NCP5424
双同步
降压控制器，具有输入
电流共享
该NCP5424是一个灵活的双N通道同步降压
控制器采用V
2
t
控制实现快速瞬态响应和
出色的线路和负载调节。这可高度灵活的控制器
被配置为绘制的单个的两相输出变换器
从两个不同的输入电压的可编程的量的电流或
目前所有的供应商之一。的NCP5424还可以配置为
异相的两个独立的控制器。
在当前共享输入配置使用NCP5424是理想
为在那里需要更多的功率比应用程序可从
一个电源，如视频卡或其他插件板。当
配置为双输出控制器，一个控制器的输出可以
进行分频，并作为第二控制器的参考。
这个跟踪能力是在诸如双数据有用
速率（DDR ）内存供电，其中终止电压必须跟踪
VDD 。
该NCP5424提供了一个周期到周期电流限制
2控制器使系统处理瞬时过流
事件和控制器1打嗝模式过流保护
允许无损短路保护。此外， NCP5424
提供软启动，欠压闭锁，以及内置的自适应FET
非重叠时间通过，以防止拍摄。
特点
http://onsemi.com
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
引脚连接和
标记图
1
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
是“
V
FB1
COMP1
16
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
IS+2
V
FB+2
V
FB2
COMP2
NCP5424
AWLYWW
打嗝模式电流限制（控制器1 ）
周期对周期电流限制（控制器2 ）
可编程软启动
100 ％占空比为增强瞬态响应
150 kHz至600 kHz的可编程频率工作
开关频率设置由单个电阻器
乱相的通道之间的同步减少
输入滤波器要求
欠压锁定
无铅包可用*
应用
A
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NCP5424D
NCP5424DG
NCP5424DR2
NCP5424DR2G
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
视频图形卡
DDR内存
高电流（两相）电源
双输出DC- DC转换器
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号：
NCP5424/D
NCP5424
最大额定值
等级
工作结温，T
J
存储温度范围，T
S
ESD敏感性（人体模型）
封装热阻， SOIC -16 ：
焊接温度焊接：
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
-65到+150
2.0
28
115
230峰
单位
°C
°C
kV
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
第二个最大以上183℃一60 。
最大额定值
引脚符号
V
CC
COMP1 ， COMP2
V
FB1
, V
FB+2
, V
FB2
BST
R
OSC
GATE(H)1
,
GATE(H)2
GATE(L)1
,
GATE(L)2
GND
IS + 1 ， IS + 2
是“
引脚名称
IC电源输入
补偿电容通道1或2
电压反馈输入通道1或2
电源输入为GATE （H）的1 ，2-
振荡器电阻
通道1或2高边FET驱动器
通道1或2个低边FET驱动器
地
正电流检测通道1或2
负电流检测通道1和2
V
最大
16 V
4.0 V
5.0 V
20 V
4.0 V
20 V
16 V
0V
6.0 V
6.0 V
V
民
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
0.3 V
0.3 V
I
来源
不适用
1.0毫安
1.0毫安
不适用
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
I
SINK
1.5 A峰值， 200毫安DC
3.5毫安
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
不适用
1.0毫安
1.0毫安
封装引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
是“
V
FB1
COMP1
高边开关FET驱动器引脚通道1 。
低侧同步FET驱动器引脚通道1 。
接地引脚包含在IC的所有电路。该引脚内部接合到集成电路的基片上。
电源输入GATE （H） 1和GATE （H ） 2针。
正输入通道1过流比较器。
负输入通道1和2过流比较器。
误差放大器的反相输入端进行信道1 。
通道1误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器补偿。
同样的电容提供了软启动时间为通道1 ，此引脚也将关闭这个通道1输出时，拉
低于0.3 V.
通道2误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器补偿
和软启动时间为通道2通道2的输出被禁止时，该引脚被拉低至0.3 V.
