+ 12V通信电源转换解决方案
符合
+12V
+12V
NIS5102
SMART热插拔
动力
良好
NCP1582
降压控制器
NCP1582
降压控制器
NCP5210
PWM双降压
和线性DDR2
电源控制器
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
1.0 - 1.5V @ 5A
1.0 - 1.5V @ 5A
3.3V @ 3A
2.5V @ 5A
展示
BRD8050/D
第2版， 09月2006年
特定网络阳离子
微处理器内核
北桥
南桥
DDR2内存
计算卡
+12V
多DSP卡
+12V
NIS5102
SMART热插拔
动力
良好
NCP5425
双同步
降压控制器
NTMFS4836N
NTMFS4833N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
MMDF2N02E
1.0V @ 18A
1.5V @ 4A
3.3V @ 1A
DSP核心
FPGA核心，
DSP RAM
FL灰
DSP的I / O ，
FPGA I / O
NCP1582
降压控制器
+12V
+12V
NIS5102
SMART热插拔
动力
良好
NCP5425
双同步
降压控制器
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
NTMFS4707N
NTMFS4837N
1.5V @ 5A
1.8V @ 5A
CS5253B
FPGA核心
DRAM
2.5V @ 2A
2.5V @ 3A
3.3V @ 3A
NCP5425
双同步
降压控制器
收发器
FPGA I / O
交换矩阵卡
全面的电源转换解决方案的夹层卡内的路由器，
交换机和基站
高度集成的器件减少器件数目
强大的热插拔保护包括创新
MOSFET温度传感关机
方法DC-DC转换国家的最先进的
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2006 SCILLC 。安森美半导体和ON标志是Semiconductor Components Industries，LLC的注册商标。
+ 12V通信电源转换解决方案
NIS5102 SMART热插拔
是一种热插拔保护装置+ 12V电路。一个集成的组合
功率MOSFET开关和一个独特的温度感应功能使这个最强大的热插拔IC可用
能。这款高度集成的器件还提供可调电流限制，没有外部分流需要，欠压
年龄和过压锁定，以及一个电源良好指示器。
NCP1582低压同步降压控制器
在电压模式PWM控制器设计用于运行
5 V或12 V电源供电，产生一个输出电压低至0.8 V的功能包括一个0.7 A栅极驱动器和一个
内部设置350 kHz振荡器。该NCP1582还采用外部补偿的跨导
误差放大器和可编程软启动功能。保护功能包括短路保护（ SCP ）
和欠压锁定（ UVLO ） 。
NCP5210 3合1 PWM双降压和线性DDR电源控制器
包含两个同步PWM降压控制 -
LER驱动四个外部N沟道场效应管构成的DDR内存供电电压（ VDDQ ）和MCH调节。
保护功能包括软启动电路，欠压监控5VDUAL和BOOT电压和热
关机。
NCP5425双同步降压控制器
是一个高度灵活的设备与内部栅极驱动器，可以提供
两个独立的输出或者一个高电流输出。这个功能丰富的控制器提供了可调的开关
频率高达750 kHz和±1％的0.8 V基准电压源。
材料清单
安森美半导体
设备
NIS5102QP2HT1G
NCP1582DR2G
NCP5425DBG
NCP5210MNR2G
CS5253B-1GDPR5G
NTMFS4707NT1G
NTMFS4833NT1G
NTMFS4836NT1G
NTMFS4837NT1G
展示
包
PDFN-12
SOIC-8
TSSOP-20
QFN-20
D2PAK
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
供货情况
生产
生产
生产
生产
生产
生产
生产
生产
生产
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NCP5210
3合1 PWM双降压
与线性DDR电源
调节器
该NCP5210 ， 3合1 PWM双降压和线性DDR电源
控制器是MCH和DDR存储器提供完整的电源解决方案。
此IC结合了PWM控制器的效率，为VDDQ
供应和线性的简单MCH的内核电源电压
稳压为VTT终端电压。
