NCP5203
2合1的DDR电源
调节器
该NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源
解决方案在ACPI兼容的高电流DDR内存系统。
此IC结合的PWM控制器的效率为VDDQ输入
电源与线性稳压器的简单的VTT
终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM
降压控制器用于驱动两个外部NFET的形成DDR
存储器电源电压（ VDDQ ） 。该
$2.0
用户可调节的VTT
终止稳压器具有短路保护功能。内部电源
良好的功能监视无论是VDDQ和VTT输出和信号
如果出现故障。保护特性包括软启动，欠压
监测5VDUAL ，过电流保护（ OCP）和热
关机。该IC封装在18引脚QFN封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
18
1
18引脚QFN 5 ×6mm的
MN后缀
CASE 505
1
NCP5203
AWLYYWW
支持DDR I和DDR II
集成VDDQ ， VTT稳压器
从5 V单电源供电
VTT稳压器包含集成功率FET的源/消耗
高达2.0 A
所有的外部功率MOSFET N沟道
可调VDDQ
可调VTT
300千赫为VDDQ的S0固定开关频率
600千赫为VDDQ的S3固定开关频率
软启动保护VDDQ
5VDUAL的欠压监控
短路保护为VDDQ和VTT
热关断
坐落在QFN- 18
无铅包装是可用*
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
VDDQEN
VTTEN
PGOOD
REFSNS
FBVTT
AGND
SS
COMP
FBDDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VDDQ
VTT
保护地
BST
BGDDQ
TGDDQ
5VDUAL
SWDDQ
OCDDQ
典型应用
DDR内存供电和终止电压
主动终止公共汽车（ SSTL - 2 ， SSTL - 3 ）
订购信息
设备
NCP5203MNR2
NCP5203MNR2G
包
QFN
QFN
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 第1版
出版订单号：
NCP5203/D
NCP5203
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号
VDDQEN
VTTEN
PGOOD
REFSNS
FBVTT
AGND
SS
COMP
FBDDQ
OCDDQ
SWDDQ
5VDUAL
TGDDQ
BGDDQ
BST
保护地
VTT
VDDQ
VDDQ稳压器的使能输入。高电平有效。
VTT稳压器的使能输入。高电平有效。
电源良好信号，漏极开路输出。
VTT调节器的参考电压输入。
VTT稳压器的反馈引脚进行闭环调节。
模拟地连接和远程地面的感觉。
软启动电容连接到地。
VDDQ误差放大器补偿节点。
VDDQ调节反馈引脚进行闭环调节。
过电流检测和程序输入VDDQ调节器的高侧FET 。
VDDQ调节电感器驱动的节点和限流检测输入。
5VDUAL电源输入。
栅极驱动器输出DDQ稳压器高侧N沟道功率场效应管。
栅极驱动器输出DDQ稳压器低侧N沟道功率场效应管。
提供VDDQ调节器和5 V升压电容连接的输入。
电源地。
VTT稳压器的输出。
输入功率为VTT稳压器。
描述
最大额定值
（注1 ）
等级
电源电压（引脚12 ， 18 ）
栅极驱动电压/输出电压（引脚13 ， 14 ， 15 ）
开关DDQ （引脚11 ）
输入/输出引脚（引脚1 ， 2 ， 7 ， 4 ， 5 ， 17 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10 ）
热特性
QFN - 18塑料包装
热阻结到环境
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
静电放电（ ESD ）
人体模型
机器型号
符号
5VDUAL
VBST ， Vg的
SWDDQ
V
IO
价值
0.3, 6.5
0.3, 14
-1.0 ， 5VDUAL
0.3, 6.5
单位
V
V
V
V
° C / W
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
MSL
HBM
MM
35
0到+150
0至+70
-55到+150
2.0
2.0
200
°C
°C
°C
kV
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
1.所有电压都是相对于AGND （引脚6）和地线（引脚16 ） 。
http://onsemi.com
4
NCP5203
电气特性
