUT
DUT
V
根
V
O u那样牛逼
10%
10%
倒
R
根
R
GS
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
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