该IC包含驱动两个同步PWM降压控制器
四个外部N沟道场效应管构成的DDR内存电压
（ VDDQ ）和MCH调节。 DDR存储器终端
调节器（ VTT）是用来追踪在基准电压的一半
与采购和吸收电流。
保护功能包括软启动电路，欠压
监测5VDUAL和BOOT电压和热关断。
该器件采用热增强型节省空间
QFN -20封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
20
1
NCP5210
AWLYYWW
1
QFN20
MN后缀
CASE 505AB
采用同步PWM降压控制器，为VDDQ和
VMCH
集成功率场效应管与VTT稳压源/汇高达2.0 A
所有的外部功率MOSFET N沟道
可调VDDQ和VMCH通过外部分压器
VTT跟踪一半的参考电压
250千赫VDDQ和VMCH固定开关频率
一倍开关500 kHz的频率为VDDQ控制器
待机模式，以优化电感电流纹波和效率
软启动保护所有控制器
电源电压欠压监控
过电流保护功能的DDQ和VTT稳压器
与ACPI电源定序技术指标完全符合
短路保护防止损坏电源由于
要反向插入DIMM
热关断
5×6 QFN -20封装
无铅包装是可用*
NCP5210 =具体设备守则
A
=大会地点
WL
=晶圆地段
YY
=年
WW
=工作周
引脚连接
COMP
FBDDQ
SS
保护地
VTT
VDDQ
AGND
FBVTT
DDQ_REF
FB1P5
SW_DDQ
BG_DDQ
TG_DDQ
BOOT
5VDUAL
COMP_1P5
BUF_Cut
TG_1P5
BG_1P5
GND_1P5
注：引脚21是散热垫
在装置的底部。
应用
订购信息
设备
NCP5210MNR2
NCP5210MNR2G
包
QFN20
QFN20
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
DDR I和DDR II内存和妇幼保健电源
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 第4版
出版订单号：
NCP5210/D
NCP5210
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
符号
COMP
FBDDQ
SS
保护地
VTT
VDDQ
AGND
FBVTT
DDQ_REF
FB1P5
GND_1P5
BG_1P5
TG_1P5
BUF_Cut
COMP_1P5
5VDUAL
BOOT
TG_DDQ
BG_DDQ
SW_DDQ
TH_PAD
VDDQ误差放大器补偿节点。
DDQ调节反馈引脚。
DDQ和MCH的软启动引脚。
电源地。
VTT稳压器的输出。
输入功率为VTT线性稳压器。
模拟地连接和远程地面的感觉。
VTT稳压器引脚闭环调节。
VTT调节器的参考电压输入。
V1P5开关稳压器的反馈引脚。
电源地为V1P5调节。
栅极驱动器输出V1P5稳压器的低侧N沟道功率场效应管。
栅极驱动器输出V1P5稳压器高侧N沟道功率场效应管。
高电平有效控制信号，启动S3睡眠状态。
V1P5误差放大器补偿节点。
5.0 V双电源输入，这是由欠压锁定电路监视。
栅极驱动器的输入电源，它是由低电压监视锁定电路，和一个升压电容
SWDDQ ，该管脚之间的连接。
栅极驱动器输出DDQ稳压器高侧N沟道功率场效应管。
栅极驱动器输出DDQ稳压器的低侧N沟道功率场效应管。
DDQ调节开关节点和限流检测输入。
在IC底部的铜垫用于散热。该引脚应根据被连接到接地平面
该IC 。
描述
最大额定值
等级
电源电压（引脚16） AGND （引脚7 ）
引导（引脚17 ）为AGND （引脚7 ）
栅极驱动（引脚12 ， 13 ， 18 ， 19 ）到AGND （引脚7 ）
输入/输出引脚AGND （引脚7 ）
引脚1-3 ， 5-6 ， 8-10 ， 14-15 ， 20
PGND （引脚4 ） ， GND_1P5 （引脚11） AGND （引脚7 ）
热特性， QFN- 20塑料包装
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
符号
5VDUAL
BOOT
Vg
价值
0.3, 6.0
0.3, 14
-0.3 DC ，
为-4.0
t100
NS ; 14
0.3, 6.0
0.3, 0.3
35
0至+ 150
0至+ 70
- 55 + 150
2.0
单位
V
V
V
V
IO
V
GND