误差放大器的反相输入端进行信道2 。
误差放大器的同相输入通道2 。
正输入通道2过流比较器。
振荡器频率引脚。此引脚与地之间的电阻设置振荡器频率。
输入电源引脚。
低侧同步FET驱动器引脚通道2 。
高边开关FET驱动器引脚通道2 。
功能
9
10
11
12
13
14
15
16
COMP2
V
FB2
V
FB+2
IS+2
R
OSC
V
CC
GATE(L)2
GATE(H)2
http://onsemi.com
3
NCP5424
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
MF，
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
V
FB1(2)
输入范围
COMP1,2源电流
COMP1,2灌电流
参考电压1 （2）
COMP1,2最大电压
COMP1,2最小电压
开环增益
单位增益带宽度
PSRR 1.0 kHz时
跨
输出阻抗
输入失调，误差放大器。 2
误差放大器。 2共模范围
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间
测量： V
CC
- 门控（L） 1,2;
BST - 门（H）的1,2;注2
措施： GATE （ L） 1,2或GATE （H ） 1,2;注2
1.0 V < GATE （ L） 1,2 < V
CC
1.0 V
1.0 V < GATE （H ） 1,2 < BST - 1.0 V，
BST
≤
14 V
V
CC
- 1.0 > GATE （ L） 1,2 > 1.0 V
BST - 1.0 > GATE （H ） 1,2 > 1.0 V，
BST
≤
14 V
GATE （H ） 1,2 < 2.0 V， GATE （ L） 1,2 > 2.0 V
BST
≤
14 V
GATE （ L） 1,2 < 2.0 V， GATE （H ） 1,2 > 2.0 V ;
BST
≤
14 V
电阻到GND
注2
0
0
20
0.5
0.5
50
V
V
ns
注2
V
FBX
= 0 V
注2
COMP1,2 = 1.2 V至2.5 V ; V
FB1(2)
= 0.8 V
COMP1,2 = 1.2 V ; V
FB1(2)
= 1.2 V
COMP1 = V
FB1
; COMP2 = V
FB2
V
FB1(2)
= 0.8 V
V
FB1(2)
= 1.2 V
0
15
15
0.980
3.0
3.0
1.75
0.5
30
30
1.000
3.3
0.25
95
40
70
32
2.5
0
2.0
1.6
1.1
60
60
1.020
0.35
3.0
mA
V
mA
mA
V
V
V
dB
千赫
dB
mmho
MW
mV
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
下降时间
15
50
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
门（H） 1（2）和GATE （L）的1（2）
下拉。
PWM比较器
PWM比较器的失调
人造斜坡
最小脉冲宽度
20
20
50
40
40
125
70
70
280
ns
ns
kW
V
FB1(2)
= 0 V ;增加COMP1,2直到
GATE （H ） 1,2启动开关
占空比= 50 ％ ，注2
注2
0.30
60
0.40
105
0.50
150
300
V
mV
ns
2.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
http://onsemi.com
4
NCP5424
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
MF，
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位差
电源电流
V
CC
当前
BST电流
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
GATE （H ）开关; COMP1,2充电
GATE （H ）不切换; COMP1,2放电
起止
7.8
7.0
0.5
8.6
7.8
0.8
9.4
8.6
1.5
V
V
V
COMP1,2 = 0 V （无转换）
COMP1,2 = 0 V （无转换）
13
3.5
17
6.0
mA
mA
R
OSC
= 61.9 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K表;测量门（H ） 1
R
OSC
= 15.1 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K，注3
112
250
450
0.970
150
300
600
1.000
180
188
350
750
1.030
千赫
千赫
千赫
V
°
测试条件
民
典型值
最大
单位
打嗝模式过电流保护（控制器1 ）
OVC比较器的失调电压
放电阈值
IS + 1偏置电流
IS-偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP1放电电流
COMP1 = 1.0 V
0 V < IS + 1 < 5.5 V
0 V < IS- < 5.5 V
0 V < IS + 1 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
55
0.20
1.0
2.0
0
2.0
70
0.25
0.1
0.2
5.0
85
0.30
1.0
2.0
5.5
8.0
mV
V
mA
mA
V
mA
周期对周期电流限制（控制器2 ）
OVC比较器的失调电压
IS + 2偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP2放电电流
