【NCP5304高电压，高和低侧驱动器该NCP5304是高压功率门驱动器提供两个了2个N沟道功率MOS】,IC型号NCP5304DR2G,NCP5304DR2G PDF资料,NCP5304DR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NCP5304

高电压，高和低

侧驱动器

该NCP5304是高压功率门驱动器提供两个

了2个N沟道功率MOSFET或IGBT直接驱动输出

布置在半桥式配置。

它使用自举技术，以保证的一个适当的驱动器

高侧电源开关。该驱动程序适用于2个独立的输入

交叉传导保护。

特点

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记号

图表

SOIC-8

后缀

CASE 751

P5304

ALYW

高电压范围：最高可达600 V

的dV / dt抗扰性

±50

V / ns的

栅极驱动电压范围为10 V至20 V

高和低驱动输出

输出源出/吸入电流能力250毫安/ 500毫安

3.3 V和5 V输入逻辑兼容

高达V

秋千上的输入引脚

两个通道之间的匹配传播延迟

同相输入输出

交叉传导保护100 ns的内部固定死区时间

在V

锁定（UVLO ）两个通道

引脚对引脚兼容行业标准

这些无铅器件

PDIP-8

P后缀

CASE 626

NCP5304

L或WL

Y或YY

W或WW

G或

NCP5304

AWLG

YYWW

典型应用

半桥式功率转换器

全桥转换器

=具体设备守则

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

= Pb-Free包装

引线的信息

IN_LO

IN_HI

VCC

GND

VBOOT

DRV_HI

桥

DRV_LO

8引脚封装

订购信息

设备

NCP5304PG

NCP5304DR2G

包

PDIP-8

（无铅）

航运

50单位/铁

SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年7月 - 第1版

出版订单号：

NCP5304/D

NCP5304

VBULK

GND

IN_LO VBOOT

IN_HI DRV_HI

VCC

桥

GND DRV_LO

NCP5304

GND

OUT-

OUT +

GND

VCC

NCP1395

GND

图1.典型应用谐振转换器（ LLC型）

VBULK

GND

IN_LO VBOOT

IN_HI DRV_HI

VCC

桥

GND DRV_LO

NCP5304

GND

OUT-

OUT +

GND

VCC

NCP1395

GND

图2.典型应用半桥转换器

VCC

IN_HI

检测

脉冲

TRIGGER

水平

移

S Q

R Q

检测

VBOOT

DRV_HI

桥

VCC

GND

交

传导

预防

GND

IN_LO

延迟

DRV_LO

GND

图3.详细功能模块图

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NCP5304

引脚说明

PIN号

引脚名称

IN_LO

IN_HI

VCC

GND

DRV_LO

桥

DRV_HI

VBOOT

在相低侧驱动器输出逻辑输入

在阶段高侧驱动器输出逻辑输入

低侧和主电源

地

低侧栅极驱动输出

引导退货或高侧浮动电源返回

高侧栅极驱动输出

自举电源

引脚功能

最大额定值

等级

CC_transient

桥

自举

桥

DRV_HI

DRV_LO

桥

/ DT

IN_xx

主电源电压

主瞬态电源电压：

CC_MAX

= 5时10毫秒毫安

VHV ：高压桥脚

VHV ：浮动电源电压

VHV ：高侧输出电压

低侧输出电压

允许输出摆率

输入IN_HI ， IN_LO

ESD能力：

- HBM模型（除销6-7-8中的8个引脚的所有引脚

封装或14引脚封装11-12-13 ）

- 机器型号（除销6-7-8中的8个引脚的所有引脚

封装或14引脚封装11-12-13 ）

闭锁根据JEDEC JESD78能力

qJA

功耗和热特性

PDIP - 8 ：热阻，结到空气

SO - 8 ：热阻，结到空气

工作结温

° C / W

100

178

-55

+150

°C

符号

价值

-0.3 20

-1 600