（ 5VDUAL = 5.0 V，T
A
= 0 70℃ ）
特征
电源电压
5VDUAL工作电压
BST工作电压
电源电流
静态电源电流（ 5VDUAL ）
关断电流
欠压监控
5VDUAL UVLO阈值下限
5VDUAL UVLO迟滞
热关断
热跳变点
VDDQ开关稳压器
FBDDQ反馈电压，
控制回路中的调节
反馈输入电流
在S0模式振荡器频率
在S3模式振荡器频率
斜坡电压振幅
OCDDQ针吸电流
OCDDQ针吸电流温度系数
最小占空比
最大占空比
软启动电流
过压阈值之旅
欠压脱扣阈值
误差放大器器
DC增益
单位增益带宽
压摆率
栅极驱动器
TGDDQ门上拉电阻
TGDDQ门上拉电阻低
BGDDQ门上拉电阻
BGDDQ门上拉电阻低
2.通过设计保证，不在生产中测试。
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
3.5
2.5
3.5
1.3
W
W
W
W
（注2 ）
COMP_GND = 220 nF的， 1.0
W
串联
（注2 ）
COMP_GND = 10pF的（注2）
70
2.0
8.0
dB
兆赫
V / ms的
T
A
= 0至70℃
T
A
= 25_C
VFBDDQ = 1.25 V
VDDQEN = VTTEN = 5 V
VDDQEN = 5 V ， VTTEN = 0 V
在最大占空比
VOCDDQ = 4.0 V，T
A
= 25_C
（注2 ）
DDQEN = 5.0 V ; V
SS
= 0 V
对于误差比较阈值
对于误差比较阈值
1.225
1.232
262.5
500
23
0
3.5
115
1.25
1.25
300
600
1.25
35
3200
90
5.0
130
65
1.275
1.268
1.0
337.5
700
47
6.5
75
V
mA
千赫
千赫
V
mA
PPM /°C的
%
%
mA
%
%
（注2 ）
150
_C
下降沿
3.6
3.95
0.2
4.3
V
V
VDDQEN = 0 V ， VTTEN = 0 V
5.0
10
1.0
mA
mA
4.5
4.0
5.0
10
5.5
13.2
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
5
NCP5203
2合1的DDR电源
调节器
该NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源
解决方案在ACPI兼容的高电流DDR内存系统。
此IC结合的PWM控制器的效率为VDDQ输入
电源与线性稳压器的简单的VTT
终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM
降压控制器用于驱动两个外部NFET的形成DDR
存储器电源电压（ VDDQ ） 。该
$2.0
用户可调节的VTT
终止稳压器具有短路保护功能。内部电源
良好的功能监视无论是VDDQ和VTT输出和信号
如果出现故障。保护特性包括软启动，欠压
监测5VDUAL ，过电流保护（ OCP）和热
关机。该IC封装在18引脚QFN封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
18
1
18引脚QFN 5 ×6mm的
MN后缀
CASE 505
1
NCP5203
AWLYYWW
支持DDR I和DDR II
集成VDDQ ， VTT稳压器
从5 V单电源供电
VTT稳压器包含集成功率FET的源/消耗
高达2.0 A
所有的外部功率MOSFET N沟道
可调VDDQ
可调VTT
300千赫为VDDQ的S0固定开关频率
600千赫为VDDQ的S3固定开关频率
软启动保护VDDQ
5VDUAL的欠压监控
短路保护为VDDQ和VTT
热关断
坐落在QFN- 18
无铅包装是可用*
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
VDDQEN
VTTEN
PGOOD
REFSNS
FBVTT
AGND
SS
COMP
FBDDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VDDQ
VTT
保护地
BST
BGDDQ
TGDDQ
5VDUAL
SWDDQ
OCDDQ
典型应用
DDR内存供电和终止电压
主动终止公共汽车（ SSTL - 2 ， SSTL - 3 ）
订购信息
设备
NCP5203MNR2
NCP5203MNR2G
包
QFN
QFN
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 第1版
出版订单号：
NCP5203/D
NCP5203
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号
VDDQEN
VTTEN
PGOOD
