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1997年9月

NDP6020P / NDB6020P

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些逻辑电平P沟道增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程中已特别针对减少通态

电阻，优越的开关性能及

承受高能量脉冲雪崩和

换模式。这些装置特别适用于

低电压应用，如汽车，直流/直流

转换器， PWM马达控制，和其它电池供电

电路中快速切换，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

特点

-24 ， -20 V.

DS （ ON）

= 0.05

@ V

= -4.5 V.

DS （ ON）

= 0.07

@ V

= -2.7 V.

DS （ ON）

= 0.075

@ V

= -2.5 V.

在高温指定临界直流电气参数

温度。

坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要

外部齐纳二极管瞬态抑制器。

175°C最高结温额定值。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

的TO-220和TO- 263 （四

PAK ），通过封装为

孔和表面贴装应用。

________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

NDP6020P

-20

±8

-24

-70

0.4

-65 175

NDB6020P

单位

栅源电压 - 连续

漏电流

- 连续

- 脉冲

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

W / ℃，

°C

英镑

工作和存储温度范围

1997仙童半导体公司

NDP6020P Rev.C1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 A

= -16 V, V

= 0 V

= 55°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= -250 A

= 125°C

静态漏源导通电阻

= -4.5 V，I

= -12 A

= 125°C

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= -2.7 V，I

= -10 A

= -2.5 V，I

= -10 A

= -4.5 V, V

= -5 V

= -5 V，I

= -12 A

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

-24

-0.4

-0.3

-0.7

-0.56

0.041

0.06

0.059

0.064

-20

-1

-10

100

-100

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

-1

-0.7

0.05

0.08

0.07

0.075

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

输入电容

输出电容

反向传输电容

1590

725

215

开关特性

（注1 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V,

= -24 A，V

= -5 V

= -20 V，I

= -3 A,

= -5 V ，R

根

= 6

120

250

150

NDP6020P Rev.C1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电流

= 0 V，I

= -12 A

（注1 ）

= 0 V，I

= -24 A,

/ DT = 100 A / μs的

-1.1

-1.7

-24

-80

-1.3

热特性

注意：

1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％。

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

2.5

62.5

° C / W

NDP6020P Rev.C1

典型电气特性

-50

= -5.0V

，漏源电流（A ）

-40

1.8

-4.5

-4.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= -2.5 V

-3.5

1.6

-2.7

-3.0

-30

-3.0

-20

1.4

-3.5

-4.0

-2.7

-2.5

1.2

-4.5

-5.0

-10

-2.0

-1

-2

-3

-4

，漏源电压（V ）

-5

0.8

-10

-20

-30

，漏电流（ A）

-40

-50

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与门

电压和漏电流。

1.8

= -12A

的s

=-4.5V

漏源导通电阻

1.6

漏源导通电阻

= -4.5V

TJ = 125°C

1.5

DS （ ON）

归一化

1.4

1.2

DS （ ON）

归一化

25°C

0.8

-55°C

0.6

-50

0.5

-25

100

125

T，结温（ ° C）

150

175

-10

-20

-30

-40

-50

，漏电流（ A）

图3.导通电阻变化

随温度

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度

-10

门源阈值电压

1.2

= -5V

-8

我，漏极电流（ A）

T = -55°C

25°C

125°C

GS （ TH）

归一化

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50

= V

= -250A

-6

-4

-2

-0.5

-1

-1.5

-2

，门源电压（ V）

-2.5

-25

100

125

T，结温（ ° C）

150

175

图5.传输特性

图6.门阈值变化与

温度

NDP6020P Rev.C1

典型电气特性

（续）

1.08

漏源击穿电压

= -250A

-I ，反向漏电流（ A）

1.06

= 0V

T J = 125°C

25°C

DSS

归一化

1.04

0 .1

1.02

-55°C

0 .0 1

0.98

0 .0 0 1

0.96

-50

-25

100

125

，结温（ ° C）

150

175

0 .0 0 0 1

0 .2

0 .4

0.6

0 .8

-V

，体二极管正向电压（ V）

1 .2

图7.击穿电压变化与

温度

图8.体二极管正向电压

变化与电流和温度

4000

3000

2000

电容（pF）

，栅源电压（V ）

西塞

= -24A

= -5V

-10V

-15V

1000

科斯

500

300

200

= 0 V

100

0 .1

0 .2

-V

0 .5

，漏源极电压（ V）

-V

F = 1 MHz的

CRSS

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性

图10.栅极电荷特性

-V

D（上）

90%

关闭

D（关闭）

90%

OUT

DUT

O u那样牛逼

10%

90%

根

10%

50%

脉冲宽度

倒

图11.开关测试电路

图12.开关波形

NDP6020P Rev.C1

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