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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第23页 > NDF08N60Z
NDF08N60Z ， NDP08N60Z
N沟道功率MOSFET
600 V, 0.95
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
V
DSS
600 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
（最大） 3.5 A
0.95
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
R
QJC
连续漏电流
R
QJC
T
A
= 100°C
脉冲漏极电流，
V
GS
@ 10 V
功耗
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 7.5 A
静电放电（ HBM）的
（ JESD 22 - A114 ）
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图14）
峰值二极管恢复
连续源
电流（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
NDF08N60Z
NDP08N60Z
单位
V
7.5
4.8
30
139
30
235
4000
A
A
A
W
V
mJ
V
V
600
7.5 （注1 ）
4.8 （注1 ）
30 （注1 ）
35
N沟道
D (2)
G (1)
TO220FP
CASE 221D
风格1
S (3)
记号
图
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5
7.5
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
TO220
CASE 221A
风格5
NDF08N60ZG
or
NDP08N60ZG
AYWW
门
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
D
v
7.5 A ， di / dt的
≤
200 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150°C.
漏
A
Y
WW
G
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
第0版
1
出版订单号：
NDF08N60Z/D
NDF08N60Z ， NDP08N60Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态（注3 ）
3.插入安装
符号
R
QJC
R
qJA
NDF08N60Z
3.6
50
NDP08N60Z
0.9
50
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.5 A
25°C
125°C
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
V
DD
= 300 V，I
D
= 7.5 A,
V
GS
= 10 V
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
V
DD
= 300 V，I
D
= 7.5 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
W
t
r
t
D（关闭）
t
f
3.0
6.3
1140
129
30
39
7.5
21
6.2
1.6
14
22
36
15
V
W
ns
nC
0.82
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
600
0.6
1
50
±10
0.95
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注4 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
高原电压
栅极电阻
电阻开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
I
S
= 7.5 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 7.5 A， di / dt的= 100 A / MS
V
SD
t
rr
Q
rr
320
2.2
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF08N60Z ， NDP08N60Z
典型特征
20
18
I
D
，漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
5.5 V
5.0 V
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
6.0 V
V
GS
= 10 V
7.0 V
6.5 V
I
D
，漏电流（ A）
16
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3
4
5
6
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
7
8
9
10
V
DS
= 25 V
图1.区域特征
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
I
D
= 3.5 A
T
J
= 25°C
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
10.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.对指定地区与栅极 - 源极
电压
BV
DSS
归一化击穿电压（ V）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
50
25
0
25
50
75
100
125
1.15
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 1毫安
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
150
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻变化与
温度
http://onsemi.com
3
图6. BV
DSS
随温度的变化
NDF08N60Z ， NDP08N60Z
典型特征
100
2750
2500
C，电容（pF ）
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0.1
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
0.01
0.1
1
10
100
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
I
DSS
，漏电（毫安）
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 125°C
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图8.电容变化
Q
T
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
300
250
200
150
V
DS
= 300 V
I
D
= 7.5 A
T
J
= 25°C
100
50
0
40
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
图9.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 300 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
10.0
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
T
J
= 150°C
1.0
25°C
125°C
55°C
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
350
1.2
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图11.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NDF08N60Z ， NDP08N60Z
100
V
GS
v
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
dc
1
1毫秒100
ms
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
10
10毫秒
0.1
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图12.最大额定正向偏置
安全工作区NDF08N60Z
10
占空比= 0.5
R（ T） （ C / W ）
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E06
1E05
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
R
QJC
= 3.6 ° C / W
稳定状态
1E+02
1E+03
脉冲时间（ S）
图13.热阻抗（结到外壳）的NDF08N60Z
LEADS
散热器
0.110 “MIN
图14.隔离测试图
测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。
*对于额外的安装信息，请下载安森美半导体
焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
订购信息
订单号
NDF08N60ZG
NDP08N60ZG
包
TO220FP
（无铅）
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
（开发中）
http://onsemi.com
5
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NZX7V5B
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NSVS670
NX8501AC-BA
NJL74H380A
NCV78L05ABPREG
NANOSMDC110F
NTE1821
NTMFS4108NT3G
NESB017T
NB3N502DEVB
NLE-SR47M165X5F
NRA686M10
NRU686M10
NAND512W4A2CZA6T
NRS684K35
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NDF08N60Z
    -
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    -
    -
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联系人：朱咸华
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VB
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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ON
2024
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