NCV4275
5.0 V低压差电压
调节器
这一行业标准的线性稳压器具有驱动能力
负荷可达450 mA的5.0 V.这是DPAK和D可
2
PAK 。
该器件引脚对引脚与英飞凌部件号兼容
TLE4275.
特点
http://onsemi.com
记号
图表
DPAK
5PIN
DT后缀
CASE 175AA
4275
ALYWW
x
5.0 V,
±2%,
450毫安输出电压
极低的电流消耗
有效复位
复位低下来到V
Q
= 1.0 V
500毫伏（最大值）输入输出电压差
故障保护
+ 45V峰值瞬态电压
-42 V反向电压
短路
热过载
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
1
5
1
1
5
D
2
PAK
5PIN
DS后缀
CASE 936A
NCV4275
AWLYYWW
引脚1.我
1
2. RO
选项卡， 3 GND *
4. D
5. Q
*标签连接到
所有封装的引脚3
I
错误
扩音器
+
电流限制和
饱和感
Q
A
WL ，L
YY, Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
带隙
参考
热
关闭
D
订购信息
RESET
发电机
设备
NCV4275DT
NCV4275DTRK
GND
NCV4275DS
NCV4275DSR4
RO
包
DPAK
DPAK
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
75单位/铁
2500磁带&卷轴
50单位/铁
800磁带&卷轴
图1.框图
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 修订版8
出版订单号：
NCV4275/D
NCV4275
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
I
描述
输入;电池供电的输入电压。旁路至地的陶瓷电容。
复位输出;集电极开路有效复位（精确的，当我> 1.0 V） 。
地面; 3脚内部连接到选项卡。
RO
GND
D
复位延迟;定时电容到GND复位延时功能。
Q
输出;
±2.0%,
450毫安输出。使用22
MF，
ESR < 5.0
到地面。
最大Ratings
输入〔I （直流） ]
等级
民
最大
45
45
16
25
5.0
7.0
2.0
42
150
150
单位
V
V
V
V
mA
V
mA
V
kV
°C
°C
°C
°C
42
1.0
0.3
5.0
0.3
2.0
5.5
2.0
40
55
回流焊（ SMD风格只）注1
波峰焊（通孔样式只）注2
输入[I （峰值瞬态电压） ]
输出（Q）的
复位输出（ RO ）
复位输出（ RO ）
复位延迟（ D）
复位延迟（ D）
工作范围（ I）
ESD敏感性（人体模型）
结温
储存温度
无铅焊接温度
240峰
（注3）
260峰
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
热特性
参数
DPAK 5引脚封装
闵垫委员会（注4 ）
结到-T （ PSI - JLX ，
y
JLX
)
ab
结到环境（R
qJA
,
q
JA
)
D
2
PAK 5引脚封装
0.4平方英寸摊铺委员会（注6 ）
结到-T （ PSI - JLX ，
y
JLX
)
ab
结到环境（R
qJA
,
q
JA
)
3.8
74.8
1.2平方英寸摊铺委员会（注7 ）
4.0
41.6
C / W
C / W
4.2
100.9
1 “垫委员会（注5 ）
4.7
46.8
C / W
C / W
测试条件（典型值）
单位
最大值以上183℃ 1 60秒。
2.最长10秒。
3， -5 ° C / + 0 ℃的条件下允许的。
4. 1盎司铜， 0.26英寸
2
(168 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
5. 1盎司铜， 1.14英寸
2
(736 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
6. 1盎司铜， 0.373英寸
2
(241 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
7. 1盎司铜， 1.222英寸
2
(788 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
在这超过了我的最大测试电压的电压范围，操作是有保证的，但不能指定。更广泛的限制可能适用。热
消耗必须密切观察。
http://onsemi.com
2
NCV4275
应用信息
V
I
I
I
C
I1
1000
F
C
I2
100 nF的
I
D
C
D
47 nF的
I
1
NCV4275
5
Q
C
Q
22
F
I
Q
R
EXT
5.0 k
V
Q
D
4
3
GND
2
RO
I
RO
V
RO
图3.测试电路
电路描述
误差放大器比较了温度稳定的
参考电压的电压正比于
输出电压（Q） （由一个电阻分压器产生的）和
驱动一个串联晶体管的通过缓冲的基极。饱和
控制负载电流防止的功能
过饱和输出功率的设备，从而防止
过度的衬底电流（静态电流） 。
典型的降电压在300 mA负载为250毫伏，
500 mV（最大值） 。测试电压降的是5.0 V的输入。
稳定性考虑
输入电容（C
I1
和C
I2
）是必要的，以
控制线的影响。用大约一电阻
1.0
串联使用C
I2
可以解决因势振荡
到的杂散电感和电容。
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征：启动
延迟，负载瞬态响应和环路稳定性。
电容值和类型，应根据成本，
可用性，尺寸和温度的限制。钽
或铝电解电容器是最好的，因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起
不稳定。铝电解电容器是至少
昂贵的解决方案，但是，如果电路工作在低
温度（ -25 ℃至-40 ℃） ，两者的值和血沉
电容器将有很大的不同。电容器
制造商的数据手册通常会提供这
信息。
对输出电容C的值
Q
在图3所示
应适用于大多数的应用，但是它不
一定的优化解决方案。稳定性是保证
C
Q
> 22
mF
和ESR
≤
5.0
.
