NCP5208
DDR -I / II终止
调节器
的NCP5208是专为设计一个线性调节器
有源终端DDR -I / II SDRAM中。该装置可被操作
从单电源电压可低至1.7 V.对于DDR -I
应用程序，设备能够源出和吸收电流可达
以1.5 A的输出电压调节到内
"3%
或更好。一
单独的电压反馈引脚，确保卓越的负载调节
对负载和线路变化。
保护特性包括软启动，源出/吸入电流限制
和热关断。漏极开路VTT输出OK （ POK）加
用于系统监控。关断引脚可以三态调节
输出挂起到内存（ STR ）的状态。该设备是一个可
SOIC - 8封装。
特点
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1
SOIC8
后缀
CASE 751
标记图
8
N5208
ALYW
G
1
同时支持DDR -I和DDR- II SDRAM的要求
单电源工作电压可低至1.7 V
集成的功率MOSFET
很少的外部组件所需
源和灌电流可达1.5 A
负载调整率在
"3%
源和漏电流限制
漏极开路VTT OK （ POK ）引脚
关断引脚
热关断
坐落在SOIC- 8封装
无铅包装是否可用
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
典型应用
DDR终止电压
有源总线终端（ SSTL - 2 ， SSTL - 3 ）
POK 1
GND 2
VFB 3
SD
4
（ TOP VIEW ）
8
7
6
5
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
VDDQ
2.5 V
VDDQ
AVIN
SD
订购信息
设备
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
2500/T
猿&卷轴
2500/T
猿&卷轴
NCP5208
POK
AVIN
PVIN
C
IN
VTT
VFB
VTT
1.25 V,
1.5 A
C
OUT
NCP5208DR2
NCP5208DR2G
2.5 V
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
GND
图1.典型应用电路
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 修订版5
出版订单号：
NCP5208/D
NCP5208
VDDQ
VDDQ
AVIN
R
M0
EN
SD
+
EN
R/50
AVIN
C
OUT
M1
R
EN
VFB
VTT
+
VTT
POK
AVIN
AVIN
PVIN
PVIN
GND
图2.简化功能框图。
引脚功能说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
POK
GND
VFB
SD
VDDQ
AVIN
PVIN
VTT
漏极开路VTT电源正常输出
地
遥感信息反馈引脚用于调节VTT
低电平有效关断引脚为三态输出的VTT ，该引脚被拉高内部
参考输入VTT稳压器
模拟电源输入，这个权力所有的内部控制电路
电源输入端，这提供了轨电压VTT输出
终端稳压输出
描述
最大额定值
等级
AVIN ， PVIN ， VDDQ ， VFB ， VTT至GND
输入/输出引脚
开漏输出引脚
热特性
SOIC - 8封装 - 热阻，结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
SD
POK
符号
V
IO
V
POK
R
qJA_T
T
J
T
A
T
英镑
价值
0.3, 6.0
0.3, 6.0
0.3, 6.0
151
-10至+150
0至+70
-55到+150
单位
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.该装置系列包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型（ HBM ）
v2.0
JESD22 - A114 ：根据JEDEC标准千伏。
机器模型（ MM ）
v200
JESD22 - A115 ：根据JEDEC标准的V 。
2.闭锁电流最大额定值：
"150
毫安根据JEDEC标准： JESD78 。
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2
NCP5208
电气特性
（ AVIN = 2.5 V ， PVIN = 2.5 V ， VDDQ = 2.5 V ，C
OUT
= 220
MF，
典型值T
A
= 25℃时，为
最小/最大值T
A
= 0至70℃ ，除非另有说明。 ）
特征
模拟电源输入
电源输入
终止电压输出
条件
AVIN = 2.5 V ， VDDQ = PVIN = 1.8 V
IVTT = -0.6到+0.6一个
AVIN = PVIN = VDDQ = 2.5 V
IVTT = -1.5 A至1.5 A
负载调整率
VDDQ = 1.8 V， IVTT = 0至+0.6一
VDDQ = 1.8 V， IVTT = 0至-0.6
VDDQ = 2.5 V， IVTT = 0至+1.5一
VDDQ = 2.5 V， IVTT = 0 -1.5一
模拟电流消耗
VDDQ输入阻抗
VFB反馈引脚输入电流
关断控制
关断引脚使能阈值
关断引脚迟滞
关断引脚输入电流
VDDQ = 2.5 V ， VSD = 0 V
VDDQ = 2.5 V， VSD = 2.5 V
VDDQ = 2.5 V， VSD = 5.5 V
VDDQ = 2.5 V ， VSD = 0 V
VSD
VSDhys
ISD
1.14
0.40
15
1.24
0.55