COMP = 1.0 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V
55
1.0
0
0.3
70
0.1
1.2
85
1.0
5.5
3.5
mV
mA
V
mA
3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。
http://onsemi.com
5
NCP5424
双同步
降压控制器，具有输入
电流共享
该NCP5424是一个灵活的双N沟道同步降压
控制器采用V
2
控制实现快速瞬态响应和
出色的线路和负载调节。这可高度灵活的控制器
被配置为绘制的单个的两相输出变换器
从两个不同的输入电压的可编程的量的电流或
目前所有的供应商之一。的NCP5424还可以配置为
异相的两个独立的控制器。
在当前共享输入配置使用NCP5424是理想
为在那里需要更多的功率比应用程序可从
一个电源，如视频卡或其他插件板。当
配置为双输出控制器，一个控制器的输出可以
进行分频，并作为第二控制器的参考。
这个跟踪能力是在诸如双数据有用
速率（DDR ）内存供电，其中终止电压必须跟踪
VDD 。
该NCP5424提供了一个用于─的逐周期电流限制
2控制器使系统处理瞬时过流
事件和控制器1打嗝模式过流保护
允许无损短路保护。此外， NCP5424
提供了软启动，欠压闭锁，以及内置的自适应FET
非重叠时间通过，以防止拍摄。
特点
http://onsemi.com
SO-16
后缀
CASE 751B
1
16
引脚连接和
标记图
1
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
IS-IS
V
FB1
COMP1
16
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
IS+2
V
FB+2
V
FB- 2
COMP2
NCP5424
AWLYWW
打嗝模式电流限制（控制器1 ）
周期对周期电流限制（控制器2 ）
可编程软启动
100 ％占空比为增强瞬态响应
150 kHz至600 kHz的可编程频率工作
开关频率设置由单个电阻器
乱相的通道之间的同步减少
输入滤波器要求
欠压锁定
应用
A
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NCP5424D
NCP5424DR2
包
SO-16
SO-16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
视频图形卡
DDR内存
高电流（两相）电源
双输出DC- DC转换器
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年6月 - 第3版
出版订单号：
NCP5424/D
NCP5424
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
V
FB1(2)
输入范围
COMP1,2源电流
COMP1,2灌电流
参考电压1 （2）
COMP1,2最大电压
COMP1,2最小电压
开环增益
单位增益带宽度
PSRR 1.0 kHz时
跨
输出阻抗
输入失调，误差放大器。 2
误差放大器。 2共模范围
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间
测量： V
CC
- 门控（L） 1,2;
BST - 门（H）的1,2;注2
措施： GATE （ L） 1,2或GATE （H ） 1,2;注2
1.0 V < GATE （ L） 1,2 < V
CC
- 1.0 V
1.0 V < GATE （H ） 1,2 < BST - 1.0 V，
BST
≤
14 V
V
CC
- 1.0 > GATE （ L） 1,2 > 1.0 V
BST - 1.0 > GATE （H ） 1,2 > 1.0 V，
BST
≤
14 V
GATE （H ） 1,2 < 2.0 V， GATE （ L） 1,2 > 2.0 V
BST
≤
14 V
GATE （ L） 1,2 < 2.0 V， GATE （H ） 1,2 > 2.0 V ;
BST
≤
14 V
电阻到GND
注2
-
-
-
0
0
20
0.5
0.5
50
V
V
ns
注2
V
FBX
= 0 V
注2
COMP1,2 = 1.2 V至2.5 V ; V
FB1 （ - 2 ）
= 0.8 V
COMP1,2 = 1.2 V ; V
FB1 （ - 2 ）
= 1.2 V
COMP1 = V
FB1
; COMP2 = V
FB- 2
V
FB1 （ - 2 ）
= 0.8 V
V
FB1 （ - 2 ）
= 1.2 V
-
-
-
-
-
-
-
0
15
15
0.980
3.0
-
-
-
-
-
-
-3.0
1.75
0.5
-
30
30
1.000
3.3
0.25
95
40
70
32
2.5
0
2.0
1.6
1.1
60
60
1.020
-
0.35
-
-
-
-
-
3.0
-
A
V
A
A
V
V
V
dB
千赫
dB
mmho
M
mV
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
下降时间
-
15
50
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
门（H） 1（2）和GATE （L）的1（2）
下拉。
PWM比较器
PWM比较器的失调
人造斜坡
最小脉冲宽度
20
20
50
40
40
125
70
70
280
ns
ns
k
V
FB1 （ - 2 ）
= 0 V ;增加COMP1,2直到
GATE （H ） 1,2启动开关
占空比= 50 ％ ，注2
注2
0.30
60
-
0.40
105
-
0.50
150
300
V
mV
ns
