NCP51510
3 AMP
V
TT
终止
源出/吸入调节器
DDR ， DDR - 2 ， DDR- 3 ， DDR- 4
该NCP51510是源出/吸入双倍数据速率（ DDR ）
终端稳压器专为低输入电压设计，
低噪声系统中空间是一个重要的考虑因素。该
NCP51510保持了快速瞬态响应，只需要一
最小V
TT
10负载电容
mF
输出稳定。该
NCP51510支持遥感和所有电源需求
DDR V
TT
总线终端。该NCP51510也可以在使用
低功耗的芯片组和显示要求的处理器核心
动态可调输出电压。该NCP51510是可用
热效率DFN10裸露焊盘封装，额定
既绿色无铅。
特点
http://onsemi.com
DFN10
CASE 485C
标记图
XXXXX
XXXXX
ALYWG
G
XXXXX =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
生成DDR存储器终端电压（V
TT
)
对于DDR ， DDR - 2 ， DDR -3和DDR- 4源出/吸入电流
支持负载高达
±3
A（典型值） ，输出为过电流保护
集成的MOSFET具有热关断保护
快速负载瞬态响应
P
良好
输出引脚监视V的状态
TT
输出调节
SS输入引脚暂停关断模式
V
RI
输入参考电压灵活跟踪
V
TTS
输入遥感（ Kelvin连接）
内置软启动，欠压锁定
小型，薄型10引脚， 3 ×3mm的DFN封装
这是一个Pb - Free设备
DDR存储器终端
台式机的，笔记本电脑，工作站和
服务器和网络设备
电信/数据通信， GSM基站
图形处理器核电源
机顶盒， LCD-TV / PDP -TV ，复印机/打印机
耗材芯片组/内存低至0.5 V电源
主动源/汇总线终端
引脚连接
V
RO
V
CC
A
GND
V
RI
P
良好
1
2
3
4
5
（ TOP VIEW ）
GND
10 PV
CC
9 V
TT
8 P
GND
7 SS
6 V
TTS
应用
订购信息
设备
NCP51510MNTWG
包
DFN10
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
七月， 2013
第0版
1
出版订单号：
NCP51510/D
NCP51510
引脚功能说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
V
RO
V
CC
A
GND
V
RI
P
良好
V
TTS
SS
P
GND
V
TT
PV
CC
热
PAD
引脚功能
产量
V的输出缓冲
RI
参考输入引脚。
输入
稳压器的模拟电源输入引脚。连接到系统的电源电压。绕道V
CC
到A
GND
用1
mF
或更大的陶瓷电容。
模拟地
输入
外部参考输入V
TT
输出（参见图1为典型的应用）
产量
V
TT
“电源良好”引脚（漏极开路输出）
输入
远程检测输入V
TT
。在V
TTS
引脚提供的远程精确反馈检测
V
TT
输出。
输入
暂停关断控制输入。 CMOS兼容。逻辑高电平=启用
逻辑低电平=关机。连接到VDDQ的正常运行。
电源地。内部连接到低压侧MOSFET
产量
稳压电源输出引脚
输入
稳压电源输入引脚。内部连接到高边MOSFET
焊盘热连接。暴露的焊盘必须使用多个过孔连接到接地平面
为最大功率耗散性能。
绝对最大额定值
等级
PV
CC
以P
GND
V
CC
到A
GND
V
RI
, V
RO
， SS ，P
良好
到A
GND
V
TT
以P
GND
V
TTS
到A
GND
P
GND
到A
GND
储存温度
工作结温范围
ESD能力，人体模型
ESD能力，机器型号
V
TT
连续输出电流有效值
（注2 ）
（注2 ）
100秒
1秒
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
CC
V
TTS
P
GND
T
英镑
T
J
ESD
HBM
ESD
MM
价值
0.3
4.3
0.3
4.3
0.3
到（Ⅴ
CC
+ 0.3)
0.3
到（PV
CC
+ 0.3)
0.3
到（PV
CC
+ 0.3)
0.3
为+0.3
65
150
40
到125
2000
200
±1.6
±2.5
°C
V
V
