NCP5217A
单同步
降压控制器
该NCP5217A是一个同步降压型控制器，用于高
性能的系统电池电源系统。该NCP5217A
包括一个高效率的PWM控制器。销是为了使
或禁用强制PWM工作模式。内部电源良好
电压监测跟踪SMPS输出。 NCP5217A还具有
软启动序列， UVLO为V
CC
和切换器，过电压
保护，过流保护，欠压保护，
热关断。在IC封装在QFN14 。
特点
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记号
图
N5217
ALYWG
G
0.8 ％的精度0.8 V参考
4.5 V至27 V电池/适配器电压范围
可调输出电压范围： 0.8 V至3.3 V
可选择省电模式/强制PWM模式
无损耗电感电流检测
可编程瞬态响应增强（ TRE ）控制
可编程自适应电压定位（ AVP ）
输入电源前馈控制
内部软启动
集成输出放电（软停止）
内建自适应栅极驱动器
PGOOD指示
过压，欠压和过流保护
热关断
QFN14封装
这些器件是无铅和符合RoHS标准
QFN14
CASE 485AL
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
EN_SKIP
1
CS +
CS- /武
COMP
FB
PGOOD
2
3
4
5
6
7
AGND
8
保护地
BST
14
13 DH
12 SWN
11 IDRP / OCP
10 VCC
9
DL / TRESET
典型应用
笔记本电脑应用
系统电源
QFN14
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NCP5217AMNTXG
包
QFN16
（无铅）
航运
3000 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第1版
1
出版订单号：
NCP5217A/D
NCP5217A
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
EN_SKIP
CS +
CS- /武
COMP
FB
PGOOD
AGND
保护地
DL / TRESET
VCC
IDRP / OCP
SWN
DH
BST
描述
此引脚用作两个功能。启用：启用切换器逻辑控制。 SKIP ：省电
模式（跳跃和强制PWM）可编程引脚。
电感电流差动读出的非反相输入端。
电感电流差动读出反相输入端。
输出误差放大器洱。
输出电压反馈。
输出电压的电源良好指示器。高阻抗（漏极开路） ，如果电源良好（在
调节） 。低阻抗，如果电源不好。
模拟地。
接地参考和高电流返回路径的底部栅极驱动器。
底部的N沟道MOSFET栅极驱动器输出。它还具有功能TRESET 。
供应模拟电路和底部栅极驱动器。
过电流保护和下垂电压可编程引脚。
高端MOSFET和底部MOSFET的开关节点。
顶端的N沟道MOSFET的栅极驱动器输出。
顶部栅极驱动器的输入电源， SWN与该引脚之间的自举电容连接。
绝对最大额定值
等级
VCC电源电压AGND
高侧栅极驱动电源： BST为SWN
高侧栅极驱动电压：卫生署SWN
低侧栅极驱动电源： VCC与PGND
低侧栅极驱动电压： DL与PGND
输入/输出引脚到AGND
开关节点SWN
高侧栅极驱动器/低侧栅极驱动器输出
保护地
热特性
热阻结到环境（ QFN14封装）
工作结温范围（注1 ）
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
符号
VCC
V
BST
V
SWN ，
V
DH
V
SWN ，
VCC = V
保护地，
V
DL
V
保护地，
V
IO
V
SWN
DH ，DL-
V
保护地
R
qJA_QFN14
T
J
T
A
T
英镑
MSL
价值
0.3,
6.0
0.3,
6.0
单位
V
V
0.3,
6.0
5
V（ <为100 ns）
30 V
3(DC)
0.3,
0.3
48
40
到+ 150
40 + 85
55 150
1
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
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3
NCP5217A
电气特性
(V
IN
= 12 V, V
CC
= 5 V ，T
A
=
40°C
到85° C，除非其他说明）
特征
内部软启动
软启动时间
电压误差放大器
DC增益
单位增益带宽
压摆率
FB偏置电流
输出电压摆幅
GAIN_VEA
BW_VEA
SR_VEA
Ibias_FB
Vmax_EA
Vmin_EA
差分电流检测放大器
CS +和CS-共模
输入信号范围
输入偏置电流
输入信号范围
失调电流在IDRP
[ （ CS + ）
（ CS- ） ] ，以IDRP增益
VCSCOM_MAX
CS_IIB
CS_range
IDRP_offset
IDRP_GAIN
（ IDRP / （ （ CS + ）
（ CS- ） ） ）
BW_CS
IDRP_Max
IDRP_Min
I_IDRP
1.0
（ CS + ）
（ CS- ） = 0 V
（ CS + ）
（ CS- ） =
为10 mV ，V （ IDRP ） =
0.8 V
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
请参考AGND
100
70
1.0
0.475
0.425
20
2.5
0
35
0.525
3.5
100
70
1.0
0.575
0.625
兆赫
V
V
mA
V
nA
mV
mA
毫安/ MV
Isource_EA = 2毫安
Isink_EA = 2毫安
3.3
3.5
0.15
0.3
（注2 ）
（注2 ）
COMP引脚与GND = 100 pF的（注2 ）
88
15
2.5
0.1
dB
兆赫
V / ms的
mA
V
T
SS
0.9
1.1
1.3
ms
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
电流检测带宽
IDRP最大输出电压
IDRP最小输出电压
IDRP输出电流
At
3分贝直流增益（注2）
（ CS + ）
（ CS- ）= 70 mV时， ISOURCE下降到
的95％时， V的值
（ IDRP ）
= 0.8 V
过流保护设置
过流阈值（ OCTH ）
检测电流
OC阈值的比例超过
OCSET电压
OCSET电压默认
固定OC阈值
OCSET电压可调
OC阈值
OCSET电压OC禁用
默认固定OC阈值
可调OC门限
I_OCSET
软启动之前， OCP来源，
ROCP = 16.7千瓦，从OCP连接
AGND或FB
V（ （ CS + ）
（ CS- ） ） / V_OCSET
（注2 ）
ROCP
v
2千瓦是从OCP连接
AGND或FB
ROCP = 8.3 25千瓦，从OCP连接
到AGND或FB
ROCP
w
35千瓦是从OCP连接
AGND或FB
（ CS + ） - （ CS - ） ，引脚IDRP / OCP是短路的，以
AGND或FB
（ CS + ） - （ CS - ） ，
在OC门槛，
设置引脚的电压
OCP
VOCSET = 200 mV的
VOCSET = 600 mV的
200
720
35
15
52
40
20
60
45
25
68
21.6
24
26.4
mA
K_OCSET
VOCSET_DFT
VOCSET_ADJ
VOCSET_DIS
V_OCTH_DFT
V_OCTH
（ （ CS + ）
（ CS- ） ）
0.1
100
600
mV
mV
mV
mV
mV
栅极驱动器
卫生署内部上拉电阻
DH上拉电阻低
DL内部上拉电阻
DL上拉电阻低
RH_DH
RL_DH
RH_DL
RL_DL
200毫安源电流
200毫安灌电流
200毫安源电流
200毫安灌电流
2.5
1.5
2
0.75
W
W
W
W
2.通过设计保证，不在生产中测试。
http://onsemi.com
5
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