2.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
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4
NCP5424
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位差
电源电流
V
CC
当前
BST电流
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
GATE （H ）开关; COMP1,2充电
GATE （H ）不切换; COMP1,2放电
起止
7.8
7.0
0.5
8.6
7.8
0.8
9.4
8.6
1.5
V
V
V
COMP1,2 = 0 V （无转换）
COMP1,2 = 0 V （无转换）
-
-
13
3.5
17
6.0
mA
mA
R
OSC
= 61.9 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K表;测量门（H ） 1
R
OSC
= 15.1 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K，注3
-
112
250
450
0.970
-
150
300
600
1.000
180
188
350
750
1.030
-
千赫
千赫
千赫
V
°
测试条件
民
典型值
最大
单位
打嗝模式过电流保护（控制器1 ）
OVC比较器的失调电压
放电阈值
IS + 1偏置电流
IS-偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP1放电电流
COMP1 = 1.0 V
0 V < IS + 1 < 5.5 V
0 V < IS- < 5.5 V
-
0 V < IS + 1 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
-
55
0.20
-1.0
-2.0
0
2.0
70
0.25
0.1
0.2
-
5.0
85
0.30
1.0
2.0
5.5
8.0
mV
V
A
A
V
A
周期对周期电流限制（控制器2 ）
OVC比较器的失调电压
IS + 2偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP2放电电流
COMP = 1.0 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V
-
55
-1.0
0
0.3
70
0.1
-
1.2
85
1.0
5.5
3.5
mV
A
V
mA
3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。
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NCP5424
双同步
降压控制器，具有输入
电流共享
该NCP5424是一个灵活的双N沟道同步降压
控制器采用V
2
控制实现快速瞬态响应和
出色的线路和负载调节。这可高度灵活的控制器
被配置为绘制的单个的两相输出变换器
从两个不同的输入电压的可编程的量的电流或
目前所有的供应商之一。的NCP5424还可以配置为
异相的两个独立的控制器。
在当前共享输入配置使用NCP5424是理想
为在那里需要更多的功率比应用程序可从
一个电源，如视频卡或其他插件板。当
配置为双输出控制器，一个控制器的输出可以
进行分频，并作为第二控制器的参考。
这个跟踪能力是在诸如双数据有用
速率（DDR ）内存供电，其中终止电压必须跟踪
VDD 。
该NCP5424提供了一个用于─的逐周期电流限制
2控制器使系统处理瞬时过流
事件和控制器1打嗝模式过流保护
允许无损短路保护。此外， NCP5424
提供了软启动，欠压闭锁，以及内置的自适应FET
非重叠时间通过，以防止拍摄。
特点
http://onsemi.com
SO-16
后缀
CASE 751B
1
16
引脚连接和
标记图
1
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
IS-IS
V
FB1
COMP1
16
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
IS+2
V
FB+2
V
FB- 2
COMP2
NCP5424
AWLYWW
打嗝模式电流限制（控制器1 ）
周期对周期电流限制（控制器2 ）
可编程软启动
100 ％占空比为增强瞬态响应
150 kHz至600 kHz的可编程频率工作
开关频率设置由单个电阻器
乱相的通道之间的同步减少
输入滤波器要求
欠压锁定
应用
A
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NCP5424D
NCP5424DR2
包
SO-16
SO-16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
视频图形卡
DDR内存
高电流（两相）电源
双输出DC- DC转换器
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年6月 - 第3版
出版订单号：
NCP5424/D
NCP5424
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
V
FB1(2)
输入范围
COMP1,2源电流
COMP1,2灌电流
参考电压1 （2）
COMP1,2最大电压
COMP1,2最小电压
开环增益
单位增益带宽度
PSRR 1.0 kHz时
跨
输出阻抗
输入失调，误差放大器。 2
误差放大器。 2共模范围
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间
测量： V
CC
- 门控（L） 1,2;
