NCV7517
FLEXMOSt六角低端
MOSFET的预驱动器
该NCV7517可编程6通道低侧MOSFET
预驱动器是一个家族FLEXMOS中的一个
TM
汽车级
产品驱动的逻辑电平MOSFET 。该产品是
可控通过串行SPI和并行输入的组合。它
具有可编程故障管理模式，并允许
电力限制PWM模式具有可编程的刷新时间。
该器件提供3.3 V / 5.0 V兼容输入和串行输出
驾驶员可以从3.3 V或5.0 V.上电复位供电
提供受控上电和两个使能输入允许所有输出
同时被禁用。
每个通道独立监控其外部MOSFET的
漏极电压为故障状态。负载短路故障检测
阈值是完全可编程的使用外部编程
参考电压和四个分立的内部比组合
值。该比值是SPI选择，并允许不同
检测阈值的每个组的三个输出声道。
故障信息，为每个通道2位编码的故障类型
并且，可通过SPI通信。故障恢复
操作的每个信道是可编程的，并且可以被选择用于
锁断或自动重试。
该FlexMOS系列产品提供了应用的可扩展性
通过选择外部MOSFET 。
特点
http://onsemi.com
记号
图
32引脚LQFP
FT后缀
CASE 873A
NCV7517
AWLYYWWG
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NCV7517FTG
包
LQFP
（无铅）
航运
250单位/托盘
16位SPI与帧错误检测
3.3 V / 5.0 V兼容并行和串行控制输入
3.3 V / 5.0 V兼容串行输出驱动器
两个使能输入
漏极开路故障和状态标志
可编程
负载短路故障检测阈值
故障恢复模式
故障重试计时器
国旗屏蔽
负载诊断与锁定独特的故障类型数据
负载短路
负载开路
短到GND
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和变更控制
这些无铅器件*
好处
NCV7517FTR2G
LQFP
2000磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
通过可扩展的外部MOSFET的选择要加载
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
1
出版订单号：
NCV7517/D
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年3月
第1版
NCV7517
引脚功能说明
符号
FLTREF
DRN0 - DRN5
GAT0 - GAT5
ENA1 ， ENA2
IN0 - IN5
CSB
SCLK
SI
SO
刺
FLTB
VCC1
GND
VCC2
VDD
VSS
描述
模拟故障检测阈值： 5.0 V标准
模拟漏反馈：内部钳位
模拟门驱动器： 5.0 V标准
数码大师的使能输入： 3.3 V / 5.0 V （ TTL ）兼容
数字并行输入： 3.3 V / 5.0 V （ TTL ）兼容
数字片选输入： 3.3 V / 5.0 V （ TTL ）兼容
数字移位时钟输入： 3.3 V / 5.0 V （ TTL ）兼容
数字串行数据输入： 3.3 V / 5.0 V （ TTL ）兼容
数字串行数据输出： 3.3 V / 5.0 V标准
数字漏极开路输出： 3.3 V / 5.0 V标准
数字漏极开路输出： 3.3 V / 5.0 V标准
电源
低功耗路径
电源回路
低功耗路径 - 器件基板
电源
栅极驱动器
电源
串行输出驱动器
电源回路 - VCC2 ， VDD ，沥干夹
DRN2
DRN3
DRN4
DRN5
GAT2
GAT3
GAT4
24 23 22 21 20 19 18 17
GAT1
DRN1
GAT0
DRN0
VCC2
VCC1
FLTREF
GND
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
VSS
刺
VDD
SO
SI
SCLK
CSB
FLTB
GAT5
13
12
11
10
9
ENA1
NCV7517
IN0
IN1
IN2
IN3
IN4
IN5
图3. 32引脚LQFP封装引脚（顶视图）
http://onsemi.com
4
ENA2
NCV7517
最大额定值
（电压是相对于设备的基板。 ）
等级
直流电源（V
CC1
, V
CC2
, V
DD
)
V之间的区别
CC1
和V
CC2
之间的GND（基板）和V差
SS
输出电压（任何输出）
排水反馈钳位电压（注1 ）
排水反馈钳形电流（注1 ）
输入电压（任意输入）
结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
峰值回流焊温度：无铅
60150秒， 217℃ （注2）
价值
0.3
6.5
"0.3
"0.3
0.3
6.5
0.3
40
10
0.3
6.5
40
150
65
150
260峰
单位
V
V
V
V
V
mA
V
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
ATTRIBUTES
特征
ESD能力
人体模型
机器型号
湿气敏感度（注2 ）
封装热阻（注3 ）
结到环境，R
qJA
结到脚，R
YJL
价值
W "
2.0千伏
W "
200 V
MSL3
86.0
° C / W
58.5
° C / W
1，一种外部串联电阻必须连接在MOSFET的漏极和应用程序中的反馈输入之间。总功率钳
耗散由最大结温，应用环境温度，以及封装的热电阻的限制。
2.有关更多信息，请参阅或下载安森美半导体焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D和
应用笔记AND8003 / D 。
3.数值代表仍然在4层（ 42× 42× 1.5 mm）的PCB ，1盎司空气稳态热性能。铜的FR4基板上，利用
最小宽度的信号走线模式（ 384毫米
2
跟踪区） 。
推荐工作条件
符号
V
CC1
V
CC2
V
DD
V
IN
高
V
IN
低
T
A
主电源电压
栅极驱动器电源电压
串行输出驱动器电源电压
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
周围静止空气工作温度
参数
民
4.75
V
CC1
0.3
3.0
2.0
0
40
最大
5.25
V
CC1
+ 0.3
V
CC1
V
CC1
0.8
125
单位
V
V
V
V
V
°C
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5
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