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NCP5106A ， NCP5106B
高电压，高和低
侧驱动器
的NCP5106是一个高电压栅极驱动器IC提供两个
了2个N沟道功率MOSFET或IGBT直接驱动输出
布置在半桥式配置版本B或其它任何
高端+低端配置版本A.
它使用自举技术，保证了适当的驱动
高侧电源开关。该驱动程序适用于2个独立的输入。
特点
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记号
图表
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
5106x
ALYW
G
高电压范围：最高可达600 V
的dV / dt抗扰性
±50
V / ns的
负电流注入为特征的温度范围内
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
高和低驱动输出
输出源出/吸入电流能力250毫安/ 500毫安
3.3 V和5 V输入逻辑兼容
高达V
CC
秋千上的输入引脚
扩展允许负大桥引脚电压摆幅
10
V
对于信号传播
两个通道之间的匹配传播延迟
同相输入输出
独立的逻辑输入，以容纳所有的拓扑结构（ A版）
交叉传导保护100 ns的内部固定死区时间
（ B版）
在V
CC
锁定（UVLO ）两个通道
引脚对引脚兼容行业标准
这些无铅器件
1
1
PDIP8
P后缀
CASE 626
NCP5106
x
A
L或WL
Y或YY
W或WW
G或
G
NCP5106x
AWLG
YYWW
=具体设备守则
= A或B版
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引线的信息
VCC
IN_HI
IN_LO
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VBOOT
DRV_HI
桥
DRV_LO
典型应用
半桥式功率转换器
任何互补驱动转换器（非对称半桥，
有源钳位） （仅A版本） 。
全桥转换器
8引脚封装
订购信息
设备
NCP5106APG
NCP5106ADR2G
NCP5106BPG
NCP5106BDR2G
包
PDIP8
（无铅）
航运
50单位/铁
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
PDIP8
（无铅）
50单位/铁
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年3月
启5
1
出版订单号：
NCP5106/D
NCP5106A ， NCP5106B
VBULK
+
C1
D4
C3
GND
NCP1395
Q1
U1
8
VBOOT
VCC
2
7
IN_HI DRV_HI
3
6
IN_LO桥
4
5
GND DRV_LO
1
NCP5106
GND
GND
D3
GND
U2
R1
C4
Lf
D2
Q2
C6
T1
D1
L1
+
OUT +
C3
OUT-
GND
VCC
GND
图1.典型应用谐振转换器（ LLC型）
VBULK
+
C1
D4
C3
GND
1
2
3
4
VCC
IN_LO
Q1
U1
VBOOT
桥
IN_HI DRV_HI
GND DRV_LO
NCP5106
GND
8
7
6
5
Q2
C6
D2
C4
C5
T1
D1
L1
+
OUT +
C3
OUT-
GND
VCC
MC34025
GND
GND
D3
GND
U2
R1
图2.典型应用半桥转换器
http://onsemi.com
2
NCP5106A ， NCP5106B
VCC
IN_HI
脉冲
TRIGGER
水平
移
S Q
R Q
UV
检测
DRV_HI
VCC
UV
检测
VBOOT
GND
GND
桥
VCC
IN_LO
延迟
DRV_LO
GND
GND
GND
GND
GND
图3.详细框图：版本A
VCC
IN_HI
VCC
UV
检测
脉冲
TRIGGER
水平
移
S Q
R Q
UV
检测
VBOOT
DRV_HI
GND
交
传导
预防
GND
桥
VCC
IN_LO
延迟
DRV_LO
GND
GND
GND
图4.详细框图版本B
引脚说明
IN_HI
在阶段高侧驱动器输出逻辑输入
在相低侧驱动器输出逻辑输入
地
IN_LO
GND
DRV_LO
V
CC
低侧栅极驱动输出
低侧和主电源
自举电源
V
BOOT
DRV_HI
高侧栅极驱动输出
桥
引导退货或高侧浮动电源返回
引脚名称
描述
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3