1.34
0.68
10
12
15
V
V
mA
空载
（注3）
IAVIN
ZVDDQ
IVFB
DVTT
符号
AVIN
PVIN
VTT
1.215
18
20
1.250
50
1.285
15
20
10
20
V
mV
mV
mA
kW
nA
民
1.7
1.7
0.870
典型值
0.900
最大
5.5
AVIN
0.930
单位
V
V
V
关断模拟电源电流
VTT电源正常指示
VTT电源正常窗口低阈值
VTT电源正常窗口高阈值
POK上拉电阻低
POK泄漏电流
过电流保护
源电流限制
灌电流限制
过温保护
热关断温度
热关断迟滞
ISHUT
mA
（注4 ）
（注4 ）
IPOK = 5.0毫安
VDDQ = 2.5 V， VPOK = 6.0 V
POKLth
POKHth
RPOKL
IPOKleak
7.0
VDDQ
×
(1/20.02)
VDDQ
×
(1/2+ 0.02)
20
0.1
V
V
W
mA
ILIMsrc
ILIMsnk
1.65
2.9
2.1
2.0
2.9
1.65
A
A
（注3）
（注3）
TSD
TSDHYS
120
135
30
150
°C
°C
3.数值不是在生产测试中，只设计保证。
为完成4.生产测试AVIN = PVIN = VDDQ = 2.5 V只， 1.8 V的性能设计保证。
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3
NCP5208
典型工作特性
55
Z
VDDQ
, V
DDQ
输入阻抗（ W）
52
49
46
PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V
IVTT = 0
43
40
0
10
20
30
40
50
60
T
A
，环境温度（ ° C）
70
图9. V
DDQ
输入阻抗与环境
温度
典型工作波形
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 1.8 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT 500毫安/科
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 1.8 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT 500毫安/科
图10. VTT电流源瞬变
图11. VTT灌电流瞬态
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT ， 1 /科
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT ， 1 /科
图12. VTT电流源瞬变
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5
图13. VTT灌电流瞬态
NCP5208
DDR -I / II终止
调节器
的NCP5208是专为设计一个线性调节器
有源终端DDR -I / II SDRAM中。该装置可被操作
从单电源电压可低至1.7 V.对于DDR -I
应用程序，设备能够源出和吸收电流可达
以1.5 A的输出电压调节到内
"3%
或更好。一
单独的电压反馈引脚，确保卓越的负载调节
对负载和线路变化。
保护特性包括软启动，源出/吸入电流限制
和热关断。漏极开路VTT输出OK （ POK）加
用于系统监控。关断引脚可以三态调节
输出挂起到内存（ STR ）的状态。该设备是一个可
SO- 8封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
N5208
ALYW
同时支持DDR -I和DDR- II SDRAM的要求
单电源工作电压可低至1.7 V
集成的功率MOSFET
很少的外部组件所需
源和灌电流可达1.5 A
负载调整率在
"3%
源和漏电流限制
漏极开路VTT OK （ POK ）引脚
关断引脚
热关断
坐落在SO- 8封装
引脚连接
POK 1
GND 2
VFB 3
SD
4
（ TOP VIEW ）
8
7
6
5
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
典型应用
DDR终止电压
有源总线终端（ SSTL - 2 ， SSTL - 3 ）
VDDQ
2.5 V
VDDQ
AVIN
SD
订购信息
设备
NCP5208DR2
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
NCP5208
POK
AVIN
PVIN
C
IN
VTT
VFB
VTT
1.25 V,
1.5 A
C
OUT
2.5 V
GND
图1.典型应用电路
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 第3版
出版订单号：
NCP5208/D
NCP5208
VDDQ
VDDQ
AVIN
R
M0
EN
SD
+
EN
R/50
AVIN
C
OUT
M1
R
EN
VFB
VTT
+
VTT
POK
AVIN
AVIN
PVIN
PVIN
GND
图2.简化功能框图。
引脚功能说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
POK
GND
VFB
SD
VDDQ
AVIN
PVIN
VTT
漏极开路VTT电源正常输出
地
遥感信息反馈引脚用于调节VTT
低电平有效关断引脚为三态输出的VTT ，该引脚被拉高内部
参考输入VTT稳压器
模拟电源输入，这个权力所有的内部控制电路
