NCP703
300毫安，超低静态
目前，我
Q
12
毫安，
超低
噪声， LDO稳压器
噪声敏感的RF应用，如功率放大器
卫星无线电，信息娱乐设备和精密
仪表需要非常干净的电源。该NCP703是
300毫安LDO ，可提供工程师一个非常稳定，精确
电压，超低噪音和极高的电源抑制
比（PSRR）适合于RF应用。该装置不需要
任何额外的噪声旁路电容，以实现超低噪音
性能。为了优化电池供电性能
便携式应用中， NCP703采用动态Iq的管理
超低静态电流消耗在轻负载条件下
和巨大的动态性能。
特点
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5
1
TSOP5
SN后缀
CASE 483
1
XDFN6
MX后缀
CASE 711AE
标记DIAGRAMS
5
XXXAYW
G
1
X， XXX =具体设备守则
M =日期代码
A
=大会地点
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
1
工作输入电压范围： 2.0 V至5.5 V
可在固定电压选项： 0.8 3.5 V
请与工厂联系其他电压选项
典型的超低静态电流。 12
mA
超低噪音： 13
mV
RMS
从100赫兹至100千赫兹
非常低压差： 180 mV的典型300 mA时
±2%
准确度负载/线路/温度
高PSRR 68分贝1千赫
内部软启动以限制接通浪涌电流
热停机和电流限制保护功能
稳定了1
mF
陶瓷输出电容器
可在TSOP - 5和XDFN 1.5 ×1.5毫米包装
有源输出放电的快速关断
这些无铅器件
XM
G
引脚连接
IN
GND
EN
5引脚TSOP- 5
（ TOP VIEW ）
1
OUT
N / C
GND
IN
N / C
EN
N / C
1
OUT
典型Applicaitons
PDA，移动电话， GPS，智能手机
无线手持设备，无线局域网，蓝牙，ZigBee
便携式医疗设备
其它电池供电的应用
V
IN
C
IN
1
mF
关闭
IN
ON
EN
OUT
C
OUT
V
OUT
1
mF
陶瓷的
NCP703
GND
6引脚XDFN 1.5× 1.5毫米
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第16页。
图1.典型应用电路图
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
NCP703/D
NCP703
IN
EN
带隙
参考
启用
逻辑
UVLO
热
关闭
MOSFET
驱动程序
电流限制
集成
软启动
自动低
电源模式
OUT
活跃
放电
EN
GND
图2.简化原理框图
表1.引脚功能说明
PIN号
XDFN6
1
2
3
4
5
6
1
PIN号
TSOP5
5
4
2
3
针
名字
OUT
N / C
GND
EN
N / C
IN
描述
稳压输出电压引脚。小1
mF
陶瓷电容器是需要从这个引脚到地
以保证稳定性。
未连接。
电源接地。通过引线框连接到模具上。焊接到铜
面可以有效地进行散热。
使能引脚。驾驶EN超过0.9 V开启稳压器。驾驶EN低于0.4 V提出的稳压
荡器进入关断模式。
未连接。该引脚可连接到地面，以提高散热效果。
输入引脚。一个小电容是必要的，从这个引脚接地，以保证稳定性。
表2.绝对最大额定值
等级
输入电压（注1 ）
输出电压
使能输入
输出短路持续时间
最高结温
储存温度
ESD能力，人体模型（注2 ）
ESD能力，机器模型（注2 ）
符号
V
IN
V
OUT
V
EN
t
SC
T
J（下最大）
T
英镑
ESD
HBM
ESD
MM
价值
0.3
V至6 V
0.3
V到V
IN
+ 0.3 V
0.3
V到V
IN
+ 0.3 V
不定
125
55
150
2000
200
单位
V
V
V
s
°C
°C
V
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.参考电气特性和应用信息的安全工作区。
2.该装置系列采用ESD保护，并通过以下方法进行测试：
每AEC - Q100-002 （ EIA / JESD22- A114 ）ESD人体模型测试
每AEC - Q100-003 （ EIA / JESD22- A115 ）ESD机模型测试
根据JEDEC标准闭锁电流最大额定值测试： JESD78 。
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2
NCP703
表3.热特性
（注3）
等级
热特性， TSOP - 5 ，
热阻，结到空气
热特性参数，结到引线（引脚2 ）
热特性， XDFN6 1.5× 1.5毫米
热阻，结到空气
热特性参数，结对板
3.单组分装在1盎司， FR4 PCB与645毫米
2
铜区。
符号
q
JA
y
JL
q
JA
y
JB
价值
241
129
146
77
单位
° C / W
° C / W
表4.电气特性
40°C
≤
T
J
≤
125°C ; V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5 V或2.0 V，以较大者为准; V
EN
= 0.9 V，I
OUT
= 10毫安，C
IN
= C
OUT
= 1
mF
除非
另有说明。典型值是在T
J
= + 25°C 。 （注4 ）
参数
工作输入电压
欠压锁定
输出电压精度
线路调整
V
IN
升起
V
OUT
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
5.5 V，I
OUT
= 0
300毫安
V
OUT
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
4.5 V，I
OUT
= 10毫安
V
OUT
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
5.5 V，I
OUT
= 10毫安
负载调整率
负载瞬态
输入输出电压差（注5 ）
输出电流限制
静态电流
地电流
关断电流
I
OUT
= 0 mA至300毫安
I
OUT
= 1 mA至300毫安或300 mA至1 mA，分
1
女士，
C
OUT
= 1
mF
I
OUT
= 300毫安， V
OUT （ NOM ）
= 2.5 V
V
OUT
= 90% V
OUT （ NOM ）
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 300毫安
V
EN
≤
0.4 V，T
J
= +25°C
V
EN
≤
0 V, V
IN
= 2.0 4.5 V ，T
J
=
40
至+ 85°C
EN引脚阈值电压
高门槛
低门槛
EN引脚的输入电流
开启时间
电源抑制比
V
EN
升压
V
EN
电压下降
V
EN
= 5.5 V
C
OUT
= 1.0
MF，
从断言EN引脚为98 ％
V
OUT （ NOM ）
V
IN
= 3 V, V
OUT
= 2.5 V
I
OUT
= 300毫安
F = 100赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
测试条件
符号
V
IN
UVLO
V
OUT
REG
LINE
REG
LINE
REG
负载
TRAN
负载
V
DO
I
CL
I
Q
I
GND
I
DIS
I
DIS
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
t
ON
PSRR
0.9
0.4
100
200
70
68
53
13
160
20
500
nA
ms
dB
310
民
2.0
1.2
2
450
600
20
100/
+150
180
450
12
200
0.12
0.55
2
300
750
20
1.6
典型值
最大
5.5
1.9
+2
单位
V
V
%
mV / V的
mV / V的
毫伏/毫安
mV
mV
mA
mA
mA
mA
mA
V
输出噪声电压
热关断温度
热关断迟滞
V
OUT
= 2.5 V, V
IN
= 3 V，I
OUT
= 300毫安
F = 100赫兹至100千赫兹
温度从T增加
J
= +25°C
降温从T
SD
V
N
T
SD
T
SDH
mV
RMS
°C
°C
4.性能保证在指定的工作温度范围内由设计和/或特性。生产在T测试
J
= T
A
= 25_C 。测试，以保持结点温度为接近环境尽可能过程中使用低占空比脉冲技术。
5.特点当V
OUT
降到100毫伏低于V稳压电压
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5 V.
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
