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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第302页 > NDF04N60ZG
NDF04N60Z ， NDP04N60Z ，
NDD04N60Z
N沟道功率MOSFET
1.8
W,
600伏
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 2将
1.8
Ω
应用
适配器（笔记本电脑，打印机，游戏）
LCD面板电源
照明镇流器
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流
T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
功率耗散（注1 ）
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，
L = 6.4 mH的，我
D
= 4.0 A
ESD （ HBM ） （ JESD 22-114 -B ）
RMS的隔离电压（ T = 0.3
秒， R.H。
≤
30%, T
A
= 25°C)
（图13）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度
焊接引线， 0.063 “
（ 1.6毫米） ，从案例10秒
包主体10秒
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
NDF
NDD / NDP
单位
V
A
A
A
W
V
mJ
V
V
NDF04N60ZG
or
NDP04N60ZG
AYWW
门
来源
4
漏
1 2 3
门漏源
1
2
1
1
1 2
600 （注1 ）
4.0 （注2）
2.7 （注2）
14 （注2）
28
±30
51
2500
95
4
4
3
2
2
3
3
3
DPAK
TO- 220FP TO- 220AB
IPAK
CASE 369AA
CASE 221D CASE 221A CASE 369D
方式2
风格1
风格5
方式2
标记DIAGRAMS
4
漏
YWW
4N
60ZG
漏
2
排水3
1
门源
A
Y
WW
G
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
dv / dt的
I
S
T
L
T
PKG
4.5 （注3）
4.0
300
260
V / ns的
A
°C
T
J
, T
英镑
55
150
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸， 1盎司立方米
2.通过限制最高结温
3. I
SD
= 4.0 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年6月
第0版
1
YWW
4N
60ZG
出版订单号：
NDF04N60Z/D
NDF04N60Z ， NDP04N60Z ， NDD04N60Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
NDF04N60Z
4.4
50
NDD / NDP
1.3
50
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.0 A
25°C
150°C
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DD
= 300 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
V
DD
= 300 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
Ω
t
r
t
D（关闭）
t
f
3.0
3.3
535
62
14
19
3.9
10
4.7
13
9.0
24
15
W
ns
nC
1.8
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
600
0.6
1
50
±10
2.0
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
栅极电阻
电阻开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4.插入安装
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
I
S
= 4.0 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 4.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
SD
t
rr
Q
rr
285
1.3
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF04N60Z ， NDP04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
8
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
6
8
10 V
7V
6.8 V
6.6 V
4
6.4 V
6.2 V
2
6.0 V
5.8 V
0
5.6 V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
T
J
=
55°C
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
≥
30 V
I
D
，漏电流（ A）
6
15 V
4
T
J
= 150°C
2
T
J
= 25°C
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
3
图2.传输特性
T
J
= 25°C
2.5
2
V
GS
= 10 V
1.5
5
6
7
V
GS
(V)
8
9
10
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极电压
2.6
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
2
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1.4
100
T
J
= 100°C
0.8
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
100
200
300
400
500
600
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NDF04N60Z ， NDP04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
C
OSS
200
0
C
RSS
0
50
100
150
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
20
400
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
15
V
DS
QT
300
10
QGS
5
T
J
= 25°C
I
D
= 4 A
0
5
10
15
QGD
V
GS
200
100
200
0
0
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
V
DD
= 300 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
t
D（关闭）
I
S
，源电流（ A）
t
r
t
f
t
D（上）
4
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
3
2
10
1
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
，漏电流（ A）
10
dc
1
10毫秒
1毫秒
100
ms
10
ms
0.1
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
1000
0.01
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图11.最大额定正向偏置
对于NDF04N60Z安全工作区
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4
NDF04N60Z ， NDP04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
10
1.0
R（ T） （ C / W ）
50 ％ （占空比）
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间（ S）
0.1
1.0
10
100
1000
图12.为NDF04N60Z热阻抗
订购信息
订单号
NDF04N60ZG
NDP04N60ZG
NDD04N60Z1G
NDD04N60ZG
包
TO220FP
（无铅）
TO220AB
（无铅）
IPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
50单位/铁
在发展
在发展
在发展
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
LEADS
散热器
0.110 “MIN
图13.安装了隔离测试位置
测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。
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5
NDF04N60Z ， NDD04N60Z
N沟道功率MOSFET
600 V, 2.0
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
ESD二极管保护门
100％的雪崩测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
