1996年5月
NDP7061 / NDB7061
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，
出色的开关性能，并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。这些
器件特别适用于低电压应用，例如
如汽车， DC / DC转换器，PWM马达控制，并
其它电池供电的电路中快速切换，低线
需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
64A ， 60V 。
DS （ ON）
= 0.016
@ V
GS
=10V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP7061
60
60
± 20
± 40
64
190
130
0.87
-65 175
275
NDB7061
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
最大功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
1997仙童半导体公司
NDP7061版本C / NDB7061 Rev. D的
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
参数
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
条件
V
DD
= 30 V，I
D
= 64 A
民
典型值
最大
500
64
单位
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
T
J
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 35 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
60
30
2
1.4
2.9
2.2
0.013
0.021
60
10
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
4
3.6
0.016
0.032
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
1930
870
310
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V,
I
D
= 64 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 25 V，I
D
= 64 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 5
13
98
36
65
67
11
37.5
30
200
80
150
100
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP7061版本C / NDB7061 Rev. D的
电气特性
符号
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 35 A
(
注1 ）
T
J
= 125°C
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
F
= 64一，二
F
/ DT = 100 A / μs的
40
2
0.9
0.8
105
4.5
64
190
1.3
1.2
150
10
ns
A
A
A
V
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.15
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP7061版本C / NDB7061 Rev. D的
典型电气特性
100
3
V
GS
=20V
I
D
，漏源电流（A ）
80
12 10
7.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
8.0
V
GS
= 5.0V
2.5
6.0
2
60
6.0
40
7.0
1.5
8.0
1
20
5.0
4.5
10
12
20
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
0.5
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
100
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
2
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.75
I
D
= 35A
V
GS
= 10V
V
GS
=10V
1.75
TJ = 125°C
1.5
1.25
1.25
25°C
1
1
0.75
0.75
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0.5
0
20
40
60
我，漏极电流（ A）
D
80
100
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
60
1 .4
V
GS （ TH）
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
50
I
D
，漏电流（ A）
T = -55°C
J
125°C
25°C
V
DS
= V
GS
1 .2
I
D
= 250A
40
1
30
0 .8
20
0 .6
10
0
2
3
V
GS
4
5
，门源电压（ V）
6
7
0 .4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
NDP7061版本C / NDB7061 Rev. D的
典型电气特性
（续）
1.15
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
I
D
= 250A
1.1
100
50
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
T J = 125°C
25°C
1
1.05
-55°C
1
0.1
0.95
0.01
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0.001
0.2
0.3
V
SD
0.5
1
，体二极管正向电压（ V）
2
图7.击穿电压变化与
温度
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度
5000
4000
3000
20
I
D
= 64A
V
GS
，栅源电压（V ）
V
DS
= 12V
24V
48V
西塞
电容（pF）
2000
15
科斯
1000
10
500
300
200
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
CRSS
5
0
0.2
0.5
1
2
5
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
50
0
20
40
60
80
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
120
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
O u那样牛逼
10%
10%
倒
R
根
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDP7061版本C / NDB7061 Rev. D的
QQ：2880707522 复制
