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NCP5359
栅极驱动器的笔记本电脑
动力系统
的NCP5359是一种高性能的双MOSFET的栅极驱动器
优化,以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。每个驱动器可以
驱动多达3 nF的负载为25 ns的传播延迟和20 ns的
过渡时间。
自适应非重叠和节能操作电路可以
提供低开关损耗和笔记本电脑高效率的解决方案
和桌面系统。
高浮顶驱动程序的设计可以容纳VBST电压
高达35 V,具有瞬态电压高达35 V.双向
EN引脚可以提供一个故障信号给控制器,当栅极驱动器
OVP下的故障检测, UVLO发生。此外,欠压锁定
功能保证输出为低电平时,电源电压低时,
和热关断功能提供了与IC
过热保护。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
N5359
ALYW
G
1
DFN10
MN后缀
CASE 485C
A
L
Y
W
G
N5359
ALYW
G
更快的上升和下降时间
热关断保护
自适应非重叠电路
浮顶驱动升压容纳高达35 V电压
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM 11.1规格
欠压锁定
操作在轻省电负载条件
热增强型封装
这些无铅器件
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
BST
PWM
EN
V
CC
1
BST
PWM
EN
V
CC
V
CC
( TOP VIEW )
10
DRVH
SW
GND
GND
DRVL
1
8
DRVH
SW
GND
DRVL
典型应用
电源解决方案的台式机和笔记本电脑系统
订购信息
设备
NCP5359DR2G
NCP5359MNR2G
SOIC8
(无铅)
DFN10
(无铅)
航运
2500磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年2月
第3版
1
出版订单号:
NCP5359/D
NCP5359
BST
VCC
CHIPEN
电平转换
司机
DRVH
EN
故障
PWM
DRVH比较
PWM > 2.2 V = 1 ,否则为0
下降沿延迟
1.0 V
UVLO
热关断
FPWM比较
0.8 V < < PWM 2.2 V = 1 ,
否则为0
EN
PRE
\u003c OVER
电压
预OV
2 V/1 V
下降沿延迟
R
Q
S
Q
司机
预OV
+
故障
CHIPEN
SW
1毫伏
l
+
+
CHIPEN
GND
V
CC
DRVL
图1.内部框图
http://onsemi.com
2
+
+
l
SW
l
+
GND
NCP5359
4 V至15 V
*选项
BST
PWM
EN
PWM
EN
VCC
10 V至13.2 V
VCC
DRVH
SW
GND
GND
DRVL
VOUT
图2.典型应用
引脚说明
SOIC8
1
2
DFN10
1
2
符号
BST
PWM
描述
上MOSFET浮动自举电源引脚
PWM输入引脚
当PWM电压高于2.2伏, DRVH将设置为1和DRVL设置为0
当PWM电压低于0.8伏, DRVL将设置为1和DRVH设置为0
当0.8 V < < PWM 2.2 V和SW < 0 , DRVL将设置为1
当0.8 V < < PWM 2.2 V和SW > 0 , DRVL将设置为0
使能引脚
当OVP , TSD或UVLO已经发生,栅极驱动器将引脚上拉至低电平
连接到输入电源10 V至13.2 V
低侧栅极驱动输出
接地引脚
开关节点引脚
高侧栅极驱动输出
3
4
5
6
7
8
3
4, 5
6
7, 8
9
10
EN
VCC
DRVL
GND
SW
DRVH
http://onsemi.com
3
NCP5359
最大额定值
等级
热特性,塑料包装
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
SOIC8
DFN10
SOIC8
DFN10
符号
R
qJA
价值
178
45
0到+150
0至+85
55 150
3
1
单位
° C / W
T
J
T
A
T
英镑
MSL
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
最大额定值
引脚符号
VCC
BST
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
V
最大
15 V
35 V WRT / GND
40 V
50纳秒WRT / GND
15V WRT / SW
35 V WRT / GND
40 V
50纳秒WRT / GND
BST + 0.3 V
35 V
50纳秒WRT / GND
15V WRT / SW
VCC + 0.3 V
6V
6V
0V
V
0.3
V
0.3
V
SW
DRVH
开关节点
(自举电源回路)
高边驱动器输出
1
VDC
10
V( 200纳秒) (注4 )
0.3
V
2
V( 200纳秒)
0.3
V
5
V( 200纳秒)
0.3
V
0.3
V
0V
DRVL
PWM
EN
