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NCV7702B

1双H桥驱动器

这双全桥驱动器IC适用于14 V汽车

步进电机和直流电机的应用。其四半桥输出

配置为两个信道，并且由6 TTL编程

兼容的输入，允许灵活的控制桥的操作。该

设备工作在待机模式中，运行模式，或制动模式和

典型功耗低于1

而在待机状态。在运行模式下，

每个半桥的输出可提供负载电流中的任一方向。

制动模式激活了低端晶体管或高端晶体管

在所选择的输出。片上再循环二极管提供，

和IC具有多种故障保护模式。过电流

检测可防止输出和短裤之间的负载短路

到在每个输出电源或接地。过电流故障条件

启动一个内部定时器，它调制断块输出的低

占空比。在一个通道中的过电流条件下不影响

操作在其它。过压和过温检测

还提供，在这些故障关闭所有的电桥输出

条件。恢复所有故障情况下是自动的;该IC

会后，恢复其先前选定的模式运转正常

故障解决。诊断能力是由两个开路集电极提供

状态输出，其中报告每个通道的故障状态

独立时过流故障，并一起在

过压或过热故障。

特点

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SO24L

DW后缀

CASE 751E

标记图

NCV7702B

AWLYYWWG

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

=无铅器件

单7 V - 16 V电源

低待机电流：

引脚连接

VB1

OUT1B

OUT1A

STATUS1

保护地

IN1A

IN1B

AGND

EN1

VB2

OUT2B

OUT2A

STATUS2

保护地

IN2A

IN2B

EN2

＆ LT ; 1.0

通常

3.3 V / 5 V兼容输入

独立通道启用

通道可配置为：

全桥驱动器

半桥，高侧或低侧驱动器

片再循环二极管

故障自动恢复的保护：

过电流

过压

过热

诊断故障状态输出

内部融合信息在SO- 24L封装

这些无铅器件

订购信息

设备

NCV7702BDWG

包

SO24L

（无铅）

航运

31单位/铁

应用

汽车和工业驱动程序：

NCV7702BDWR2G

SO- 24L 1000磁带&卷轴

（无铅）

DC或步进电机

继电器或电磁阀

单极性或双极性负载

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年12月 - 修订版0

出版订单号：

NCV7702B/D

NCV7702B

STATUS1

OUT1A

VB1

OUT1B

OVERVOLT 。

带隙

调节器

过温。

OUT2A

VB2

OUT2B

STATUS2

VBG

半桥控制

过电流

占空比

PGND PGND PGND保护地EN1 IN1A IN1B

AGND

IN2B IN2A EN2 PGND PGND PGND保护地

图1.框图

最大额定值

等级

电源电压， VB

峰值瞬态电压（ 46 V负载突降@ VB = 14 V）

逻辑输入&状态输出

结温，T

存储温度范围

封装热阻：

结到外壳，R

QJC

结到环境，R

qJA

ESD能力

人体模型

机器型号

价值

-0.5到30

-0.3 7.0

150

-65到150

2.0

200

260峰

单位

°C

° C / W

°C

峰值回流焊温度（ 60150秒， 217 ℃）（注1 ）

潮湿敏感度等级（ MSL ）

最大额定值超出其损害（潜在的或其他方式）的设备可能会发生这些值。暴露于这些条件或

以外的指示的条件可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不

暗示。电压是相对于装置基板。

1.对于我们的无铅战略和焊接细节的更多信息，请下载安森美半导体焊接和安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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半桥控制

