NCP5901B
VR12兼容
同步降压MOSFET
DRIVERS
该NCP5901B是一种高性能的双MOSFET的栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。它可以驱动多达3 nF的
装载有25 ns传播延迟和20 ns的过渡时间。
自适应反交叉传导和节能操作
电路可提供一个低的开关损耗和高效率的解决方案
用于笔记本电脑和台式机系统。双向EN引脚可提供
一个故障信号给控制器，当栅极驱动器的故障检测下
OVP ， UVLO发生。此外，欠压闭锁功能
保证输出为低电平时，电源电压为低。
特点
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8
1
SOIC - 8 NB
后缀
CASE 751
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
更快的上升和下降时间
自适应消除交叉传导电路
集成自举二极管
预OV功能
ZCD检测
浮顶驱动升压容纳高达35 V电压
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
欠压锁定
操作在轻省电负载条件
直接接口， NCP6151和其他兼容的PWM
控制器
热增强型封装
这些无铅器件
典型应用
标记DIAGRAMS
8
5901B
ALYWX
G
1
5901B
A
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1
AZMG
G
电源解决方案为桌面系统
AZ =具体设备守则
M =日期代码
G
=无铅器件
订购信息
设备
NCP5901BMNTBG
NCP5901BDR2G
包
航运
DFN8
3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年2月
第1版
1
出版订单号：
NCP5901B/D
NCP5901B
BST
PWM
EN
VCC
（ TOP VIEW ）
图1.引脚图
1
旗
9
DRVH
SW
GND
DRVL
VCC
BST
DRVH
PWM
逻辑
防跨
传导
VCC
DRVL
SW
EN
故障
UVLO
预OV
ZCD
发现
图2.框图
表1.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
符号
BST
PWM
EN
VCC
DRVL
GND
SW
DRVH
旗
描述
浮动自举电源引脚用于高侧栅极驱动器。连接该引脚之间的自举电容
和SW引脚。
控制输入。 PWM信号有三个与众不同的状态：低=低端FET启用，中秋节=二极管
仿真技术的高=高侧FET启用。
逻辑输入。逻辑高，令部分和逻辑低禁用的一部分。
电源输入。连接一个旁路电容器（0.1
MF）
从这个引脚到地。
低侧栅极驱动输出。连接至低边MOSFET的栅极。
偏置和参考地。所有的信号都参考该节点（ QFN标志） 。
开关节点。该引脚连接至高压侧MOSFET的低边MOSFET的漏源。
高侧栅极驱动输出。连接到高边MOSFET的栅极。
热标志。有向IC没有电气连接。连接到地平面。
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2
NCP5901B
12V_POWER
TP1
R1
1.02
R143
TP4
PWM
DRON
0.0
R164
C4
0.027uF
R142
VREG_SW1_HG
VREG_SW1_OUT
TP6
TP7
Q9
NTMFS4851N
Q10
NTMFS4851N
R3
2.2
JP13_ETCH
CSN11
C6
2700pF
JP14_ETCH
CSP11
0.0
TP5
L
235nH
VCCP
0.0
NCP5901B
TP3
BST
HG
TP2
Q1
NTMFS4821N
C1
4.7uF
C2
4.7uF
C3
4.7uF
+
CE9
390uF
PWM SW
EN
VCC
PAD
C5
1uF
TP8
GND
LG
VREG_SW1_LG
图3.应用电路
表2.绝对最大额定值
引脚符号
VCC
BST
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
V
最大
15 V
35 V WRT / GND
40 V
≤
50纳秒WRT / GND
15 V WRT / SW
35 V
40 V
≤
50纳秒
BST + 0.3 V
VCC + 0.3 V
6.5 V
6.5 V
0V
V
民
0.3
V
0.3
V WRT / SW
SW
DRVH
DRVL
PWM
EN
GND
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
低端驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
使能引脚
地
5
V
10
V（ 200纳秒）
0.3
V WRT / SW
2
V（ <200 NS） WRT / SW
0.3
V DC
5
V（ <200 NS ）
0.3
V
0.3
V
0V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表3.热信息
（参考AGND所有的信号，除非另有说明）
符号
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
MSL
热特性
参数
SOIC封装（注1 ）
DFN封装（注1 ）
价值
123
74
0至150
10
+125
55
+150
SOIC封装
DFN封装
1
1
单位
° C / W
°C
°C
°C
工作结温范围（注2 ）
工作环境温度范围
最大存储温度范围
湿度敏感度等级
*最大包装功耗必须遵守。
1.我在
2
铜， 1盎司厚度。
2.操作时
40°C
to
10°C
通过设计保证，但未经生产测试。
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3
NCP5901B
表4.电气特性
(
除非另有说明：
10°C
＆ LT ;吨
