June1996
NDC632P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体专有的，高密度， DMOS
技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路
其中，快速的高侧开关和低线功率
需要在一个非常小的轮廓表面损失
贴装封装。
特点
-2.7A ， -20V 。
DS （ ON）
= 0.14
@ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 0.2
@ V
GS
= -2.7V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
___________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
SuperSOT
TM
-6
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDC632P
-20
-8
-2.7
-10
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
单位
V
V
A
1.6
1
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC632P牧师B1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.77
-1.2
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
o
安装在一个0.01 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
c. 156
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC632P牧师B1
June1996
NDC632P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体专有的，高密度， DMOS
技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路
其中，快速的高侧开关和低线功率
需要在一个非常小的轮廓表面损失
贴装封装。
特点
-2.7A ， -20V 。
DS （ ON）
= 0.14
@ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 0.2
@ V
GS
= -2.7V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
___________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
SuperSOT
TM
-6
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDC632P
-20
-8
-2.7
-10
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
单位
V
V
A
1.6
1
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC632P牧师B1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.77
-1.2
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
o
安装在一个0.01 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
c. 156
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC632P牧师B1
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