1996年9月
NDP7051L / NDB7051L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程中已特别针对减少通态
电阻，优越的开关性能及
承受高能量脉冲雪崩和
换模式。这些装置特别适用于
低电压应用，如汽车，直流/直流
转换器， PWM马达控制，和其它电池供电
电路中快速切换，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
特点
67 A， 50 V.
DS （ ON）
= 0.0145
@ V
GS
= 5 V
R
DS （ ON）
= 0.0115
@ V
GS
= 10 V.
低驱动要求可直接操作的逻辑
驱动程序。 V
GS （ TH）
< 2.0V 。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP7051L
50
50
±16
±25
67
200
130
0.87
-65 175
NDB7051L
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
最大功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP7051L Rev.D / NDB7051L Rev.E
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
单脉冲漏源雪崩
能源
V
DD
= 25 V，I
D
= 67 A
430
67
mJ
A
最大漏源雪崩电流
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 5 V，I
D
= 34 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 34 A
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 34 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
60
50
1
0.65
1.24
0.84
0.013
0.018
0.01
50
10
1
100
100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
2
1.5
0.0145
0.026
0.0115
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
2700
850
300
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 12 V
I
D
= 67 A，V
GS
= 5 V
V
DD
= 25 V，I
D
= 34 A,
V
GS
= 5 V ，R
根
= 10
R
GS
= 10
17
182
82
157
56
9
32
30
300
150
250
80
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP7051L Rev.D / NDB7051L Rev.E
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 34 A (
注1 ）
T
J
= 125°C
t
rr
I
rr
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
F
= 67 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
40
2
0.92
0.83
75
3.6
67
200
1.3
1.2
150
10
A
A
V
V
ns
A
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.15
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP7051L Rev.D / NDB7051L Rev.E
典型电气特性
100
2
V
GS
=10V
I
D
，漏源电流（A ）
80
5.0
漏源导通电阻
4.5
4.0
R
DS （ ON）
归一化
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
3.5
60
V
GS
=3V
3.5
4.0
4.5
5.0
6.0
10
0
20
I
D
40
3.0
20
2.5
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
5
40
60
，漏电流（ A）
80
100
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
2
2
漏源导通电阻
V
GS
= 5.0V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.8
I
D
= 34A
V
GS
= 5.0V
1.5
TJ = 125°C
R
DS （ ON）
归一化
25°C
1
0.5
-55°C
0
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
100
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
.
60
1.3
V
DS
= 5V
50
25°C
125°C
门源阈值电压
T = -55°C
J
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-50
-25
0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
I
D
，漏电流（ A）
40
V
th
归一化
30
20
10
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
4
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化
随温度
.
NDP7051L Rev.D / NDB7051L Rev.E
典型电气特性
（续）
1.15
60
漏源击穿电压
1.1
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
= 250A
20
10
V
GS
=0V
TJ = 125°C
BV
DSS
归一化
1
0.5
0.1
25°C
1.05
-55°C
0.01
1
0.95
0.001
0.0001
0.9
-50
0
0.2
V
SD
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结温（ ° C）
150
175
，体二极管正向电压（ V）
图7.击穿电压
随温度的变化
.
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
6000
4000
V
GS
，栅源电压（V ）
3000
电容（pF）
2000
10
I
D
= 67A
西塞
8
V
DS
= 12V
24V
48V
6
1000
科斯
4
500
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
CRSS
2
200
1
V
DS
0
5
10
15
20
30
50
0
20
，漏源极电压（ V）
40
60
80
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
120
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
t
on
t
关闭
t
r
90%
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
t
f
V
根
R
根
R
GS
G
V
OUT
10%
10%
倒
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDP7051L Rev.D / NDB7051L Rev.E
QQ：2881677436 复制