BST - 门（H）的1,2;注2
措施： GATE （ L） 1,2或GATE （H ） 1,2;注2
1.0 V < GATE （ L） 1,2 < V
CC
- 1.0 V
1.0 V < GATE （H ） 1,2 < BST - 1.0 V，
BST
≤
14 V
V
CC
- 1.0 > GATE （ L） 1,2 > 1.0 V
BST - 1.0 > GATE （H ） 1,2 > 1.0 V，
BST
≤
14 V
GATE （H ） 1,2 < 2.0 V， GATE （ L） 1,2 > 2.0 V
BST
≤
14 V
GATE （ L） 1,2 < 2.0 V， GATE （H ） 1,2 > 2.0 V ;
BST
≤
14 V
电阻到GND
注2
-
-
-
0
0
20
0.5
0.5
50
V
V
ns
注2
V
FBX
= 0 V
注2
COMP1,2 = 1.2 V至2.5 V ; V
FB1 （ - 2 ）
= 0.8 V
COMP1,2 = 1.2 V ; V
FB1 （ - 2 ）
= 1.2 V
COMP1 = V
FB1
; COMP2 = V
FB- 2
V
FB1 （ - 2 ）
= 0.8 V
V
FB1 （ - 2 ）
= 1.2 V
-
-
-
-
-
-
-
0
15
15
0.980
3.0
-
-
-
-
-
-
-3.0
1.75
0.5
-
30
30
1.000
3.3
0.25
95
40
70
32
2.5
0
2.0
1.6
1.1
60
60
1.020
-
0.35
-
-
-
-
-
3.0
-
A
V
A
A
V
V
V
dB
千赫
dB
mmho
M
mV
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
下降时间
-
15
50
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
门（H） 1（2）和GATE （L）的1（2）
下拉。
PWM比较器
PWM比较器的失调
人造斜坡
最小脉冲宽度
20
20
50
40
40
125
70
70
280
ns
ns
k
V
FB1 （ - 2 ）
= 0 V ;增加COMP1,2直到
GATE （H ） 1,2启动开关
占空比= 50 ％ ，注2
注2
0.30
60
-
0.40
105
-
0.50
150
300
V
mV
ns
2.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
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4
NCP5424
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K，C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ，C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的，V
FB+2
= 1.0 V ;除非另有规定）。
特征
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位差
电源电流
V
CC
当前
BST电流
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
GATE （H ）开关; COMP1,2充电
GATE （H ）不切换; COMP1,2放电
起止
7.8
7.0
0.5
8.6
7.8
0.8
9.4
8.6
1.5
V
V
V
COMP1,2 = 0 V （无转换）
COMP1,2 = 0 V （无转换）
-
-
13
3.5
17
6.0
mA
mA
R
OSC
= 61.9 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K表;测量门（H ） 1
R
OSC
= 15.1 K表;测量门（H ） 1 ;注3
R
OSC
= 30.9 K，注3
-
112
250
450
0.970
-
150
300
600
1.000
180
188
350
750
1.030
-
千赫
千赫
千赫
V
°
测试条件
民
典型值
最大
单位
打嗝模式过电流保护（控制器1 ）
OVC比较器的失调电压
放电阈值
IS + 1偏置电流
IS-偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP1放电电流
COMP1 = 1.0 V
0 V < IS + 1 < 5.5 V
0 V < IS- < 5.5 V
-
0 V < IS + 1 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
-
55
0.20
-1.0
-2.0
0
2.0
70
0.25
0.1
0.2
-
5.0
85
0.30
1.0
2.0
5.5
8.0
mV
V
A
A
V
A
周期对周期电流限制（控制器2 ）
OVC比较器的失调电压
IS + 2偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP2放电电流
COMP = 1.0 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V ， 0 V < IS- < 5.5 V
0 V < IS + 2 < 5.5 V
-
55
-1.0
0
0.3
70
0.1
-
1.2
85
1.0
5.5
3.5
mV
A
V
mA
3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。
http://onsemi.com
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