【NDF10N62Z ， NDP10N62ZN沟道功率MOSFET620 V, 0.65W特点低导通电】,IC型号NDF10N62ZG,NDF10N62ZG PDF资料,NDF10N62ZG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NDF10N62Z ， NDP10N62Z

N沟道功率MOSFET

620 V, 0.65

特点

低导通电阻

低栅电荷

齐纳二极管保护门

100％的雪崩测试

这些器件是无铅和符合RoHS

http://onsemi.com

DSS

620 V

DS （ ON）

（ TYP ） @ 5 A

0.65

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

连续漏电流，

QJC

连续漏电流

QJC

, T

= 100°C

脉冲漏极电流，

@ 10 V

功耗，R

QJC

（注1 ）

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩

能源，我

= 10 A

静电放电（ HBM）的

(JESD22A114)

RMS的隔离电压

性（t = 0.3秒， R.H。

≤

30%,

= 25℃）（图14）

峰值二极管恢复

连续源

电流（体二极管）

最高温度

焊接信息

工作结

存储温度范围

符号

DSS

ESD

ISO

4500

±30

300

3900

NDF10N62Z

NDP10N62Z

单位

G (1)

36 （注2）

125

NDF10N62ZG

NDP10N62ZG

AYWW

门

TO220AB

CASE 221A

风格5

漏

=地点代码

=年

=工作周

= Pb-Free包装

来源

S (3)

N沟道

D (2)

620 （注1 ）

10 （注2）

5.7 （注2）

TO220FP

CASE 221D

风格1

记号

图

dv / dt的

, T

英镑

4.5 （注3）

260

150

V / ns的

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1 “平方焊盘尺寸FR4板，

（铜面积=在平1.127 [ 2盎司]包括痕迹）

2.通过限制最高结温

3. I

≤

10 A ， di / dt的

≤

200 A / MS ，V

= 80％ BV

DSS

订购信息

设备

NDF10N62ZG

NDP10N62ZG

包

TO220FP

TO220AB

航运

50单位/铁

在发展

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年4月

第0版

出版订单号：

NDF10N62Z/D

NDF10N62Z ， NDP10N62Z

热阻

参数

结至外壳（漏）

结至环境稳态（注4 ）

符号

QJC

qJA

NDF10N62Z

3.4

NDP10N62Z

1.0

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极至源极漏电流

= 0 V，I

= 1毫安

参考25℃ ，

= 1毫安

= 620 V, V

= 0 V

±20

= 10 V，I

= 5.0 A

= V

, I

= 100

= 15 V，I

= 10 A

25°C

125°C

GSS

DS （ ON）

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 310 V，I

= 10 A,

= 10 V

D（上）

= 310 V，I

= 10 A,

= 10 V ，R

= 5

D（关闭）

3.0

7.9

1425

150

9.3

6.4

1.5

0.65

DSS

的dBV

DSS

620

0.6

±10

0.75

4.5

V /°C的

测试条件

符号

民

典型值

最大

单位

栅 - 源正向漏

基本特征

（注5 ）

静态漏 - 源

导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ “米勒” ）费

高原电压

栅极电阻

电阻开关特性

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

源极 - 漏极二极管的特性

= 25 ° C除非另有说明）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4.插入安装

5.脉冲宽度

≤

380

女士，

占空比

≤

2%.

= 10 A，V

= 0 V

= 0 V, V

= 30 V

= 10 A， di / dt的= 100 A / MS

395

3.0

1.6

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NDF10N62Z ， NDP10N62Z

典型特征

，漏电流（ A）

= 25°C

7.0 V

10 V

6.4 V

6.2 V

6.0 V

5.8 V

5.6 V

5.4 V

5.0 V

，漏极至源极电压（ V）

，漏电流（ A）

6.6 V

55°C

= 150°C

= 30 V

= 25°C

= 15 V

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.80

= 25°C

0.75

0.80

图2.传输特性

= 25°C

0.75

= 10 V

0.70

= 5 A

0.70

0.65

0.60

2.5

5.0

7.5

12.5

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与栅极电压

2.7

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

= 10 V

2.2

1.7

1.2

0.7

0.2

= 5 A

DSS

归一化击穿

电压（V）的

1.15

1.1

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

= 1毫安

1.05

1.0

0.95

0.9

100

125

150

100

125

150

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

图6. BVDSS随温度的变化

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NDF10N62Z ， NDP10N62Z

典型特征

100

= 0 V

C，电容（pF ）

DSS

，漏电（毫安）

= 150°C

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0.01

100

200

300

400

500

600

RSS

OSS

100

125

150

175

200

国际空间站

= 0 V

= 25°C

= 100°C

0.1

，漏极至源极电压（ V）

图7.漏 - 源极漏电流

与电压

，栅 - 源极电压（ V）

400

1000

，漏极至源极电压（ V）

图8.电容变化

= 310 V

= 10 A

= 25°C

300

= 310 V

= 10 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

200

100

，栅极电阻（ W）

100

，总栅极电荷（ NC）

图9.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

，源电流（ A）

= 0 V

= 25°C

，漏电流（ A）

100

图10.电阻开关时间变化

与栅极电阻

= 10 V

单脉冲

= 25°C

1毫秒

100

0.1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.01

安装在2 “平方FR4

板（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”

厚单面）与一个

模具工作

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

100

10毫秒

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图11.二极管光源电流 -

正向电压

图12.最大额定正向偏置

对于NDF10N62Z安全工作区

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NDF10N62Z ， NDP10N62Z

典型特征

占空比= 50 ％

1 20%

10%

0.1

R（ T）（ ° C / W）

0.01

单脉冲模拟

0.001

0.000001 0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

QJC

稳态= 3.4 ° C / W

100

1000

脉冲时间（秒）

图13. NDF10N62Z热阻抗

LEADS

散热器

0.110 “MIN

图14.隔离测试图

测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。

*对于额外的安装信息，请下载安森美半导体

焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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