【1996年6月NDH832PP沟道增强型场效应晶体管概述这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半】,IC型号NDH832P,NDH832P PDF资料,NDH832P经销商,ic,电子元器件-51电子网

1996年6月

NDH832P

P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些P沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生

密度， DMOS技术。这非常高密度的过程

特别是针对减少通态电阻，提供

出色的开关性能。这些器件特别

适用于低电压应用，如笔记本电脑

功率管理和其它电池供电的电路，其中

快速开关，低线的功率损耗，以及电阻

需要瞬变。

特点

-4.2A ， -20V 。

DS （ ON）

= 0.06

@ V

= -4.5V

DS （ ON）

= 0.08

@ V

= -2.7V

高密度电池设计极低R

DS （ ON）。

增强SuperSOT

-8小尺寸表面贴装

包具有高功率和电流处理能力。

___________________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25 ° C除非另有说明

NDH832P

-20

-8

（注1A ）

单位

-4.2

-15

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.8

0.9

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

NDH832P牧师B2

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 A

= -16 V, V

= 0 V

= 55

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= -250 A

= 125

静态漏源导通电阻

= -4.5 V，I

= -4.2 A

= 125 C

= -2.7 V，I

= -3.7 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

= -4.5 V, V

= -5 V

= -2.7 V, V

= -5 V

正向跨导

= -10 V，I

= -4.2 A

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

1000

530

180

-15

-5

-20

-1

-10

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

-0.4

-0.3

-0.7

-0.5

0.045

0.063

0.064

-1

-0.8

0.06

0.12

0.08

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V,

= -4.2 A，V

= -4.5 V

= -5 V，I

= -1 A,

根

= -4.5 V ，R

根

= 6

1.2

NDH832P牧师B2

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

-1.5

（注2 ）

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= -1.5 A

-0.75

-1.2

(

) =

(

)

(

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 70

装在一个1在C / W的时

垫2盎司cpper的。

b. 125

安装在一个0.026 C / W的时

垫2盎司覆铜。

c. 135

安装在一个0.005 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDH832P牧师B2

典型电气特性

-20

，漏源电流（A ）

= -4.5V

-3.5 -3.0

-2.7

-2.5

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

-15

1.6

= -2.5V

-2.7

-10

1.4

-3.0

-3.5

-4.0

-4.5

-2.0

-5

1.2

-1.5

-1

-5.0

-2

-3

，漏源电压（V ）

-4

0.8

-4

-8

-12

，漏电流（ A）

-16

-20

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与门

电压和漏电流。

1.6

的s

= -4.5V

1.4

DS （ ON）

归一化

= -4.5V

DS （ ON）

归一化

1.2

漏源导通电阻

= -4.2A

T J = 125°C

1.5

25°C

0.8

-55°C

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.5

-4

-8

-12

，漏电流（ A）

-16

-20

图3.导通电阻变化与

温度。

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度。

-20

1.2

125°C

归一化

门源阈值电压

= -10V

-16

，漏电流（ A）

T = -55°C

25°C

1.1

= V

= -250A

-12

0.9

-8

0.8

-4

0.7

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

，门源电压（ V）

-3.5

-4

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化与

温度。

NDH832P牧师B2

典型电气特性

1.1

漏源击穿电压

= -250A

1.08

-I ，反向漏电流（ A）

1.06

1.04

1.02

0.98

0.96

0.94

-50

= 0V

DSS

归一化

T = 125°C

0.1

25°C

-55°C

0.01

0.001

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-V

，体二极管正向电压（ V）

1.6

图7.击穿电压变化与

温度。

图8.体二极管正向电压的变化

与电流和温度

2500

2000

= -4.2A

国际空间站

-V

，栅源电压（V ）

= -5.0V

-10V

-15V

1000

电容（pF）

OSS

500

300

200

F = 1 MHz的

= 0 V

RSS

100

0.1

0.2

0.5

，栅极电荷（ NC）

-V

，漏源极电压（ V）

图9.电容特性。

图10.栅极电荷特性。

，跨导（ SIEMENS ）

= -10V

TJ = -55°C

25°C

125°C

-4

-8

-12

-16

-20

，漏电流（ A）

图11.跨导变化与漏

电流和温度。

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