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
MSL
V
V
° C / W
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.该系列器件包含ESD保护和超过以下测试：人体模型（ HBM ）
"2.0
千伏根据JEDEC标准：
JESD22- A114 。机器模型（ MM ）
"200
JESD22 - A115 ：根据JEDEC标准的V 。
2.闭锁电流最大额定值：
"150
毫安根据JEDEC标准： JESD78 。
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4
NCP5210
电气特性
（ 5VDUAL = 5 V ， BOOT = 12 V ， 5VATX = 5 V ， DDQ_REF = 2.5 V ，T
A
= 0℃至70℃ ，L = 1.7
mH的，
COUT1 = 3770
MF，
COUT2 = 470
MF，
COUT3 = NA ， CSS = 33 nF的， R1 = 2.166千瓦， R2 = 2千瓦， RZ1 = 20千瓦， RZ2 = 8
W,
CP1 = 10nF的，
CZ1 = 6.8 nF的， CZ2 = 100 nF的， RM1 = 2.166千瓦，令吉= 2千瓦， RZM1 = 20千瓦， RZM2 = 8
W,
CPM1 = 10nF的， CZM1 = 6.8 nF的， CZM2 = 100 nF的
最小/最大的值，除非另有说明。 ）重复MCH调节器的元件值从DDQ 。
特征
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
电源电压
5VDUAL工作电压
BOOT工作电压
电源电流
从5VDUAL S0模式下电源电流
从5VDUAL S3模式下电源电流
从5VDUAL S5模式下电源电流
S0模式下电源电流从BOOT
S3模式下电源电流从BOOT
欠压监视器
5VDUAL UVLO阈值上限
5VDUAL UVLO迟滞
BOOT UVLO阈值上限
BOOT UVLO迟滞
热关断
热关断
热关断迟滞
DDQ开关稳压器
FBDDQ反馈电压，
控制回路中的调节
反馈输入电流
在S0模式振荡器频率
在S3模式振荡器频率
振荡器斜坡幅度
电流限制消隐时间S0模式
电流限制阈值，从5VDUAL偏移
最小占空比
最大占空比
软启动引脚电流为DDQ
DDQ误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
3.由设计保证，而不是在生产测试。
GAINDDQ
GBWDDQ
SRDDQ
（注3）
COMP引脚与GND = 220 nF的，
1.0
W
在系列（注3）
COMP引脚与GND = 10 pF的
70
12
8.0
dB
兆赫
V / ms的
VFBQ
IDDQfb
FDDQS0
FDDQS3
DVOSC
TDDQbk
VOCP
DMIN
DMAX
Iss1
V（ SS ）= 0 V
4.0
（注3）
（注3）
（注3）
400
0.8
0
100
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
V（ FBDDQ ）= 1.3 V
217
434
250
500
1.3
1.178
1.166
1.190
1.202
1.214
1.0
283
566
V
mA
千赫
千赫
VP-P
nS
V
%
%
mA
TSD
TSDHYS
（注3）
（注3）
145
25
°C
°C
V5VDLUV+
V5VDLhys
VBOOTUV +
VBOOThys
1.0
250
400
4.4
550
10.4
V
mV
V
V
I5VDL_S0
I5VDL_S3
I5VDL_S5
IBOOT_S0
IBOOT_S3
BUF_Cut =低， BOOT = 12 V ，
TG_1P5和BG_1P5开放
BUF_Cut = HIGH ， TG_1P5和
BG_1P5开放
BUF_Cut = LOW ， TG_1P5和
BG_1P5开放
BUF_Cut =低， BOOT = 12 V ，
TG_1P5和BG_1P5开放
BUF_Cut = HIGH ， TG_1P5和
BG_1P5开放
10
5.0
1.0
20
20
mA
mA
mA
mA
mA
V5VDUAL
VBOOT
4.5
5.0
12.0
5.5
13.2
V
V
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
