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1996年7月
NDP4060 / NDB4060
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程中有
特别是针对已最大限度地减少通态电阻，
出色的开关性能，并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。这些
器件特别适用于低电压应用，例如
如汽车， DC / DC转换器，PWM马达控制，并
其它电池供电的电路中快速切换，低线
需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
15A ， 60V 。
DS （ ON）
= 0.10
@ V
GS
=10V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
___________________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
T
C
= 25℃ unles另有说明
NDP4060
60
60
± 20
± 40
± 15
± 45
50
0.33
-65 175
275
NDB4060
单位
V
V
V
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流 - 连续
- 脉冲
A
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
W
W / ℃，
°C
°C
1997仙童半导体公司
NDP4060版本C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 25 V，I
D
= 15 A
40
15
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
T
J
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
DS
= 25, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
15
3
5.7
2
1.4
3
2.4
0.078
0.12
60
250
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
4
3.6
0.1
0.165
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
370
165
50
450
200
100
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 30 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V ，R
根
= 25
8
70
18
37
12.7
3.2
7
20
100
30
50
17
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDP4060版本C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.5 A
（注1 ）
T
J
= 125°C
t
rr
I
rr
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
F
= 15 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
25
1.5
0.95
0.88
46
3.4
15
45
1.3
1.2
100
7
ns
A
A
A
V
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
3
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP4060版本C
典型电气特性
30
2
V
GS
= 2 0 V
I
D
，漏源电流（A ）
25
12
漏源导通电阻
10
9.0
R
DS （ ON）
归一化
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V
GS
= 6.0V
7.0
8.0
9.0
10
8.0
20
15
7.0
10
6.0
12
20
5
5.0
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
2.2
3
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= 7.5 A
2.5
V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
归一化
2
TJ = 125°C
1.5
25°C
1
-55°C
0.5
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
20
1.2
V
DS
= 1 0 V
I
D
，漏电流（ A）
15
T = -55°C
J
25°C
125°C
门源阈值电压
1.1
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
th
归一化
1
10
0.9
0.8
5
0.7
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
图5.传输特性。
图6.门阈值变化与
温度。
NDP4060版本C
典型电气特性
（续）
1.15
20
漏源击穿电压
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
= 250A
1.1
V
GS
= 0V
10
5
BV
DSS
归一化
T J = 125°C
25°C
-55°C
1.05
2
1
0.5
1
0.95
0.2
0.1
0.4
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
700
500
20
国际空间站
，栅源电压（V ）
15
I
D
= 15A
V
DS
= 12V
24V
48V
300
电容（pF）
200
OSS
10
100
F = 1 MHz的
50
5
V
GS
= 0V
30
1
2
3
5
10
20
30
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
0
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
RSS
图9.电容特性。
GS
图10.栅极电荷特性。
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
OUT
R
根
10%
10%
倒
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路。
图12.开关波形
.
NDP4060版本C
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