NCP5351
4同步降压
功率MOSFET驱动器
的NCP5351是优化的，以驱动双MOSFET的栅极驱动器
高边和低边功率MOSFET的一门
同步降压转换器。该NCP5351是一个很好的
同伴多相控制器不具有集成门
驱动程序，如安森美半导体的CS5323 ， CS5305和CS5307 。
这种架构提供了一个电源设计人员能够灵活地
定位接近MOSFET的栅极驱动器。
在4.0的驱动能力，使NCP5351适用于最小化
开关损耗的MOSFET中具有较大的输入电容。优化
内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关
通过防止两个MOSFET同时导通损耗。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳MOSFET的漏极
电压高达25V。两个门输出可以驱动低，
电源电流降低至小于25
毫安，
通过施加低逻辑
水平使能（EN ）引脚。欠压锁定功能
确保两个驱动器输出为低电平时，电源电压是
低，热关断功能提供了与IC
过热保护。
该NCP5351引脚对引脚与SC1205兼容，
可在一个标准的SO- 8封装，热增强型
QFN10.
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
QFN10
MN后缀
CASE 485C
A
L
Y
W
10
5351
ALYW
1
5351
ALYW
1
4.0 A峰值驱动电流
上升和下降时间< 15 ns典型为6000 pF的
从输入传输延迟到输出< 20纳秒
自适应非重叠时间优化的大功率MOSFET
浮顶驱可容纳应用程序多达25 V
欠压锁定，以防止切换时的输入
电压是低
热关断保护，防止过热
< 1.0毫安静态电流 - 已启用
25
mA
静态电流 - 禁用
内部TG至DRN下拉电阻防止高压电源诱导
开启高边MOSFET
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRN
TG
BST
CO
QFN10
1
DRN
TG
N / C
BST
CO
10
GND
BG
N / C
V
S
EN
1
SO8
8
保护地
BG
V
S
EN
订购信息
设备
NCP5351D
NCP5351DR2
NCP5351MNR2
包
SO8
SO8
QFN10
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 9牧师
出版订单号：
NCP5351/D
NCP5351
封装引脚说明
引脚数
SO8
1
2
3
QFN10
1
2
4
引脚符号
DRN
TG
BST
描述
常见的高侧和低侧FET的交换节点。高侧（TG） driv-
ER和电源（ BST ）被引用到该引脚。
驱动器输出的高侧MOSFET的栅极。
自举电源电压输入。与肖特基二极管与V一起
S
, a 0.1
mF
to
1.0
mF
陶瓷电容连接BST和DRN之间产生电压
用于高侧驱动器（TG） 。
逻辑电平控制输入产生互补输出状态 - 没有反转的TG ;
反转的BG 。
未连接。
逻辑电平使能输入力TG和BG低，电源电流为10
mA
当
EN为低。
电源输入。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容应连接
这个引脚PGND 。
驱动器输出到低侧（同步整流） MOSFET的栅极。
地面上。
地面上。
4
5
6
7
8
5
3, 8
6
7
9
10
CO
N / C
EN
V
S
BG
保护地
GND
http://onsemi.com
3
NCP5351
最大额定值
等级
工作结温，T
J
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
存储温度范围，T
S
焊接温度焊接：
MSL等级
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
内部限制
45
165
-65到150
230峰
1
单位
°C
° C / W
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最上面的183℃ 1. 60秒。
最大额定值
引脚符号
V
S
BST
DRN
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
输入
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
（门顶）
低边驱动器输出
（底栅）
TG & BG控制输入
使能输入
地
V
最大
6.3 V
25 V WRT /地线
6.3 V WRT / DRN
25 V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / DRN
-1.0 V DC
-5.0 V为100纳秒
-6.0 V 20纳秒
0.3 V WRT / DRN
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
I
来源
NA
NA
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
I
SINK
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
NA
TG
BG
CO
EN
保护地
注意：
25 V WRT /地线
6.3 V WRT / DRN
6.3 V
6.3 V
6.3 V
0V
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
NA
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
http://onsemi.com
4
NCP5351
4同步降压
功率MOSFET驱动器
的NCP5351是优化的，以驱动双MOSFET的栅极驱动器
高边和低边功率MOSFET的一门
同步降压转换器。该NCP5351是一个很好的
同伴多相控制器不具有集成门
驱动程序，如安森美半导体的CS5323 ， CS5305和CS5307 。
这种架构提供了一个电源设计人员能够灵活地
定位接近MOSFET的栅极驱动器。
在4.0的驱动能力，使NCP5351适用于最小化
开关损耗的MOSFET中具有较大的输入电容。优化
内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关
通过防止两个MOSFET同时导通损耗。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳MOSFET的漏极
电压高达25V。两个门输出可以驱动低，
电源电流降低至小于25
毫安，
通过施加低逻辑
水平使能（EN ）引脚。欠压锁定功能
确保两个驱动器输出为低电平时，电源电压是
低，热关断功能提供了与IC
过热保护。
该NCP5351引脚对引脚与SC1205兼容，
可在一个标准的SO- 8封装，热增强型
QFN10.