A
< + 125°C ; 4.5 V < V
CC
< 13.2 V，
4.5 V < BST- SWN < 13.2 V， 4.5 V < BST < 30 V ， 0 V < SWN < 21 V）
参数
电源电压
VCC工作电压
上电复位门限
欠压锁定
VCC启动阈值
VCC UVLO迟滞
输出过压跳闸阈值时
启动
电源电流
普通模式
待机电流
待机电流
待机电流
自举二极管
正向电压
PWM输入
PWM输入高
PWM中等国家
PWM输入低电平
ZCD消隐计时器
高端驱动器（ VCC = 12 V）
输出阻抗，采购当前
输出阻抗，可吸入电流
DRVH上升时间tr
DRVH
DRVH下降时间tf
DRVH
DRVH关断传播延迟
tPDH时间
DRVH
DRVH导通传播延迟
保持tPDL
DRVH
SW下拉电阻
DRVH下拉电阻
高端驱动器（ VCC = 5V）
输出阻抗，采购当前
输出阻抗，可吸入电流
DRVH上升时间tr
DRVH
DRVH下降时间tf
DRVH
DRVH关断传播延迟
tPDH时间
DRVH
DRVH导通传播延迟
保持tPDL
DRVH
SW下拉电阻
VBST
VSW = 5 V
VBST
VSW = 5 V
V
VCC
= 5 V ， 3 nF的负载， VBST
VSW = 5 V
V
VCC
= 5 V ， 3 nF的负载， VBST
VSW = 5 V
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
申银万国PGND
4.5
2.9
30
27
20
27
45
W
W
ns
ns
ns
ns
kW
VBST
VSW = 12 V
VBST
VSW = 12 V
V
VCC
= 12 V ， 3 nF的负载， VBST - VSW = 12 V
V
VCC
= 12 V ， 3 nF的负载， VBST - VSW = 12 V
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
申银万国PGND
DRVH到SW ， BST- SW = 0 V
45
45
8.0
2.0
1.0
16
11
3.5
2.0
30
25
30
30
W
W
ns
ns
ns
ns
kW
kW
250
3.4
1.3
2.7
0.7
V
V
V
ns
V
CC
= 12 V ，正向偏置电流= 2毫安
0.1
0.4
0.6
V
ICC + Ibst ， EN = 5 V ， PWM = OSC ， FSW = 100千赫，
CLOAD = 3的NF DRVH ， 3的NF DRVL
ICC + Ibst ， EN = GND
I
CC
+ I
BST
， EN = HIGH ， PWM =低，
不装上DRVH & DRVL
I
CC
+ I
BST
， EN = HIGH ， PWM = HIGH ，
不装上DRVH & DRVL
12.2
0.5
2.1
2.2
1.9
mA
mA
mA
mA
电源启动时， VCC > POR
3.8
150
2.1
4.35
200
2.25
4.5
250
2.4
V
mV
V
4.5
2.75
13.2
3.2
V
V
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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4
NCP5901B
表4.电气特性
(
除非另有说明：
10°C
＆ LT ;吨
A
< + 125°C ; 4.5 V < V
CC
< 13.2 V，
4.5 V < BST- SWN < 13.2 V， 4.5 V < BST < 30 V ， 0 V < SWN < 21 V）
参数
高端驱动器（ VCC = 5V）
DRVH下拉电阻
低端驱动器（ VCC = 12 V）
输出阻抗，采购当前
输出阻抗，可吸入电流
DRVL上升时间tr
DRVL
DRVL下降时间tf
DRVL
DRVL关断传播延迟
保持tPDL
DRVL
DRVL导通传播延迟
tPDH时间
DRVL
DRVL下拉电阻
低端驱动器（ VCC = 5V）
输出阻抗，采购当前
输出阻抗，可吸入电流
DRVL上升时间tr
DRVL
DRVL下降时间tf
DRVL
DRVL关断传播延迟
保持tPDL
DRVL
DRVL导通传播延迟
tPDH时间
DRVL
DRVL下拉电阻
EN输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
普通模式偏置电流
使能引脚吸收电流
传播延迟时间
SW节点
SW节点漏电流
零交叉检测阈值电压
申银万国
20
毫伏，坡道慢慢地，直到BG熄灭
（开始在DCM模式） （注3）
6
20
mA
mV
1
4
20
500
1
30
40
2.0
1.0
V
V
mV
mA
mA
ns
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
DRVL到PGND ， VCC = PGND
4.5
2.4
30
22
27
12
45
W
W
ns
ns
ns
ns
kW
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
DRVL到PGND ， VCC = PGND
8.0
45
2.0
0.8
16
11
3.5
1.8
35
20
35
30
W
W
ns
ns
ns
ns
kW
DRVH到SW ， BST- SW = 0 V
45
kW
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
表5.解码器真值表
PWM输入
PWM高
PWM半山
PWM半山
PWM低
3.由设计保证;未经生产测试。
ZCD
ZCD复位
正电流通过电感
零电流通过电感
ZCD复位
DRVL
低
高
低
高
DRVH
高
低
低
低
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5
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