A
V
单位
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.参考电气特性和应用信息的安全工作区。
2.该装置系列采用ESD保护，并通过以下方法进行测试：
每AEC - Q100-002 （ EIA / JESD22- A114 ）ESD人体模型测试
每AEC - Q100-003 （ EIA / JESD22- A115 ）ESD机模型测试
根据JEDEC标准闭锁电流最大额定值测试： JESD78 。
耗散额定值
包
10引脚DFN
T
A
= 705C电源价格
1951年毫瓦
降额因子牛逼以上
A
= 705C
24.4毫瓦/
°C
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2
NCP51510
一般*
该NCP51510是源/汇跟踪终止
稳压器专为低输入电压设计，
低外部元件数量的系统，其中的空间是关键
应用程序的参数。该NCP51510集成了
高性能，低压差（ LDO ）线性稳压器
这是能够进行采购和吸收电流的。该
LDO稳压器采用快速反馈回路，使小
陶瓷电容器可被用于支持快速加载
瞬态响应。要实现严格的监管与
跟踪性，远程传感输入影响最小
(V
TTS
）应该连接到的正极端子
输出电容器的高电流一个单独的跟踪
在V的路径
TT
输出。
内部基准电压源代
浪涌电流在启动时，使用后可用全电流
200
ms
软启动电路已超时。
当SS输入为低电平时， V
TT
输出
排到P
GND
通过内部8
W
MOSFET。该
V
RO
输出保持在SS输入被驱动为低电平。该
NCP51510提供漏极开路P
良好
“电源良好”
输出高电平的V时，
TTS
检测输入内
±150
在V毫伏
RI
参考输入。在P
良好
产量
去断言在10
ms
在V后
TTS
检测输入超过
在P的尺寸
良好
窗口。在最初的V
TT
启动，
P
良好
在V后置为高电平， 2毫秒
TTS
检测输入进入
P
良好
窗口。因为在P
良好
输出为开漏，
一个外部上拉电阻是必须的（ 100千瓦* ）之间
P
良好
和稳定的活性电源电压轨道。
与迟滞热关断
在V
TT
输出电压调节到（和与跟踪）
在V的电压
RI
参考
输入。当V
RI
输入
被配置为标准DDR终端的应用程序，
在V
RI
参考
输入可通过一个外部等效设置
比分压器连接到所述存储器电源总线
(V
DDQ
） 。该NCP51510支持V
TT
从0.5 V的电压
1.5 V.
内部参考电压产生（续）
当V
RO
输出配置为DDR终端
应用程序，它提供了一个单独的V
TT
输出参考
电压用于存储器应用。在V
RO
参考
O
安输出引脚是V的缓冲版本
RI
参考输入，
并能够采购和下沉的负载
±5
毫安。该
V
RO
输出有效时， V
RI
输入> 0.45 V
和V
CC
电源轨高于UVLO阈值。该
V
RO
参考
安输出是独立的SS引脚
（挂起关机）状态。
故障检测和关闭功能
如果NCP51510是在升高的温度下进行操作
长的持续时间，应小心以确保
最大工作结温不超标。
为了保证安全操作， NCP51510提供
芯片上的热关断保护。当芯片
结温度超过165 °C * ，该部分
关机。当结点温度降低，以
150 ° C * ，设备恢复正常运行。如果
结温超过热关断
阈值时，在V
TT
输出被关断，由8排出
W
内部放电MOSFET 。
输出电容
输出稳定，保证了V
TT
输出电容
C
OUT
从10
mF
220
μF的。
C的ESR
OUT
间
2毫瓦，50毫瓦，需要保持稳定。使用
下面的公式来计算应用程序的瞬态
回应：
DI
TT（页）
ESR
+
DV
TT（页）
当SS “暂停关机”输入引脚驱动
高， NCP51510调节器开始正常工作，
与软启动电路逐渐增加产量
在第一个200电流
ms
为了减少输入
其中：
DI
TT（页）
是最大的峰 - 峰值负载电流增量
和
DV
TT（页）
是可允许的峰 - 峰电压
耐受性。
*典型值被用于与该应用程序的描述的文本。请参阅电气规格表MIN更详细的列表，
MAX和典型值。
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5
QQ：2881677436 复制