计算功耗
在单输出线性稳压器
最大功耗为单个输出
调节器（图4）是：
PD （最大）
+
[Ⅵ （最大）
*
VQ （分钟） ]智商（最大值）
)
VI （最大值） Iq的
(1)
哪里
V
我（最大值）
V
Q（分钟）
I
Q值（最大值）
是最大输入电压，
是最小输出电压，
是最大输出电流为
应用程序，
I
q
是静态电流的调节器
在消费我
Q值（最大值）
.
一旦P的值
D（最大）
是已知的，最大
的R允许值
qJA
可以这样计算：
T
R
qJA
+
150°C
*
A
PD
(2)
R的值
qJA
然后可以与那些在被比较
该数据表的包款。这些封装
R
qJA
的小于公式的计算值2将保持
模具温度低于150 ℃。
在某些情况下，没有任何包将足以
散发由集成电路产生的热量，和一个外部
散热片是必需的。
I
I
V
I
灵巧
REGULATOR
I
Q
V
Q
}
控制
特点
Iq
图4.单路输出调节器关键
性能参数标记
http://onsemi.com
4
NCV4275
5.0 V低压差电压
调节器
这一行业标准的线性稳压器具有驱动能力
负荷可达450 mA的5.0 V.这是DPAK和D可
2
PAK 。
该器件引脚对引脚与英飞凌部件号兼容
TLE4275.
特点
http://onsemi.com
记号
图表
DPAK
5PIN
DT后缀
CASE 175AA
4275
ALYWW
x
5.0 V,
±2%,
450毫安输出电压
极低的电流消耗
有效复位
复位低下来到V
Q
= 1.0 V
500毫伏（最大值）输入输出电压差
故障保护
+ 45V峰值瞬态电压
-42 V反向电压
短路
热过载
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
1
5
1
1
5
D
2
PAK
5PIN
DS后缀
CASE 936A
NCV4275
AWLYYWW
引脚1.我
1
2. RO
选项卡， 3 GND *
4. D
5. Q
*标签连接到
所有封装的引脚3
I
错误
扩音器
+
电流限制和
饱和感
Q
A
WL ，L
YY, Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
带隙
参考
热
关闭
D
订购信息
RESET
发电机
设备
NCV4275DT
NCV4275DTRK
GND
NCV4275DS
NCV4275DSR4
RO
包
DPAK
DPAK
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
75单位/铁
2500磁带&卷轴
50单位/铁
800磁带&卷轴
图1.框图
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
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1
2004年8月 - 修订版8
出版订单号：
NCV4275/D
NCV4275
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
I
描述
输入;电池供电的输入电压。旁路至地的陶瓷电容。
复位输出;集电极开路有效复位（精确的，当我> 1.0 V） 。
地面; 3脚内部连接到选项卡。
RO
GND
D
复位延迟;定时电容到GND复位延时功能。
Q
输出;
±2.0%,
450毫安输出。使用22
MF，
ESR < 5.0
到地面。
最大Ratings
输入〔I （直流） ]
等级
民
最大
45
45
16
25
5.0
7.0
2.0
42
150
150
单位
V
V
V
V
mA
V
mA
V
kV
°C
°C
°C
°C
42
1.0
0.3
5.0
0.3
2.0
5.5
2.0
40
55
回流焊（ SMD风格只）注1
波峰焊（通孔样式只）注2
输入[I （峰值瞬态电压） ]
输出（Q）的
复位输出（ RO ）
复位输出（ RO ）
复位延迟（ D）
复位延迟（ D）
工作范围（ I）
ESD敏感性（人体模型）
结温
储存温度
无铅焊接温度
240峰
（注3）
260峰
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
热特性
参数
DPAK 5引脚封装
闵垫委员会（注4 ）