电源输入端，这提供了轨电压VTT输出
终端稳压输出
描述
最大额定值
等级
AVIN ， PVIN ， VDDQ ， VFB ， VTT至GND
输入/输出引脚
开漏输出引脚
热特性
SO- 8封装
热阻，结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.该装置系列包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型（ HBM ）
v2.0
JESD22 - A114 ：根据JEDEC标准千伏。
机器模型（ MM ）
v200
JESD22 - A115 ：根据JEDEC标准的V 。
2.闩锁电流最大额定值：
"150
毫安根据JEDEC标准： JESD78 。
SD
POK
符号
V
IO
V
POK
R
qJA_T
价值
0.3, 6.0
0.3, 6.0
0.3, 6.0
151
单位
V
V
V
° C / W
T
J
T
A
T
英镑
-10至+150
0至+70
-55到+150
°C
°C
°C
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2
NCP5208
电气特性
（ AVIN = 2.5 V ， PVIN = 2.5 V ， VDDQ = 2.5 V ，C
OUT
= 220
MF，
典型值T
A
= 25℃时，为
最小/最大值T
A
= 0至70℃ ，除非另有说明。 ）
特征
模拟电源输入
电源输入
终止电压输出
符号
AVIN
PVIN
VTT
条件
AVIN = 2.5 V ， VDDQ = PVIN = 1.8 V
IVTT = -0.6到+0.6一个
AVIN = PVIN = VDDQ = 2.5 V
IVTT = -1.5 A至1.5 A
负载调整率
DVTT
VDDQ = 1.8 V， IVTT = 0至+0.6一
VDDQ = 1.8 V， IVTT = 0至-0.6
VDDQ = 2.5 V， IVTT = 0至+1.5一
VDDQ = 2.5 V， IVTT = 0 -1.5一
模拟电流消耗
VDDQ输入阻抗
VFB反馈引脚输入电流
关断控制
关断引脚使能阈值
关断引脚迟滞
关断引脚输入电流
VSD
VSDhys
ISD
VDDQ = 2.5 V ， VSD = 0 V
VDDQ = 2.5 V， VSD = 2.5 V
VDDQ = 2.5 V， VSD = 5.5 V
VDDQ = 2.5 V ， VSD = 0 V
1.14
0.40
15
1.24
0.55
VDDQ
×
(1/20.02)
VDDQ
×
(1/2+ 0.02)
1.34
0.68
10
12
15
V
V
mA
IAVIN
ZVDDQ
IVFB
空载
注3
民
1.7
1.7
0.870
1.215
18
20
典型值
0.900
1.250
50
最大
5.5
AVIN
0.930
1.285
15
20
10
20
单位
V
V
V
V
mV
mV
mA
kW
nA
关断模拟电源电流
VTT电源正常指示
VTT电源正常窗口低阈值
VTT电源正常窗口高阈值
POK上拉电阻低
POK泄漏电流
过电流保护
源电流限制
灌电流限制
过温保护
热关断温度
热关断迟滞
ISHUT
mA
POKLth
POKHth
RPOKL
IPOKleak
注4
注4
IPOK = 5.0毫安
VDDQ = 2.5 V， VPOK = 6.0 V
7.0
20
0.1
V
V
W
mA
ILIMsrc
ILIMsnk
1.65
2.9
2.1
2.0
2.9
1.65
A
A
°C
°C
TSD
TSDHYS
注3
注3
120
135
30
150
3.数值不是在生产测试中，只设计保证。
为完成4.生产测试AVIN = PVIN = VDDQ = 2.5 V只， 1.8 V的性能设计保证。
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NCP5208
典型工作特性
55
Z
VDDQ
, V
DDQ
输入阻抗（ W）
52
49
46
PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V
IVTT = 0
43
40
0
10
20
30
40
50
60
T
A
，环境温度（ ° C）
70
图9. V
DDQ
输入阻抗与环境
温度
典型工作波形
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 1.8 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT 500毫安/科
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 1.8 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT 500毫安/科
图10. VTT电流源瞬变
图11. VTT灌电流瞬态
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
0.4毫秒ON， 1.6毫秒OFF
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT ， 1 /科
（PV
IN
= AV
IN
= V
DDQ
= 2.5 V)
上跟踪： VTT输出波形， 50 mV /分， AC耦合
较低的跟踪：负载电流， IVTT ， 1 /科
图12. VTT电流源瞬变
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图13. VTT灌电流瞬态
QQ：2881677436 复制
