NCP5201
双输出
DDR电源控制器
该NCP5201双通道DDR电源控制器是专门
设计为用于高电流的DDR存储器的总功率溶液
系统。该IC集成了PWM控制器的效率
VDDQ电源与线性稳压器的简单的VTT
记忆终止电压。二次调节器（ VTT）是
设计成自动跟踪一半的初级电压稳压器
（ VDDQ ） 。内部电源良好电压监视器同时跟踪
VDDQ和VTT的输出，并通知在故障的情况下，用户
在任何输出。保护特性包括软启动电路和
欠压监视VCC和VSTBY的。在IC封装在
a 5
×
6 QFN- 18 。
特点
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记号
图
1
1
NCP5201
AWLYYWW
G
G
集成VDDQ ， VTT稳压器
内部开关稳压器待机为VDDQ
所有的外部功率MOSFET N沟道
可调VDDQ
VTT跟踪VDDQ / 2
250千赫VDDQ在正常模式下的固定开关频率
一倍开关频率（ 500 kHz）的待机模式
软启动保护VDDQ
欠压监控
短路保护都VDDQ和VTT输出
坐落在节省空间的5
×
6 QFN- 18
无铅包可用*
18引脚QFN 5 ×6mm的
MN后缀
CASE 505
A
=大会地点
WL =晶圆地段
YY =年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
典型应用
DDR终止电压
主动终止公共汽车（ SSTL - 2 ， SSTL - 3 ）
FBDDQ
FBVTT
保护地
VSTBY
VTT
VTT
OCDDQ
VDDQ
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
SS
COMP
VCC
TGDDQ
BGDDQ
SDDQ
AGND
S3_EN
PWRGD
注意：
销19是在底部的导热垫
该设备。
订购信息
设备
NCP5201MN
NCP5201MNG
NCP5201MNR2
NCP5201MNR2G
包
18引脚QFN
18引脚QFN
（无铅）
航运
61单位/铁
61单位/铁
18引脚QFN 2500 / T
猿&卷轴
18引脚QFN 2500 / T
猿&卷轴
（无铅）
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NCP5201/D
1
2006年4月 - 11牧师
NCP5201
5V
L1 1.0
mH
R2
10 k
R3
10 k
C1
1000
mF
5 VSTBY
C4
1.0
mF
12 V
C5
1.0
mF
C2
1.0
mF
AGND
S3
4
11
S3_EN
R6
16
W
C10
100 nF的
R7
1.15 k
C11
6.8
nF
R12
20 k
8
VDDQ
1
C12
10 nF的17
18
C13
22 nF的
12
7
C17
0.1
mF
AGND
RL1
62 k
FBDDQ
PWRGD
TGDDQ
SDDQ
BGDDQ
COMP
VTT
SS
AGND
OCDDQ
VTT
FBVTT
保护地
15
13
14
5
6
2
3
VSTBY
VCC
16
10
R8 4.7
W
S
NTD60N02R
D
D
NTD60N02R
S
L2 2.2
mH
NTD60N02R
COUT
VTT （1000
mF
x3)
VDDQ
R1 4.7
W
R5 4.7
W
+
R10
1.1 k
+
C14
1000
mF
+
C15
470
mF
C15
1.0
mF
图1.应用框图
最大额定值
等级
电源电压（引脚4） PGND （引脚3 ）和GND （引脚12 ）
电源电压VCC （引脚16） PGND （引脚3 ）和GND （引脚12 ）
栅极驱动电压（引脚14 ， 15 ）
输入/输出引脚（引脚1 ， 2 ， 5-11 ， 13 ， 17-18）
封装热阻，结到环境
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
湿度敏感度等级
符号
VSTBY
VCC
Vg
V
IO
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
MSL
价值
0.3, 6.0
0.3, 14
-0.3 DC ，
-4.0为< 1.0
女士;
14
0.3, 6.0
35
0到+150
0至+70
-55到+150
2
单位
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.该装置系列包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型（ HBM ）
