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ND2012L/2020L
N沟道耗尽型MOSFET晶体管
产品概述
产品型号
ND2012L
ND2020L
V
（ BR ） DSV
敏（ V）
200
r
DS （ ON）
最大值（W）的
12
20
V
GS （ OFF ）
(V)
-1.5 -4
-0.5到-2.5
I
D
(A)
0.16
0.132
特点
D
D
D
D
D
高击穿电压： 220 V
通常情况下“开”低R
DS
开关： 9
W
低输入和输出泄漏
低功耗驱动要求
低输入电容
好处
D
D
D
D
D
全电压运行
低失调电压
低电压错误
轻松驱动无缓冲器
高速开关
应用
D
D
D
D
D
通常情况下“开”开关电路
电流源/限幅器
电源供应器，转换器电路
固态继电器
电信交换机
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
2
D
3
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
最大结点到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70197 。
应用程序的信息，也可以通过FaxBack获得，请求文件＃ 70612 。
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
ND2012L
200
"30
0.16
0.1
0.8
0.8
0.32
156
ND2020L
200
"30
0.132
0.083
0.8
0.8
0.32
156
单位
V
A
W
° C / W
_C
-55到150
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
1
ND2012L/2020L
特定网络阳离子
a
范围
ND2012L
ND2020L
参数
STATIC
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
GS
= -8 V，I
D
= 10
mA
漏源
漏源击穿电压
栅源截止电压
门体漏
V
（ BR ） DSV
V
GS （ OFF ）
I
GSS
V
GS
= -5 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= 5 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
=
125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= –8 V
排水截止电流
I
D（关闭）
T
J
=
125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= –5 V
T
J
=
125_C
汲极饱和电流
c
I
DSS
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 2 V，I
D
= 20毫安
漏源导通电阻
c
r
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 20毫安
T
J
=
125_C
正向跨导
c
共源输出电导
c
g
fs
g
os
V
DS
7 = 5 V I
D
= 20毫安
7.5 V,
220
220
200
200
–1.5
–4
"10
"50
1
200
1
200
mA
–0.5
–2.5
"10
"50
nA
V
300
7
8
12.6
55
75
30
30
mA
12
30
20
50
W
mS
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= -5 V ， F = 1兆赫
35
10
2
100
20
5
100
20
5
pF
开关
d
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
=
25
V R
L
= 1250
W
V,
I
D
^
20
毫安，V
根
= -5 V
R
G
= 25
W
20
20
ns
10
10
VDDQ20
2
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
ND2012L/2020L
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
100
输出特性（ ND2012 ）
0V
–0.5 V
–1 V
100
输出特性（ ND2020 ）
V
GS
= 2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
0.2 V
0V
–0.2 V
–0.4 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 5 V
60
–1.5 V
60
–0.6 V
40
–1.4 V
40
–0.8 V
–1 V
–1.2 V
20
–2 V
–2.5 V
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
500
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性（ ND2012 ）
V
DS
= 10 V
T
C
= –55_C
25_C
125_C
I
D
- 漏电流（mA ）
200
传输特性（ ND2020 ）
V
DS
= 10 V
160
400
I
D
- 漏电流（mA ）
300
120
200
80
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
100
40
0
–4.5
–3.5
–2.5
–1.5
–0.5
0.5
0
–4.5
–3.5
–2.5
–1.5
–0.5
0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
25
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
能力= 20 mA ，V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 0 V
1000
25
导通电阻与DrainCurrent
V
GS
= 0 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
r
DS （ ON）
15
I
DSS
10
400
600
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
20
800
20
I
DSS
- 漏电流（mA ）
15
ND2020
10
ND2012
5
200
5
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
10
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1K
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
3
ND2012L/2020L
典型特征（ 25_C除非另有说明） （续）
归一化的导通电阻
- 结温
2.25
g
fs
- 正向跨导（MS ）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
（归一化）
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
V
GS
= 0 V
I
D
= 20毫安
正向跨导和输出
导主场迎战漏电流
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
I
D
- 漏极电流（ A）
g
fs
g
os
V
DS
= 7.5 V
脉冲测试
80毫秒， 1 ％占空比
700
600
500
400
300
200
100
0
1K
g
os
- 输出电导（M S）
电容
120
100
- 电容（pF ）
80
60
40
20
0
0
C
RSS
1
10
20
30
40
50
1
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= –5 V
F = 1 MHz的
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
t
D（上）
V
DD
= 25 V
V
GS
= 0到-5 V
R
G
= 25
W
t
f
10
t
D（关闭）
t
r
10
I
D
- 漏极电流（ A）
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
