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1996年12月
NDH8301N
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这些
器件特别适用于低电压应用，例如
作为笔记本电脑的电源管理和其他电池
供电电路中快速切换，低线功率
需要在一个非常小的轮廓表面损失贴装封装。
特点
3 A， 20 V
DS （ ON）
= 0.06
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.075
@ V
GS
= 2.7 V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-8包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
____________________________________________________________________________________________
5
4
3
2
1
6
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
工作和存储温度范围
（注1 ）
（注1 ）
NDH8301N
20
8
3
15
0.8
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1 ）
（注1 ）
156
40
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDH8301N Rev.E
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55
o
C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125
o
C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
T
J
= 125 C
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 2.6 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= 2.7 V, V
DS
= 5 V
正向跨导
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
415
220
85
pF
pF
pF
15
5
10
S
o
20
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
0.4
0.3
0.7
0.45
0.047
0.07
0.059
1
0.8
0.06
0.11
0.075
A
V
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,
I
D
= 3 A，V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 5 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
8
25
30
8
10
0.9
3.5
15
45
55
15
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDH8301N Rev.E
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
0.67
（注2 ）
单位
A
V
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.67 A
0.7
1.2
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
156
o
安装在一个0.0025 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
比例为1 ： 1的信纸尺寸的纸张。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDH8301N Rev.E
典型电气特性
15
I
D
，漏源电流（A ）
2
2.5
R
DS （ ON）
归一化
12
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V
3.0
2.7
1.75
V
GS
= 2.0V
2.0
9
1.5
2.5
1.25
6
2.7
3.0
3.5
4.5
3
1
0
0
0.5
V
DS
0.75
1
1.5
2
2.5
3
0
3
6
9
12
15
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
1.8
R
DS （ ON）
归一化
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
2
I
D
= 3A
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V
T = 125°C
J
1.5
V
GS
= 4.5V
1
25°C
0.5
-55°C
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
3
6
9
12
15
T
J
，结温（ ° C）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
V
DS
= 5V
我，漏极电流（ A）
8
TJ = -55°C
25°C
125°C
V
th
归一化
门源阈值电压
10
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
6
4
D
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图5.传输特性。
图6.门阈值变化与
温度。
NDH8301N Rev.E
典型电气特性
漏源击穿电压
10
5
1.15
I
D
= 250A
我，反向漏电流（ A）
V
GS
=0V
1
BV
DSS
归一化
1.1
TJ = 125°C
0 .1
1.05
25°C
-55°C
1
0 .0 1
0.95
0 .0 0 1
0.9
-50
S
-25
0
25
50
75
100
125
150
0 .0 0 0 1
0
0 .2
0 .4
0.6
0 .8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1 .2
T
J
，结温（ ° C）
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
1200
5
，栅源电压（V ）
800
500
电容（pF）
300
200
I
D
= 3A
4
V
DS
= 5V
10
15V
西塞
科斯
3
2
100
CRSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
40
0 .1
V
0 .5
1
3
5
，漏源极电压（ V）
10
20
0 .2
V
DS
GS
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
OUT
R
根
10%
10%
倒
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形。
NDH8301N Rev.E
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