结到-T （ PSI - JLX ，
y
JLX
)
ab
结到环境（R
qJA
,
q
JA
)
D
2
PAK 5引脚封装
0.4平方英寸摊铺委员会（注6 ）
结到-T （ PSI - JLX ，
y
JLX
)
ab
结到环境（R
qJA
,
q
JA
)
3.8
74.8
1.2平方英寸摊铺委员会（注7 ）
4.0
41.6
C / W
C / W
4.2
100.9
1 “垫委员会（注5 ）
4.7
46.8
C / W
C / W
测试条件（典型值）
单位
最大值以上183℃ 1 60秒。
2.最长10秒。
3， -5 ° C / + 0 ℃的条件下允许的。
4. 1盎司铜， 0.26英寸
2
(168 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
5. 1盎司铜， 1.14英寸
2
(736 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
6. 1盎司铜， 0.373英寸
2
(241 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
7. 1盎司铜， 1.222英寸
2
(788 mm
2
）的覆铜面积， 0.62 “厚的FR4 。
在这超过了我的最大测试电压的电压范围，操作是有保证的，但不能指定。更广泛的限制可能适用。热
消耗必须密切观察。
http://onsemi.com
2
NCV4275
应用信息
V
I
I
I
C
I1
1000
F
C
I2
100 nF的
I
D
C
D
47 nF的
I
1
NCV4275
5
Q
C
Q
22
F
I
Q
R
EXT
5.0 k
V
Q
D
4
3
GND
2
RO
I
RO
V
RO
图3.测试电路
电路描述
误差放大器比较了温度稳定的
参考电压的电压正比于
输出电压（Q） （由一个电阻分压器产生的）和
驱动一个串联晶体管的通过缓冲的基极。饱和
控制负载电流防止的功能
过饱和输出功率的设备，从而防止
过度的衬底电流（静态电流） 。
典型的降电压在300 mA负载为250毫伏，
500 mV（最大值） 。测试电压降的是5.0 V的输入。
稳定性考虑
输入电容（C
I1
和C
I2
）是必要的，以
控制线的影响。用大约一电阻
1.0
串联使用C
I2
可以解决因势振荡
到的杂散电感和电容。
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征：启动
延迟，负载瞬态响应和环路稳定性。
电容值和类型，应根据成本，
可用性，尺寸和温度的限制。钽
或铝电解电容器是最好的，因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起
不稳定。铝电解电容器是至少
昂贵的解决方案，但是，如果电路工作在低
温度（ -25 ℃至-40 ℃） ，两者的值和血沉
电容器将有很大的不同。电容器
制造商的数据手册通常会提供这
信息。
对输出电容C的值
Q
在图3所示
应适用于大多数的应用，但是它不
一定的优化解决方案。稳定性是保证
C
Q
> 22
mF
和ESR
≤
5.0
.
计算功耗
在单输出线性稳压器
最大功耗为单个输出
调节器（图4）是：
PD （最大）
+
[Ⅵ （最大）
*
VQ （分钟） ]智商（最大值）
)
VI （最大值） Iq的
(1)
哪里
V
我（最大值）
V
Q（分钟）
I
Q值（最大值）
是最大输入电压，
是最小输出电压，
是最大输出电流为
应用程序，
I
q
是静态电流的调节器
在消费我
Q值（最大值）
.
一旦P的值
D（最大）
是已知的，最大
的R允许值
qJA
可以这样计算：
T
R
qJA
+
150°C
*
A
PD
(2)
R的值
qJA
然后可以与那些在被比较
该数据表的包款。这些封装
R
qJA
的小于公式的计算值2将保持
模具温度低于150 ℃。
在某些情况下，没有任何包将足以
散发由集成电路产生的热量，和一个外部
散热片是必需的。
I
I
V
I
灵巧
REGULATOR
I
Q
V
Q
}
控制
特点
Iq
图4.单路输出调节器关键
性能参数标记
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QQ：2880707522 复制