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
QFN10
MN后缀
CASE 485C
A
L
Y
W
10
5351
ALYW
1
5351
ALYW
1
4.0 A峰值驱动电流
上升和下降时间< 15 ns典型为6000 pF的
从输入传输延迟到输出< 20纳秒
自适应非重叠时间优化的大功率MOSFET
浮顶驱可容纳应用程序多达25 V
欠压锁定，以防止切换时的输入
电压是低
热关断保护，防止过热
< 1.0毫安静态电流 - 已启用
25
mA
静态电流 - 禁用
内部TG至DRN下拉电阻防止高压电源诱导
开启高边MOSFET
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRN
TG
BST
CO
QFN10
1
DRN
TG
N / C
BST
CO
10
GND
BG
N / C
V
S
EN
1
SO8
8
保护地
BG
V
S
EN
订购信息
设备
NCP5351D
NCP5351DR2
NCP5351MNR2
包
SO8
SO8
QFN10
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 9牧师
出版订单号：
NCP5351/D
NCP5351
封装引脚说明
引脚数
SO8
1
2
3
QFN10
1
2
4
引脚符号
DRN
TG
BST
描述
常见的高侧和低侧FET的交换节点。高侧（TG） driv-
ER和电源（ BST ）被引用到该引脚。
驱动器输出的高侧MOSFET的栅极。
自举电源电压输入。与肖特基二极管与V一起
S
, a 0.1
mF
to
1.0
mF
陶瓷电容连接BST和DRN之间产生电压
用于高侧驱动器（TG） 。
逻辑电平控制输入产生互补输出状态 - 没有反转的TG ;
反转的BG 。
未连接。
逻辑电平使能输入力TG和BG低，电源电流为10
mA
当
EN为低。
电源输入。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容应连接
这个引脚PGND 。
驱动器输出到低侧（同步整流） MOSFET的栅极。
地面上。
地面上。
4
5
6
7
8
5
3, 8
6
7
9
10
CO
N / C
EN
V
S
BG
保护地
GND
http://onsemi.com
3
NCP5351
最大额定值
等级
工作结温，T
J
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
存储温度范围，T
S
焊接温度焊接：
MSL等级
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
内部限制
45
165
-65到150
230峰
1
单位
°C
° C / W
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最上面的183℃ 1. 60秒。
最大额定值
引脚符号
V
S
BST
DRN
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
输入
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
（门顶）
低边驱动器输出
（底栅）
TG & BG控制输入
使能输入
地
V
最大
6.3 V
25 V WRT /地线
6.3 V WRT / DRN
25 V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / DRN
-1.0 V DC
-5.0 V为100纳秒
-6.0 V 20纳秒
0.3 V WRT / DRN
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
I
来源
NA
NA
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
I
SINK
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
NA
TG
BG
CO
EN
保护地
注意：
25 V WRT /地线
6.3 V WRT / DRN
6.3 V
6.3 V
6.3 V
0V
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
4.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
NA
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
http://onsemi.com
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QQ：2881677436 复制