-0.3 20

桥

- 0.3

BOOT

+ 0.3

-0.3到V

+ 0.3

-1.0到V

+ 0.3

200

单位

V / ns的

J_min

J- MAX

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

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NCP5304

电气特性

= V

BOOT

= 15 V, V

GND

= V

桥

， -40 ° C＆ LT ;牛逼

< 125 ℃，产出装载为1 nF ）

-40°C至125°C

等级

输出部分

高输出短路脉冲电流V

DRV

= 0 V ， PW

（注1 ）

低输出短路脉冲电流V

DRV

= Vcc时， PW

（注1 ）

输出电阻（典型值@ 25℃）来源

输出电阻（典型值@ 25°C ）漏

高电平输出电压V

BIAS

-V

DRV_XX

@ I

DRV_XX

= 20毫安

低电平输出电压V

DRV_XX

@ I

DRV_XX

= 20毫安

动力输出部分

导通传播延迟（ Vbridge = 0 V）

关断传播延迟（ Vbridge = 0 V或50 V）（注2 ）

输出电压的上升时间（从10 ％到90％ @的Vcc = 15V）与1 nF的负载

输出电压的下降时间（从90 ％至10％ @V

= 15 V） 1 nF的负载

高侧和低侧之间的传播延迟匹配

@ 25°C （注3 ）

内部固定死区时间（注4 ）

最小输入宽度改变输出

最大输入宽度不改变输出

输入段

低电平输入电压阈值

输入上拉下拉电阻（V

< 0.5V）

高电平输入电压阈值

逻辑“1”输入偏置电流@ V

IN_xx

= 5 V @ 25°C

逻辑“0”输入偏置电流@ V

IN_xx

= 0 V @ 25°C

供电部分

VCC UV启动电压阈值

VCC UV关断电压阈值

滞后电压（VCC）

VBOOT启动阈值电压参考引脚的桥梁

（ Vboot_stup = VBOOT - Vbridge ）

VBOOT UV关断电压阈值

滞后于VBOOT

高电压引脚GND漏电流

BOOT

= V

桥

= DRV_HI = 600 V ）

消费在主动模式（VCC = VBOOT ， FSW = 100 kHz和1 nF的负载

这两个驱动器输出）

消费抑制模式（ VCC = VBOOT ）

Vcc的电流消耗抑制模式

VBOOT的电流消耗抑制模式

Vcc_stup

Vcc_shtdwn

Vcc_hyst

Vboot_stup

Vboot_shtdwn

HV-泄漏

ICC1

ICC2

ICC3

ICC4

8.0

7.3

0.3

8.0

7.3

0.3

8.9

8.2

0.7

8.9

8.2

0.7

250

200

9.9

9.1

9.9

9.1

400

IN +

IN-

2.3

200

0.8

2.0

关闭

PW1

PW2

100

170

160

190

DRVSource

DRVSink

DRV_H

DRV_L

250

500

0.7

0.2

1.6

0.6

符号

民

典型值

最大

单位

参数设计保证来

关断传播延迟@ Vbridge = 600 V的设计保证

见表征曲线

Δt

参数变化对全温度范围内。

这两种集成死区时间将mesured和特点。第一，当IN_HI变化（高到低，低到高），而第二

当HI_LO的变化（高到低，低到高）。这些参数表征结果后进行更新。

5.时序图的定义所示：图5和图6所示。

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NCP5304

IN_HI

IN_LO

DRV_HI

DRV_LO

图4.输入/输出时序图

IN_HI

（ IN_LO ）

50%

关闭

90%

DRV_HI

（ DRV_LO ）

10%

图5.传输延迟和上升/下降时间定义

IN_HI

50%

toff_HI

ton_HI

90%

DRV_HI

10%

匹配延迟1 = ton_HI ， ton_LO

匹配延迟2 = toff_HI ， toff_LO

IN_LO

50%

toff_LO

90%

DRV_LO

ton_LO

10%

图6.匹配传播延迟

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