NDF11N50Z ， NDP11N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 0.52
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
V
DSS
500 V
等级
漏极至源极电压
连续漏电流，
R
QJC
连续漏电流
T
A
= 100℃ ，R
QJC
脉冲漏极电流，
V
GS
@ 10 V
功耗，R
QJC
（注1 ）
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 10.5 A
静电放电（ HBM）的
(JESD22A114)
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图14）
峰值二极管恢复
连续源电流
租金（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
10.5 （注
2)
6.7 （注2）
42 （注2）
36
±30
190
4000
NDF11N50Z
NDP11N50Z
单位
V
10.5
6.7
42
145
A
A
A
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
（最大） 4.5 A
0.52
Ω
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
500
N沟道
D (2)
G (1)
W
V
mJ
V
V
NDF11N50ZG
or
NDP11N50ZG
AYWW
门
TO220
CASE 221A
风格5
漏
A
Y
WW
G
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
来源
TO220FP
CASE 221D
风格1
S (3)
记号
图
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5 （注3）
10.5
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1 “平方焊盘尺寸， （铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.通过限制最高结温
3. I
d
≤
10.5 A， di / dt的
≤
200 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150°C.
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
第0版
1
出版订单号：
NDF11N50Z/D
NDF11N50Z ， NDP11N50Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
NDF11N50Z
3.4
50
NDP11N50Z
0.9
50
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.5 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 4.5 A
25°C
125°C
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
V
DD
= 250 V，I
D
= 10.5 A,
V
GS
= 10 V
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
V
DD
= 250 V，I
D
= 10.5 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
Ω
t
r
t
D（关闭）
t
f
3.0
7.7
1375
166
40
46
8.7
25
6.2
1.4
15
32
40
23
V
W
ns
nC
0.48
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
500
0.6
1
50
±10
0.52
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
高原电压
栅极电阻
电阻开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4.插入安装
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
I
S
= 10.5 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 10.5 A， di / dt的= 100 A / MS
V
SD
t
rr
Q
rr
310
2.5
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF11N50Z ， NDP11N50Z
典型特征
100
3250
3000
2750
2500
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0.01
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
I
DSS
，漏电（毫安）
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 125°C
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0.1
1
10
100
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图8.电容变化
Q
T
250
V
DS
Q
GS
V
GS
Q
GD
150
100
V
DS
= 250 V
I
D
= 10.5 A
T
J
= 25°C
0
5
10 15 20 25 30 35 40
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
45
50
0
50
200
图9.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 250 V
I
D
= 10.5 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
20
10
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
T
J
= 150°C
1
125°C
25°C
55°C
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
300
1.2
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图11.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NDF11N50Z ， NDP11N50Z
典型特征
100
V
GS
v
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10毫秒
dc
1毫秒100
ms
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
10
1
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图12.最大额定正向偏置
安全工作区NDF11N50Z
10
占空比= 0.5
1
R（ T） （ C / W ）
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E06
1E05
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
R
QJC
= 3.4 ° C / W
稳定状态
1E+02
1E+03
脉冲时间（ S）
图13.热阻抗（结到外壳）的NDF11N50Z
LEADS
散热器
0.110 “MIN
图14.隔离测试图
测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。
*对于额外的安装信息，请下载安森美半导体
焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2880707522 复制
