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1996年3月
NDC7002N
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些双N沟道增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的过程被设计以最小化
通态电阻，提供坚固可靠
性能和快速切换。这些设备是
特别适用于低电压应用需要
低电流高侧开关。
特点
0.51A ， 50V ，R
DS （ ON）
= 2
@ V
GS
=10V
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高饱和电流。
____________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
SOT- 6 （ SuperSOT
TM
-6)
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
P
D
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
NDC7002N
50
20
0.51
1.5
0.96
0.9
0.7
-55到150
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
130
60
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC7002N.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.51 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.35 A
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.51 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1.5
400
1
0.8
1.9
1.5
1
1.7
1.6
50
1
500
100
-100
nA
nA
V
A
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
2.5
2.2
2
3.5
4
A
mS
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
20
13
5
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25 V,
I
D
= 0.51 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 25 V，I
D
= 0.25 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 25
6
6
11
5
1
0.19
0.33
20
20
20
20
nC
nC
nC
nS
NDC7002N.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续电流源
最大脉冲电流源
（注2 ）
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.51 A
（注2 ）
0.8
0.51
1.5
1.2
A
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 130
o
安装在一个0.125 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 140
o
安装在一个0.005 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 180
o
安装在一个0.0015 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC7002N.SAM
典型电气特性
1.5
3
V
GS
=10V
I
D
，漏源电流（A ）
1.2
8.0 7.0
漏源导通电阻
6.0
5.5
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= 3.5V
2.5
4.0
4.5
5.0
5.0
0.9
2
5.5
6.0
7.0
8.0
10
4.5
0.6
1.5
4.0
0.3
1
3.5
3.0
0.5
0
0.3
0
0
1
V
DS
2
3
4
，漏源电压（V ）
5
0.6
0.9
I
D
，漏电流（ A）
1.2
1.5
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
2
1.8
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归
,
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
2.5
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 0.51A
V
GS
= 10V
2
TJ = 125°C
1.5
25°C
1
-55°C
0.5
0
0.3
I
D
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
0.6
0.9
，漏电流（ A）
1.2
1.5
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
1.5
1.2
25°C
125°C
V
th
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
1.2
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= -55°C
1.1
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
0.9
1
0.6
0.9
0.3
0.8
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性。
图6.门阈值变化与
温度。
NDC7002N.SAM
典型电气特性
（续）
漏源击穿电压
1.16
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.5
1
0.5
V
GS
= 0V
1.12
1.08
1.04
1
0.96
0.92
0.88
-50
BV
DSS
归一化
TJ = 125°C
0.1
25°C
-55°C
0.01
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
100
50
10
V
DS
= 25V
V
GS
，栅源电压（V ）
8
I
D
= 0.51A
电容（pF）
国际空间站
20
10
6
OSS
RSS
F = 1 MHz的
4
5
2
2
1
0.1
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0
0.2
V
DS
，漏源极电压（ V）
0.4
0.6
0.8
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
1.2
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
0.7
V
DS
= 10V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.3
V
GS
TJ = -55°C
25°C
I
D
，漏电流（ A）
125°C
0.6
0.9
1.2
，门源电压（ V）
1.5
图11.跨导变化与漏
电流和温度。
NDC7002N.SAM
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