GND
低端驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
使能引脚
1.闭锁电流最大额定值:根据JEDEC标准的100 MA: JESD78 。
2.潮湿敏感度等级( MSL ) : 1&3根据IPC / JEDEC标准: J- STD- 020A 。
3.最大封装功耗限值不得超过。
PD
+
4.开关节点的负电压
5
V( 200纳秒)在PSI模式。
注:此设备ESD敏感。操作时,请使用标准的ESD防护措施。
TJ(MAX)
*
TA
Rqja
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4
NCP5359
电气特性
(V
CC
= 12 V ,T
A
= 0 ° C至+ 85°C ,V
EN
= 5V ,除非另有说明)
特征
电源电压
V
CC
工作电压
上电复位门限
电源电流
V
CC
在静态电源电流
正常工作
V
CC
待机电流
在BST静态电源电流
正常工作
BST待机电流
欠压锁定
V
CC
启动阈值
V
CC
UVLO迟滞
输出过压跳闸阈值时
启动
EN输入
输入电压高
输入电压低
迟滞(注5 )
使能引脚吸收电流
传播延迟时间(注5 )
PWM输入
DRVH比较器的阈值下降
PWM输入自偏置电压
DRVL比较器的阈值上升
输入电流
高端驱动器
输出阻抗,采购
输出电阻,下沉
转换时间(注7 )
传播延迟(注5 & 6 )
低侧驱动器
输出阻抗,采购
输出电阻,下沉
转换时间(注7 )
传播延迟(注5 & 6 )
负电流检测门限
热关断
热关断
热关断迟滞
TSD
TSD
HYS
(注7 )
(注7 )
150
170
20
°C
°C
R
H_BG
R
L_BG
tr
DRVL
tf
DRVL
tPDH时间
DRVL
保持tPDL
DRVL
V
NCDT
SW = GND
SW = V
CC
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
驱动高,C
负载
= 3 nF的
驱动低,C
负载
= 3 nF的
(注7 )
10
8.0
1.0
2.0
1.0
16
11
3.5
2.5
25
15
35
30
mV
ns
W
W
ns
R
H_TG
R
L_TG
tr
DRVH
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
保持tPDL
DRVH
V
BST
– V
SW
= 12 V
V
BST
– V
SW
= 12 V
C
负载
= 3 NF, V
BST
– V
SW
= 12 V
C
负载
= 3 NF, V
BST
– V
SW
= 12 V
驱动高,C
负载
= 3 nF的
驱动低,C
负载
= 3 nF的
10
8.0
2.0
1.0
16
11
3.5
2.5
25
15
35
30
ns
W
W
ns
VTH_DRVH
V
PWM
VTH_DRVL
I
PWM
PWM = 0 V , EN = GND
30
2.2
1.4
1.5
1.6
0.8
V
V
V
mA
V
EN_HI
V
EN_LOW
V
EN_HYS
I
EN_SINK
tPD的
HEN
tPD的
LEN
V
CC
= 5.5 V
5.0
20
20
60
60
500
2.0
1.0
V
V
mV
mA
ns
ns
VCC
TH
VCC
HYS
OVPSU
电源启动时间,V
CC
> 9 V.
(不修剪)
1.8
8.2
8.7
1.0
2.0
9.5
V
V
V
I
VCC_NORM
I
VCC_SBC
I
BST1_normal
I
BST2_normal
I
BST1_SD
I
BST2_SD
EN = 5 V , PWM = OSC ,女
SW
= 100 k
C
负载
= 0 p
EN = GND ;不转换
PWM = +5 V, SW = 0 V
PWM = GND , SW = 0 V
PWM = + 5V
PWM = GND
2.0
0.5
1.0
1.0
0.25
0.25
5.0
1.0
1.8
1.8
mA
mA
mA
mA
V
CC
V
POR
10
2.8
13.2
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
5.由设计保证;在生产中测试。
6.对于传播延迟, “T
PDH
“指的是指定的信号变为高电平”吨
PDL
“指的是它要低。
7.设计保证。
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5
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    NCP5359
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    -
    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NCP5359
ON/安森美
21+
8500
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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