DSS
(@ T
JMAX
)
650 V
R
DS （ ON）
（ MAX ） @ 2将
2.0
Ω
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
（注1 ）
连续漏电流
QJC
, T
A
=
100 ° C（注1 ）
脉冲漏极电流，
V
GS
@ 10V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，我
D
= 4.0
A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%, T
A
= 25°C)
（图15）
峰值二极管恢复（注2 ）
MOSFET的dv / dt
连续源电流
（体二极管）
最高温度焊接
LEADS
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4.8
3.0
20
30
±30
120
3000
4500
NDF
NDD
600
4.1
2.6
20
83
单位
V
A
A
A
W
V
mJ
V
V
G (1)
N沟道
D (2)
S (3)
dv / dt的
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5
60
4.0
260
55
150
V / ns的
V / ns的
A
°C
°C
1
2
1
2
3
NDF04N60ZG
TO220FP
CASE 221D
4
3
NDF04N60ZH
TO220FP
CASE 221AH
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
SD
= 4.0 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
4
1
1 2
3
NDD04N60Z1G
IPAK
CASE 369D
2
3
NDD04N60ZT4G
DPAK
CASE 369AA
订购和标识信息
查看详细的订购，标记和航运信息
包装尺寸本数据手册第6页部分。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
2013月，
启8
1
出版订单号：
NDF04N60Z/D
NDF04N60Z ， NDD04N60Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态
NDF04N60Z
NDD04N60Z
（注3 ） NDF04N60Z
（注4 ） NDD04N60Z
（注3） NDD04N60Z -1-
符号
R
QJC
R
qJA
价值
4.2
1.5
50
38
80
单位
° C / W
3.插入安装
4.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.0 A
25°C
150°C
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
C
OSS
C
RSS
Q
g
V
DD
= 300 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
V
DD
= 300 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
Ω
t
r
t
D（关闭）
t
f
427
50
8
10
2
5
3.0
1.8
3.9
3.3
535
62
14
19
3.9
10
6.5
4.7
13
9.0
24
15
640
75
20
29
6
15
nC
V
W
ns
nC
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
600
0.6
1
50
±10
2.0
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容（注6 ）
输出电容（注6 ）
反向传输电容
（注6 ）
总栅极电荷（注6 ）
栅 - 源电荷（注6 ）
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
高原电压
栅极电阻
电阻开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
6.通过设计保证。
I
S
= 4.0 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 4.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
SD
t
rr
Q
rr
285
1.3
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
8
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
6
8
10 V
7V
6.8 V
6.6 V
4
6.4 V
6.2 V
2
6.0 V
5.8 V
0
5.6 V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
T
J
=
55°C
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
≥
30 V
I
D
，漏电流（ A）
6
V
GS
= 15 V
4
T
J
= 150°C
2
T
J
= 25°C
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
3
图2.传输特性
T
J
= 25°C
2.5
2
V
GS
= 10 V
1.5
5
6
7
V
GS
(V)
8
9
10
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极电压
2.6
R
DS （ ON）
，漏 - 源RES-
ISTANCE （归）
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
2
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1.4
100
T
J
= 100°C
0.8
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
100
200
300
400
500
600
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NDF04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
C
OSS
200
0
C
RSS
0
50
100
150
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
20
400
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
15
V
DS
QT
300
10
QGS
5
T
J
= 25°C
I
D
= 4 A
0
5
10
15
QGD
V
GS
200
100
200
0
0
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
100
V
DD
= 300 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
t
D（关闭）
I
S
，源电流（ A）
t
r
t
f
t
D（上）
4
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
3
10
2
1
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
V
GS
≤
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
10
100
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
，漏电流（ A）
10
1毫秒
10毫秒
dc
V
GS
≤
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
ms
10
ms
1
1
0.1
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
1000
0.1
0.01
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图11.最大额定正向偏置
对于NDF04N60Z安全工作区
图12.最大额定正向偏置
对于NDD04N60Z安全工作区
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4
NDF04N60Z ， NDD04N60Z
典型特征
10
50 ％ （占空比）
R（ T） （ C / W ）
1.0
20%
10%
5.0%
0.1
2.0%
1.0%
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间（ S）
0.1
1.0
10
100
1000
R
QJC
= 4.2 ° C / W
稳定状态
图13. NDF04N60Z热阻抗
10
1.0
R（ T） （ C / W ）
50 ％ （占空比）
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
0.01
单脉冲
R
QJC
= 1.5 ° C / W
稳定状态
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间（ S）
0.1
1.0
10
100
1000
图14.为NDD04N60Z热阻抗
LEADS
散热器
0.110 “MIN
图15.安装了隔离测试位置
测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。
*对于额外的安装信息，请下载安森美半导体
焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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