ND2012L/2020L
N沟道耗尽型MOSFET晶体管
产品概述
产品型号
ND2012L
ND2020L
V
（ BR ） DSV
敏（ V）
200
r
DS （ ON）
最大值（W）的
12
20
V
GS （ OFF ）
(V)
-1.5 -4
-0.5到-2.5
I
D
(A)
0.16
0.132
特点
D
D
D
D
D
高击穿电压： 220 V
通常情况下“开”低R
DS
开关： 9
W
低输入和输出泄漏
低功耗驱动要求
低输入电容
好处
D
D
D
D
D
全电压运行
低失调电压
低电压错误
轻松驱动无缓冲器
高速开关
应用
D
D
D
D
D
通常情况下“开”开关电路
电流源/限幅器
电源供应器，转换器电路
固态继电器
电信交换机
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
2
D
3
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
最大结点到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70197 。
应用程序的信息，也可以通过FaxBack获得，请求文件＃ 70612 。
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
ND2012L
200
"30
0.16
0.1
0.8
0.8
0.32
156
ND2020L
200
"30
0.132
0.083
0.8
0.8
0.32
156
单位
V
A
W
° C / W
_C
-55到150
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
1
ND2012L/2020L
特定网络阳离子
a
范围
ND2012L
ND2020L
参数
STATIC
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
GS
= -8 V，I
D
= 10
mA
漏源
漏源击穿电压
栅源截止电压
门体漏
V
（ BR ） DSV
V
GS （ OFF ）
I
GSS
V
GS
= -5 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= 5 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
=
125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= –8 V
排水截止电流
I
D（关闭）
T
J
=
125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= –5 V
T
J
=
125_C
汲极饱和电流
c
I
DSS
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 2 V，I
D
= 20毫安
漏源导通电阻
c
r
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 20毫安
T
J
=
125_C
正向跨导
c
共源输出电导
c
g
fs
g
os
V
DS
7 = 5 V I
D
= 20毫安
7.5 V,
220
220
200
200
–1.5
–4
"10
"50
1
200
1
200
mA
–0.5
–2.5
"10
"50
nA
V
300
7
8
12.6
55
75
30
30
mA
12
30
20
50
W
mS
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= -5 V ， F = 1兆赫
35
10
2
100
20
5
100
20
5
pF
开关
d
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
=
25
V R
L
= 1250
W
V,
I
D
^
20
毫安，V
根
= -5 V
R
G
= 25
W
20
20
ns
10
10
VDDQ20
2
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
ND2012L/2020L
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
100
输出特性（ ND2012 ）
0V
–0.5 V
–1 V
100
输出特性（ ND2020 ）
V
GS
= 2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
0.2 V
0V
–0.2 V
–0.4 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 5 V
60
–1.5 V
60
–0.6 V
40
–1.4 V
40
–0.8 V
–1 V
–1.2 V
20
–2 V
–2.5 V
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
500
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性（ ND2012 ）
V
DS
= 10 V
T
C
= –55_C
25_C
125_C
I
D
- 漏电流（mA ）
200
传输特性（ ND2020 ）
V
DS
= 10 V
160
400
I
D
- 漏电流（mA ）
300
120
200
80
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
100
40
0
–4.5
–3.5
–2.5
–1.5
–0.5
0.5
0
–4.5
–3.5
–2.5
–1.5
–0.5
0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
25
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
能力= 20 mA ，V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 0 V
1000
25
导通电阻与DrainCurrent
V
GS
= 0 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
r
DS （ ON）
15
I
DSS
10
400
600
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
20
800
20
I
DSS
- 漏电流（mA ）
15
ND2020
10
ND2012
5
200
5
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
10
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1K
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
3
ND2012L/2020L
典型特征（ 25_C除非另有说明） （续）
归一化的导通电阻
- 结温
2.25
g
fs
- 正向跨导（MS ）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
（归一化）
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
V
GS
= 0 V
I
D
= 20毫安
正向跨导和输出
导主场迎战漏电流
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
I
D
- 漏极电流（ A）
g
fs
g
os
V
DS
= 7.5 V
脉冲测试
80毫秒， 1 ％占空比
700
600
500
400
300
200
100
0
1K
g
os
- 输出电导（M S）
电容
120
100
- 电容（pF ）
80
60
40
20
0
0
C
RSS
1
10
20
30
40
50
1
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= –5 V
F = 1 MHz的
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
t
D（上）
V
DD
= 25 V
V
GS
= 0到-5 V
R
G
= 25
W
t
f
10
t
D（关闭）
t
r
10
I
D
- 漏极电流（ A）
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
0.01
0.1
1
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