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NCV7708
双六角起子
该NCV7708是一款完全保护六角半桥驱动器
专门为汽车和工业运动控制设计
应用程序。这六个低和高侧驱动器可以自由配置
并且可以分别控制。这使得高端,低端,
和H桥控制。 H桥控制提供了前进,后退,
制动和高阻抗状态。该驱动程序通过控制
标准的SPI接口。
特点
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超低静态电流休眠模式
六个独立的高侧和六个独立的低端驱动器
集成续流保护( LS和HS )
可配置为H桥驱动器
0.5 A连续( 1峰值)电流
R
DSON
= 0.8
W
(典型值)
5 MHz的SPI控制
符合5 V和3.3 V系统
过压闭锁
欠压锁定
故障报告
电流限制
超温保护
无铅包可用*
SOIC28
DW后缀
CASE 751F
标记图
NCV7708
AWLYYWWG
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
1
OUTL5
OUTH5
OUTH4
OUTL4
VS2
GND
GND
GND
GND
VS1
OUTL3
OUTH3
OUTH2
OUTL2
OUTH6
OUTL6
SI
SCLK
CSB
GND
GND
GND
GND
V
CC
SO
EN
OUTL1
OUTH1
典型应用
汽车
产业
订购信息
设备
NCV7708DW
NCV7708DWG
NCV7708DWR2
SOIC28W
SOIC28W
(无铅)
航运
26单位/铁
26单位/铁
SOIC - 28W 1000 /磁带&卷轴
NCV7708DWR2G SOIC - 28W 1000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 第1版
出版订单号:
NCV7708/D
NCV7708
VS1
DRIVE 1
高边
司机
整形
VS
EN
启用
CP
收费
控制
逻辑
BIAS
POR
故障
检测
SPI
控制
SO
故障
VS
OUTH1
V
CC
低端
司机
整形
欠载
过电流
警告/关机
OUTL1
SI
SPI
SCLK
16位
逻辑
LATCH
VS
OUTH2
驱动器2
CSB
CP
OUTL2
VS
车程3
CP
OUTH3
OUTL3
VS1
欠压
封锁
VS2
CP
VS
驱动器4
OUTL4
OUTH4
VS1
过压
封锁
VS2
VS
驱动器5
CP
OUTH5
OUTL5
VS
驱动器6
CP
OUTH6
OUTL6
GND
VS2
图1.框图
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2
NCV7708
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
符号
OUTL5
OUTH5
OUTH4
OUTL4
VS2
GND
GND
GND
GND
VS1
OUTL3
OUTH3
OUTH2
OUTL2
OUTH1
OUTL1
EN
SO
V
CC
GND
GND
GND
GND
CSB
SCLK
SI
OUTL6
OUTH6
描述
输出低端5.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
输出高端5.开放源码输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS2 。
输出高端4.开放源码输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS2 。
输出低端4.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
高压电源输入的高边输出驱动器4 , 5和6 。
地面上。
地面上。
地面上。
地面上。
高压电源输入的高边输出驱动器1 , 2 , 3 ,所有六个低端预
驱动程序和所有六个电荷泵。
输出低端3.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
输出高端3.开源的输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS1 。
输出高侧2.开放源代码的输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS1 。
输出低端2.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
输出高端1.打开源输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS1 。
输出低端1.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
启用。投入高,从睡眠模式唤醒IC起来。
串行输出。 16位串行通信输出。
电源输入的逻辑。
地面上。
地面上。
地面上。
地面上。
片选吧。低电平有效的串行端口操作。
串行时钟。时钟输入与SPI通信的使用。
串行输入。 16位串行通信的输入。
输出低端6.开漏输出驱动器内部的反向二极管。
输出高端6.开源的输出驱动器内部的反向二极管。漏极连接到VS2 。
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3
NCV7708
最大额定值
等级
电源电压( VS1 , VS2 )
(DC)的
( AC ) ,T < 500毫秒, Ivsx > -2 A
输出引脚OUTHx
(DC)的
( AC - 感应式夹紧)
输出引脚OUTLx
(DC)的
( AC ) ,T < 500毫秒, IOUTLx > -2 A
外部钳位电压(注3 )
引脚电压(逻辑输入引脚, SI , SCLK , CSB ,所以, EN ,V
CC
)
输出电流( OUTL1 , OUTL2 , OUTL3 , OUTL4 , OUTL5 , OUTL6 , OUTH1 , OUTH2 , OUTH3 , OUTH4 ,
OUTH5 , OUTH6 )
( DC ) VDS = 12 V
(直流)的Vds = 20 V
( DC ) VDS = 40 V
交流(AC)的Vds = 12V, ( 50毫秒的脉冲, 1秒周期)
交流(AC)的Vds = 20V时, ( 50毫秒的脉冲, 1秒周期)
( AC) VDS = 40 V , ( 50毫秒的脉冲, 1秒周期)
静电放电,人体模型, VS1 , VS2 ,的OUTx
静电放电,人体模型,所有其他引脚
静电放电,机器型号
工作结温
存储温度范围
湿度敏感度等级
MAX 235℃处理
价值
单位
V
-0.3 40
1.0
V
-0.3 40
8.0
V
-0.3至34
1.0
48
-0.3 7.0
V
A
-1.5 1.5
-0.7 0.7
-0.25 0.25
-2.0 2.0
-0.9 0.9
-0.3 0.3
4.0
2.0
200
-40至150
-55到150
3
kV
kV
V
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
热学参数
SOIC 28引脚封装
民垫板
(注1 )
结到铅( PSI - JL8 ,
Y
JL8
)或引脚6-9 , 20-23
结到环境(R
qJA
,
q
JA
)
