NDF02N60Z ， NDP02N60Z ，
NDD02N60Z
N沟道功率MOSFET
600 V, 4.0
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 1
4.0
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
R
QJC
连续漏电流
R
QJC
T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 2.4 A
静电放电（ HBM）的
（ JESD 22 - A114 ）
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图17）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
2.4
（注1 ）
1.6
（注1 ）
10
（注1 ）
24
NDF
NDP
600
2.4
1.6
10
72
30
120
2500
2.2
1.4
9
57
NDD
单位
V
A
A
G (1)
A
W
V
mJ
V
V
4
4
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5 （注2）
2.4
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
1
1
1
1 2
S (3)
N沟道
D (2)
3
2
3
3
3
DPAK
TO- 220FP TO- 220AB
IPAK
CASE 221D CASE 221A CASE 369D CASE 369AA
方式2
风格1
风格5
方式2
2
2
标记和订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
SD
= 2.4 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年4月
第2版
1
出版订单号：
NDF02N60Z/D
NDF02N60Z ， NDP02N60Z ， NDD02N60Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
NDP02N60Z
NDF02N60Z
NDD02N60Z
（注3 ） NDP02N60Z
（注3 ） NDF02N60Z
（注4 ） NDD02N60Z
（注3） NDD02N60Z -1-
符号
R
QJC
价值
1.7
5.2
2.2
51
51
41
80
单位
° C / W
结至环境稳态
R
qJA
3.插入安装
4.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸， （铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.2 A
25°C
150°C
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.4 A,
V
GS
= 10 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.4 A，V
OS
= 10 V
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.4 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
W
t
r
t
D（关闭）
t
f
3.0
1.7
274
34
7.0
10.1
2.4
5.3
6.4
4.9
9.0
7.0
15
7.0
V
W
ns
nC
4.0
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
600
0.6
1
50
±10
4.8
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
高原电压
栅极电阻
电阻开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
I
S
= 2.4 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 2.4 A， di / dt的= 100 A / MS
V
SD
t
rr
Q
rr
240
0.7
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF02N60Z ， NDP02N60Z ， NDD02N60Z
典型特征
4.0
3.5
I
D
，漏电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
5.5 V
5.0 V
5.0
10.0
15.0
20.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
25.0
V
GS
= 10 V
6.5 V
6.0 V
7.0 V
4.0
3.5
I
D
，漏电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
10
V
DS
= 25 V
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
6.00
5.75
5.50
5.25
5.00
4.75
4.50
4.25
4.00
3.75
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
I
D
= 1 A
T
J
= 25°C
5.25
5.00
4.75
4.50
4.25
4.00
3.75
0.0
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
10.0
0.3
0.5
0.8
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
2.3
2.5
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
BV
DSS
归一化击穿电压（ V）
图3.对指定地区与栅极 - 源极
电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
50
I
D
= 1毫安
150
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻变化与
温度
图6. BV
DSS
随温度的变化
http://onsemi.com
3
NDF02N60Z ， NDP02N60Z ， NDD02N60Z
典型特征
10
600
550
500
C，电容（pF ）
I
DSS
，漏电（毫安）
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0.10
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
0
C
RSS
5
C
OSS
10
15
20
25
30
35
40
45
50
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
T
J
= 150°C
1.0
T
J
= 125°C
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图8.电容变化
Q
T
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
300
250
200
150
V
DS
= 300 V
I
D
= 2.4 A
T
J
= 25°C
100
50
0
11
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
图9.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 300 V
I
D
= 2.4 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
10.0
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
1.0
T
J
= 150°C
10
125°C
25°C
55°C
1.0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0.8
350
0.9
1.0
1.1
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图11.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NDF02N60Z ， NDP02N60Z ， NDD02N60Z
典型特征
100
V
GS
v
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
V
GS
v
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
10毫秒
dc
I
D
，漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
10
ms
10
100
ms
10
ms
1
1
0.1
0.01
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图12.最大额定正向偏置
安全工作区NDD02N60Z
图13.最大额定正向偏置
安全工作区NDF02N60Z
10
1
R（ T） （ C / W ）
50 ％ （占空比）
20%
10%
5%
2%
1%
单脉冲
R
QJC
= 2.2 ° C / W
稳定状态
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.1
0.01
1E06
1E05
脉冲时间（ S）
图14.热阻抗（结到外壳）的NDD02N60Z
100
R（ T） （ C / W ）
10
50 ％ （占空比）
20%
10%
1
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
R
qJA
= 41 ° C / W
稳定状态
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.01
1E06
单脉冲
1E05
脉冲时间（ S）
图15.热阻抗（结到环境）的NDD02N60Z
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