REFSNS
FBVTT
AGND
SS
COMP
FBDDQ
OCDDQ
SWDDQ
5VDUAL
TGDDQ
BGDDQ
BST
保护地
VTT
VDDQ
VDDQ稳压器的使能输入。高电平有效。
VTT稳压器的使能输入。高电平有效。
电源良好信号，漏极开路输出。
VTT调节器的参考电压输入。
VTT稳压器的反馈引脚进行闭环调节。
模拟地连接和远程地面的感觉。
软启动电容连接到地。
VDDQ误差放大器补偿节点。
VDDQ调节反馈引脚进行闭环调节。
过电流检测和程序输入VDDQ调节器的高侧FET 。
VDDQ调节电感器驱动的节点和限流检测输入。
5VDUAL电源输入。
栅极驱动器输出DDQ稳压器高侧N沟道功率场效应管。
栅极驱动器输出DDQ稳压器低侧N沟道功率场效应管。
提供VDDQ调节器和5 V升压电容连接的输入。
电源地。
VTT稳压器的输出。
输入功率为VTT稳压器。
描述
最大额定值
（注1 ）
等级
电源电压（引脚12 ， 18 ）
栅极驱动电压/输出电压（引脚13 ， 14 ， 15 ）
开关DDQ （引脚11 ）
输入/输出引脚（引脚1 ， 2 ， 7 ， 4 ， 5 ， 17 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10 ）
热特性
QFN - 18塑料包装
热阻结到环境
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
静电放电（ ESD ）
人体模型
机器型号
符号
5VDUAL
VBST ， Vg的
SWDDQ
V
IO
价值
0.3, 6.5
0.3, 14
-1.0 ， 5VDUAL
0.3, 6.5
单位
V
V
V
V
° C / W
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
MSL
HBM
MM
35
0到+150
0至+70
-55到+150
2.0
2.0
200
°C
°C
°C
kV
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
1.所有电压都是相对于AGND （引脚6）和地线（引脚16 ） 。
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4
NCP5203
电气特性
（ 5VDUAL = 5.0 V，T
A
= 0 70℃ ）
特征
电源电压
5VDUAL工作电压
BST工作电压
电源电流
静态电源电流（ 5VDUAL ）
关断电流
欠压监控
5VDUAL UVLO阈值下限
5VDUAL UVLO迟滞
热关断
热跳变点
VDDQ开关稳压器
FBDDQ反馈电压，
控制回路中的调节
反馈输入电流
在S0模式振荡器频率
在S3模式振荡器频率
斜坡电压振幅
OCDDQ针吸电流
OCDDQ针吸电流温度系数
最小占空比
最大占空比
软启动电流
过压阈值之旅
欠压脱扣阈值
误差放大器器
DC增益
单位增益带宽
压摆率
栅极驱动器
TGDDQ门上拉电阻
TGDDQ门上拉电阻低
BGDDQ门上拉电阻
BGDDQ门上拉电阻低
2.通过设计保证，不在生产中测试。
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
I
OUT
= 400毫安， VBST = 10 V
3.5
2.5
3.5
1.3
W
W
W
W
（注2 ）
COMP_GND = 220 nF的， 1.0
W
串联
（注2 ）
COMP_GND = 10pF的（注2）
70
2.0
8.0
dB
兆赫
V / ms的
T
A
= 0至70℃
T
A
= 25_C
VFBDDQ = 1.25 V
VDDQEN = VTTEN = 5 V
VDDQEN = 5 V ， VTTEN = 0 V
在最大占空比
VOCDDQ = 4.0 V，T
A
= 25_C
（注2 ）
DDQEN = 5.0 V ; V
SS
= 0 V
对于误差比较阈值
对于误差比较阈值
1.225
1.232
262.5
500
23
0
3.5
115
1.25
1.25
300
600
1.25
35
3200
90
5.0
130
65
1.275
1.268
1.0
337.5
700
47
6.5
75
V
mA
千赫
千赫
V
mA
PPM /°C的
%
%
mA
%
%
（注2 ）
150
_C
下降沿
3.6
3.95
0.2
4.3
V
V
VDDQEN = 0 V ， VTTEN = 0 V
5.0
10
1.0
mA
mA
4.5
4.0
5.0
10
5.5
13.2
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V
测试条件
民
典型值
最大
单位
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