1.1盎司铜, 240毫米
2
铜的面积, 0.062 “厚的FR4 。
2. 1盎司的铜, 986毫米
2
铜的面积, 0.062 “厚的FR4 。
3. OUTLx必须受到保护,免受反激电压超过48 V.
10
73
1 “ -pad板
(注2 )
11
56
° C / W
° C / W
测试条件
典型的价值
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4
NCV7708
电气特性
( -40°C <牛逼
J
< 150℃ , 5.5 V < VSX < 40 V , 3 V < V
CC
< 5.25 V , EN = V
CC
除非另有规定编)
特征
一般
电源电流( VS1 + VS2 )
睡眠模式
电源电流( VS1 )
主动模式
电源电流( VS2 )
主动模式
电源电流(V
CC
) - 休眠模式(注5 )
电源电流(V
CC
)
主动模式
V
CC
上电复位门限
VSX欠压检测阈值
VSX欠压检测滞后
VSX过压检测阈值
VSX过压检测滞后
热警告(注4 )
热警告迟滞(注4 )
热关断(注4 )
热关断,以警告热比(注4 )
输出
输出高R
DSON
(来源)
I
OUT
= -500毫安
8 V < VS < 40 V
8 V < VS < 40 V,T = 25°C
5.5 V < VS
8 V
5.5 V < VS
8 V ,T = 25°C
I
OUT
= 500毫安
8 V < VS < 40 V
8 V < VS < 40 V,T = 25°C
5.5 V < VS
8 V
5.5 V < VS
8 V ,T = 25°C
OUTH ( 1-6) = 0 V , VSX = 40 V ,V
CC
= 5 V
OUTH ( 1-6) = 0 V , T = 25 ° C,V
CC
= 5 V
OUTL ( 1-6) = 34 V ,V
CC
= 5 V
OUTL ( 1-6) = 34 V ,V
CC
= 5 V ,T = 25°C
V
CC
= 5 V , VSX = 13.2 V
V
CC
= 5 V , VSX = 13.2 V
V
CC
= 5 V , VSX = 13.2 V
V
CC
= 5 V , VSX = 13.2 V
W
0.8
2.0
2.0
1.3
4.0
W
5.0
1.0
1.9
5.0
1.0
10
10
0.8
2.0
1.45
3.0
1.45
25
25
2.0
1.2
4.0
5.0
1.0
1.0
2.0
1.9
50
50
mA
mA
VSX增加
VSX下降
VS1 VS2 = = 13.2 V ,V
CC
CSB = = 5 V,
EN = SI = SCLK = 0 V
EN = V
CC
, 5.5 V < VSX < 35 V
空载
EN = V
CC
, 5.5 V < VSX < 35 V
空载
CSB = V
CC
, EN = SI = SCLK = 0 V
( -40 ° C至85°C )
EN = CSB = V
CC
, SI = SCLK = 0 V
1.0
5.0
mA
测试条件
典型值
最大
单位
2.0
4.0
mA
2.60
4.2
100
35.0
1.5
120
155
1.05
0.5
1.0
1.5
2.80
4.6
37.5
3.5
145
30
175
1.20
1.0
2.5
3.0
3.00
5.1
400
40.0
5.5
170
195
mA
mA
mA
V
V
mV
V
V
°C
°C
°C
输出低R
DSON
(汇)
源漏电流
汇漏电流
过流关断阈值( OUTHx )
电流限制( OUTHx )
过流关断阈值( OUTLx )
过流关断延迟时间 - 来源
过流关断延迟时间
= SINK
4.
5.
6.
7.
A
A
A
ms
热特性不受生产测试。
生产测试@ -40°C , 125°C 。参见图表6 V
CC
睡眠电流与温度的关系。
请参阅“典型的高端负钳位电压表”,如图5
未经生产测试。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NCV7708DW
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NCV7708DW
ONSemiconductor
新年份
18600
28SOIC
全新原装正品/质量有保证
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
NCV7708DW
ON(安森美)
21+
1800
SOP-28
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
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ON Semiconductor
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贴/插片
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√ 欧美㊣品
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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28-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:李
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28-SOIC
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