NCV7702B

电气特性

(7.0 V

16 V ， -40°C

125°C ;除非另有规定。）注2和3 。

特征

一般特性

静态电流

待机模式下，VB

≤

12.8 V

运行模式，我

OUT

= 750毫安，两个通道

1.0

测试条件

民

典型值

最大

单位

逻辑输入

高电平输入电压，V

低电平输入电压，V

输入电流

延迟，T

状态输出

饱和电压V

漏电流

半桥驱动器输出

总输出饱和电压

输出饱和电压高

输出饱和电压低

输出漏

过流阈值，我

过电流的占空比

开关延迟，T

沉源

来源下沉

死区时间，t

再循环二极管正向电压

延时定时器

充电电流，I

CHG

放电电流，我

大昌行

输入阈值高，V

输入阈值低，V

全球性故障保护

过温检测阈值

过热迟滞

过压检测阈值

过电压滞后

注7：

注8

150

500

850

210

1200

°C

1.25

1.85

200

2.0

300

3.25

2.15

400

OUT

= 750 mA时，每通道

OUT

= 750毫安， VB - V

OUT

，每个驱动程序

OUT

= 750毫安， V

OUT

保护地

，每个驱动程序

OUT

VB =

OUT

= V

保护地

低端，每个通道

高压侧，每个通道

470 pF的

≤

1500 pF的;注5

中的50％的

以输出60 ％

;注意： 6

中的50％的

以输出40 ％

;注意： 6

注6

二极管

= 750毫安

5.0

0.9

0.775

3.0

0.20

0.10

2.5

1.25

0.900

4.0

3.0

1.6

5.0

1.6

1.10

6.0

2.5

状态

= 4.0毫安

状态

= 5.0 V

0.4

= 5.0 V

= 0 V

= 5.0 V

= 0 V

EN的50 ％

到OUT 50 ％

;注4开启

关

2.0

5.0

130

0.8

5.0

200

5.0

2.设计以满足这些特性在规定的电压和温度推荐工作的范围内，虽然可能不是100 ％

在生产中参数化测试。

3.操作是有保证下降到VB = 6.0V。电气特性可以是限制在该电压之外。

4.见图2和图3 ; VB = 14 V ， R = 100

5. C

必须保持在这个范围内，以保证正常运行，并确保零件的完整性，在困难条件下短。

6.请参阅图2和4; VB = 14 V ， R = 100

7.通过设计保证。

8.无过压检测或更低过压检测阈值选项，请向厂家咨询。

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NCV7702B

封装引脚说明

封装引脚＃

引脚符号

VB1

OUT1B

OUT1A

STATUS1

保护地

IN1A

IN1B

AGND

EN1

EN2

IN2B

IN2A

保护地

STATUS2

OUT2A

OUT2B

VB2

功能

电源输入电压;过压检测发生在该引脚。

半桥输出IN1B控制。

半桥输出IN1A控制。

诊断输出;报告通道＃ 1故障状态。

电源的回报。

逻辑电平输入。

模拟电源的回报;外部C基准电压源

电容元件基板。

启用OUT1A和OUT1B 。

启用OUT2A和OUT2B 。

外部电容;设置过电流的延迟时间和占空比。

逻辑电平输入。

电源的回报。

诊断输出;报告通道＃ 2故障情况。

半桥输出IN2A控制。

半桥输出IN2B控制。

电源的输入电压。

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NCV7702B

输入逻辑表

EN1 = EN2 = 0 =待机模式

道＃ 1

EN1

注意：

IN1A

IN1B

OUT1A

低

高

|Z|

OUT1B

低

高

低

高

|Z|

模式

制动低

RUN

刹车高

关闭

EN2

IN2A

IN2B

道＃ 2

OUT2A

低

高

|Z|

OUT2B

低

高

低

高

|Z|

模式

制动低

RUN

刹车高

关闭

X =无关; | Z | =输出关闭。

状态输出表

STATUS1

STATUS2

无故障。

通道1过电流;注9

通道2过电流;注9

过压，过热或过电流在两个通道中;注释9和10

故障诊断

9.在过流，状态输出将在过电流占空比脉冲调制。见图5 。

10.在过温，状态输出将由热时间常数调制。

+14 V

VB1

OUT

OUT1B

OUT1A

STATUS1

保护地

VB2

OUT2B

OUT2A

STATUS2

保护地

NCV7702B

保护地

IN1A

IN1B

AGND

保护地

IN2A

IN2B

EN1

EN2

图2.传播延迟和死区时序测试电路

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