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1996年3月
NDC651N
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程是量身定做，最大限度地减少通态电阻。这些
装置特别适合于在低压应用
笔记本电脑，便携式电话， PCMICA卡，并
其它电池供电的电路，其中快速开关，和低
直列中需要一个非常小的轮廓表面的功率损耗
贴装封装。
特点
3.2A ， 30V 。
DS （ ON）
= 0.09
@ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 0.06
@ V
GS
= 10V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
____________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
NDC651N
30
20
3.2
15
1.6
1
0.8
-55到150
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC651N D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125
o
C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.2 A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
10
6
1
0.7
1.7
1.3
0.068
0.095
0.042
o
30
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
3
2.2
0.09
0.18
0.06
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
290
180
60
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
I
D
= 3.2 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
根
= 4.5 V ，R
根
= 6
9
19
15
7
10
1.2
2.6
20
30
30
20
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDC651N D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
（注2 ）
0.8
1.3
1.2
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 125
o
安装在一个0.01 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 156
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC651N D1牧师
典型电气特性
15
2.5
V
的s
= 1 0 V
I
D
，漏源电流（A ）
12
6 .0 5 .0
漏源导通电阻
4 .5
R
DS （ ON）
归一化
4 .0
V
GS
= 3V
2
3.5
9
4.0
1.5
3 .5
6
4.5
1
5.0
6.0
10
3
3 .0
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，D R A I N - S 0 ü R C è V L T A G E（ V）
2.5
3
0.5
0
3
I
D
6
9
，漏电流（ A）
12
15
图1.区域特征
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
1.6
2.5
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归一化
1.4
V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 3.2A
V
GS
= 4.5V
2
1.2
TJ = 125°C
1.5
1
25°C
-55°C
0.8
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
0.5
0
3
I
D
6
9
，漏电流（ A）
12
15
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
15
1.2
V
DS
= 1 0 V
12
门源阈值电压
TJ = -55°C
125°C
1.1
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
I
D
，漏电流（ A）
9
V
th
归一化
1
0.9
6
25°C
0.8
3
0.7
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化
随温度
NDC651N D1牧师
典型电气特性
（续）
漏源击穿电压
1.16
I
D
10
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
5
V
的s
= 0V
1.12
1.08
1.04
1
0.96
0.92
0.88
-50
1
0.5
BV
DSS
归一化
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压变化与
温度
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
1000
800
V
GS
，栅源电压（V ）
500
电容（pF）
10
I
D
= 3.2A
8
V
DS
= 5V
15V
国际空间站
200
OSS
6
10V
100
4
F = 1 MHz的
50
30
0.1
RSS
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
30
2
0
0
2
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
t
on
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
V
IN
D
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
f
V
GS
R
根
10%
倒
G
DUT
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDC651N D1牧师
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