≤
根据JEDEC标准JESD22- A114 2.0千伏除了引脚15是
≤
1.5千伏。
机器模型（ MM ）
≤
根据JEDEC标准JESD22 - A115 200 V除了引脚14是
≤
100 V.
2.闭锁电流最大额定值：
≤
根据JEDEC标准JESD78 150毫安。
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2
NCP5201
电气特性
（ VSTBY = 5.0 V ， VCC = 12 V ，T
A
= 0至70℃ ，L 2 = 1.7
mH的，
COUT = 3770
MF，
COUT2 = 220
MF，
RL1 = 100千瓦，R7 = 1.0千瓦， R10 = 1.0 K， R 12 = 20千瓦，R 6 = 16个
W,
C12 = 3.0 nF的， C11 = 6.0 nF的， C10 = 80 nF的，最小/最大，除非值
另有说明）
特征
电源电流
从VSTBY S0模式下电源电流
从VSTBY S3模式下电源电流
从VCC S0模式电源电流
IST_S0
IST_S3
ICC_S0
S3_EN =低， VCC = 12 V
S3_EN = HIGH ， VCC = 0 V
EN = HIGH ， VCC = 12 V ，
2.0 nF的容性负载TGDDQ
和BGDDQ
8.0
4.0
30
mA
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
欠压监控
VSTBY UVLO阈值下限
VSTBY UVLO上的比
阈值下限
VCC UV监视器下限阈值
VCC UV监视器上的比
阈值下限
VDDQ开关稳压器
FBDDQ反馈电压，
控制回路中的调节
反馈输入电流
在S0模式振荡器频率
OCDDQ针吸电流
最小占空比
最大占空比
软启动时间
VDDQ备用调节器
FBDDQ反馈电压，控制
回路调节
负载调整率
峰值电流限制
峰值电流限制消隐时间
在S3模式振荡器频率
VDDQ误差放大器
DC增益
单位增益带宽
压摆率
VTT主动终结者
VTT跟踪VDDQ / 2的S0模式
dVTT0
VDDQ / 2 - VTT ，
IOUT = 1.8 A（灌电流）
IOUT = -1.8 A（电流）
30
2.3
2.3
30
mV
mV
A
A
收益
Ft
SR
COMP_GND = 200 nF的， 1.0
W
in
系列（测试电路只）
COMP_GND = 10 pF的
70
2.0
8.0
dB
兆赫
V / ms的
VFBQ
LOADREG
ILIMstbpk
TBK
FSTB
T
A
= 25°C
T
A
= 0至70℃
ILOAD 50 mA至650毫安
1.281
1.274
400
1.300
0.4
2.0
500
1.319
1.326
V
V
%
A
ns
千赫
VFBQ
IFB
F
国际奥林匹克委员会
DMIN
DMAX
tss1
T
A
= 25°C
T
A
= 0至70℃
V（ FBDDQ ）= 1.3 V
V（ OCDDQ ） = 4.0 V
C
SS
= 33 nF的
1.271
1.264
225
6.0
0
10
1.300
250
10
16
1.326
1.333
0.5
275
14
100
V
V
mA
千赫
mA
%
%
ms
VSBUV-
VSBUV + /
VSBUV-
VCCUV-
VCCUV + /
VCCUV-
4.25
1.05
9.23
1.14
V
V
源电流限制
灌电流限制
ILIMVTsrc
ILIMVTsnk
3.由设计保证，而不是在生产测试。
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3
NCP5201
电气特性
（ VSTBY = 5.0 V ， VCC = 12 V ，T
A
= 0至70℃ ，L 2 = 1.7
mH的，
COUT = 3770
MF，
COUT2 = 220
MF，
RL1 = 100千瓦，R7 = 1.0千瓦， R10 = 1.0 K， R 12 = 20千瓦，R 6 = 16个
W,
C12 = 3.0 nF的， C11 = 6.0 nF的， C10 = 80 nF的，最小/最大，除非值
另有说明）
特征
控制部分
S3_EN引脚门槛高
S3_EN引脚门槛低
S3_EN引脚输入电流
PWRGD引脚上的电阻
PWRGD引脚关断电流
PWRGD低到高的保持时间，
对于S3到S0或S5到S0
栅极驱动器
TGDDQ门上拉电阻
VCC = 12 V ，
V（ TGDDQ ） = 11
V
VCC = 12 V ，
V（ TGDDQ ） = 1.0
V
VCC = 12 V ，
V（ BGDDQ ） = 11
V
VCC = 12 V ，
V（ BGDDQ ） = 1.0
V
RH_TG
3.0
W
S3_EN_H
S3_EN_L
IIN_EN
PWRGD_R
PWRGD_
泄漏
的Thold
1.4
0.5
0.5
80
1.0
200
V
V
mA
W
mA
ms
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
TGDDQ门上拉电阻低
RL_TG
2.5
W
BGDDQ门上拉电阻
RH_BG
3.0
W
BGDDQ门上拉电阻低
RL_BG
1.3
W
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
符号
FBDDQ
FBVTT
保护地
描述
VDDQ反馈引脚进行闭环调节。
VTT稳压器感应电压。
电源地。
VSTBY
VTT
5 V备用输入电压。
VTT稳压器的输出。
5, 6
7
8
9
OCDDQ
VDDQ
NC
过电流检测和程序的输入为VDDQ高侧FET 。
参考输入和功率级输入VTT稳压器。
未连接。
10
11
PWRGD
S3_EN
AGND
开漏状态输出。当产品处于S0状态，两种操作高阻
DDQ和VTT稳压器都符合。
S3模式使能输入。高以使能。
12
13
14
15
16
17
18
19
模拟地连接和远程地面的感觉。
电感器驱动的节点和限流检测输入。
SDDQ
BGDDQ
TGDDQ
VCC
栅极驱动器输出， VDDQ低边N沟道功率场效应管。在S0模式激活。
栅极驱动器输出， VDDQ高边n沟道功率场效应管。在S0模式激活。
12伏输入电源。该电压由电源良好电路模式选择监控。
VDDQ误差放大器补偿节点。
软启动电容连接到地。
COMP
SS
TH_PAD
在IC底部的铜垫用于散热。该引脚应该连接到接地
根据IC平面。
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4
QQ：2881677436 复制
