NCP5603
高英法fi效率电荷泵
变流器
该NCP5603是专用于媒体的集成电路
大功率白光LED的应用。所述功率转换是通过实现
装置,一个电荷泵构成的,利用两个外部陶瓷
电容,使得系统极其微小的。该器件提供了一个
恒定电压给负载从低电池电压源。这是
特别适合于高效率LED的成本低时,低
电源应用,具有很高的延长了电池的使用寿命。
特点
http://onsemi.com
记号
图
广泛的电池供电电压范围: 2.7 < V
CC
& LT ; 5.5 V
自动操作模式1X , 1.5X和2X提高效率
可调输出电流
高达350 mA输出电流脉冲
可选输出电压,
高效率高达90%
支持2.5 kV的静电放电,人体模型
支持200 V机器模型ESD
低40毫安短路电流
无铅包装是否可用
DFN10
MN后缀
CASE 485C
5603
ALYW
G
5603
A
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
应用
大功率LED
背光显示
高能量闪光灯
引脚连接
V
OUT
C1P
V
BAT
FSEL
VSEL
1
2
3
4
5
( TOP VIEW )
10 C2P
9
8
7
6
C1N
GND
C2N
EN
订购信息
设备
NCP5603MNR2
包
航运
QFN10 , 3×3 3000 /磁带&卷轴
NCP5603MNR2G QFN10 , 3× 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 第1版
出版订单号:
NCP5603/D
NCP5603
引脚功能说明
针
1
符号
V
OUT
TYPE
输出, PWR
描述
该引脚提供已调节的电压到外部的LED。由于大电流瞬变
目前在该引脚,必须注意观察,避免电压尖峰在系统中。良好
高频布局技术,必须得到遵守。
外部电荷泵电容的一侧(C
FLY
)连接到该引脚,相关
与C1P ,脚9.使用低ESR的陶瓷电容以优化充电
泵的效率。
该引脚应被连接到所述动力源,并且必须通过一个去耦至地
低ESR电容( 2.2
mF/6.3
V陶瓷或更好(见注1 ) ) 。
该引脚用于编程工作频率:
FSEL = 0
→
FOP = 262千赫
FSEL = 1
→
FOP = 650千赫
该引脚设置输出电压:
VSEL = 0
→
V
OUT
= 4.5 V
VSEL = 1
→
V
OUT
= 5.0 V
该引脚控制NCP5603芯片的活性:
EN / PWM =低
→
该芯片被停用时,负载被断开
EN / PWM =高
→
该芯片被激活并且负载被连接到
稳定的输出电流。
的NCP5603能够工作在连续模式(EN / PWM =高) ,或者可以是
通过施加到EN / PWM调暗光线输出的PWM脉冲控制。当EN / PWM是
低时,外部负载从转换器断开时,提供了非常低的待机
电流。向下内置电阻的上拉可确保该芯片被停用,即使
EN / PWM引脚断开(见注2 ) 。
7
C2N
动力
外部电荷泵电容的一侧(C
FLY
)连接到该引脚,相关
与C2P ,脚10.使用低ESR的陶瓷电容建议优化
电荷泵的效率。
这个针组合信号地及电源地和必须连接到
系统地。使用高质量的接地平面是强制性的,以避免对逻辑尖峰
信号线。
外部电荷泵电容的一侧(C
FLY
)连接到该引脚,相关
与C1N ,脚2.采用低ESR的陶瓷电容以优化充电
泵的效率。
外部电荷泵电容器的一侧被连接到这个引脚,与之相关联
C2N ,脚7.使用低ESR的陶瓷电容以优化充电
泵的效率。
2
C1N
动力
3
4
V
BAT
FSEL
动力
输入,数字
5
VSEL
输入,数字
6
EN / PWM
输入,数字
8
GND
地
9
C1P
动力
10
C2P
动力
1.使用陶瓷16伏特工作电压的电容器,建议以补偿与这种类型的电容器中所遇到的DC偏压的效果。
2.连接到引脚6的任何外部阻抗应为10千瓦或者更高。
http://onsemi.com
4
NCP5603
最大额定值
等级
电源电压
电源电流
数字输入引脚
数字输入引脚
输出电压
静电放电能力(注3)
人体模型
机器型号
QFN10 , 3×3包
功率耗散@环境温度Tamb = + 85°C
热阻,结到空气(R
qJA
)
工作环境温度范围
工作结温范围
最高结温
存储温度范围
闭锁电流最大额定值
潮湿敏感度等级( MSL )
符号
V
BAT
I
BAT
V
in
IIN
V
OUT
V
ESD
2.5
200
P
DS
R
qJA
T
A
T
J
T
JMAX
T
英镑
580
68.5
-40至+85
-40到+125
+150
-65到+150
根据JEDEC标准, JESD78百毫安
1根据IPC / JEDEC标准J- STD- 020A
kV
V
mW
° C / W
°C
°C
°C
°C
价值
7.0
800
-0.5 V < Vbat的< Vbat的+ 0.5V < 6.0 V
"5.0
5.5
单位
V
mA
V
mA
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
3.该设备系列包含ESD保护和超过了以下测试:
人体模型( HBM )
"2.5
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
4.最大封装功耗限值不得超过。
http://onsemi.com
5