NCP5106A ， NCP5106B
最大额定值
等级
V
CC
V
CC_transient
V
桥
V
桥
V
自举
V
桥
V
DRV_HI
V
DRV_LO
dV
桥
/ DT
V
IN_xx
主电源电压
主瞬态电源电压：
IV
CC_MAX
= 5时10毫秒毫安
VHV ：高压桥脚
允许负桥脚电压为IN_LO信号传播到DRV_LO
（见特性曲线的详细结果）
VHV ：浮动电源电压
VHV ：高侧输出电压
低侧输出电压
允许输出摆率
输入IN_HI ， IN_LO
ESD能力：
HBM模型（除销6-7-8中的8个引脚的所有引脚
封装或14引脚封装11-12-13 ）
机器型号（除销6-7-8中的8个引脚的所有引脚
封装或14引脚封装11-12-13 ）
闭锁根据JEDEC JESD78能力
R
qJA
功耗和热特性
PDIP - 8 ：热阻，结到空气
SO - 8 ：热阻，结至空气
存储温度范围
最大工作结温
100
178
55
+150
+150
° C / W
符号
价值
0.3
20
23
1
600
10
0.3
20
V
桥
0.3
V
BOOT
+ 0.3
0.3
到V
CC
+ 0.3
50
1.0
到V
CC
+ 0.3
2
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
V
kV
V
T
ST
T
J- MAX
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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4
NCP5106A ， NCP5106B
电气特性
(V
CC
= V
BOOT
= 15 V, V
GND
= V
桥
,
40°C
＆ LT ;吨
J
< 125 ℃，产出装载为1 nF ）
T
J
40°C
至125℃
等级
输出部分
高输出短路脉冲电流V
DRV
= 0 V ， PW
v
10
ms
（注1 ）
低输出短路脉冲电流V
DRV
= V
CC
私服
v
10
ms
（注1 ）
输出电阻（典型值@ 25℃）来源
输出电阻（典型值@ 25°C ）漏
高电平输出电压V
BIAS
V
DRV_XX
@ I
DRV_XX
= 20毫安
低电平输出电压V
DRV_XX
@ I
DRV_XX
= 20毫安
动力输出部分
导通传播延迟（ Vbridge = 0 V）
关断传播延迟（ Vbridge = 0 V或50 V） （注2 ）
输出电压的上升时间（从10％到90％ @ V
CC
= 15 V） 1 nF的负载
输出电压的下降时间（从90 ％至10％ @V
CC
= 15 V） 1 nF的负载
高侧和低侧之间的传播延迟匹配
@ 25°C （注3 ）
内部固定死区时间（仅适用于B版） （注4 ）
最小输入宽度改变输出
最大输入宽度不改变输出
输入段
低电平输入电压阈值
输入上拉下拉电阻（V
IN
< 0.5V）
高电平输入电压阈值
逻辑“1”输入偏置电流@ V
IN_xx
= 5 V @ 25°C
逻辑“0”输入偏置电流@ V
IN_xx
= 0 V @ 25°C
供电部分
V
CC
UV启动电压阈值
V
CC
UV关断电压阈值
滞后于V
CC
VBOOT启动阈值电压参考引脚的桥梁
（ Vboot_stup = VBOOT
Vbridge ）
VBOOT UV关断电压阈值
滞后于VBOOT
高电压引脚GND漏电流
(V
BOOT
= V
桥
= DRV_HI = 600 V ）
消费在主动模式（V
CC
= VBOOT ， FSW = 100 kHz和1 nF的负载
这两个驱动器输出）
消费抑制模式（V
CC
= VBOOT ）
V
CC
电流消耗抑制模式
VBOOT的电流消耗抑制模式
1.
2.
3.
4.
5.
V
CC
_STUP
V
CC
_shtdwn
V
CC
_Hyst
Vboot_stup
Vboot_shtdwn
Vboot_shtdwn
I
HV-泄漏
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
8.0
7.3
0.3
8.0
7.3
0.3
8.9
8.2
0.7
8.9
8.2
0.7
5
4
250
200
50
9.9
9.1
9.9
9.1
40
5
400
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
IN
R
IN
V
IN
I
IN +
I
IN-
2.3
200
5
0.8
25
2.0
V
kW
V
mA
mA
t
ON
t
关闭
tr
tf
Dt
DT
t
PW1
t
PW2
65
20
100
100
85
35
20
100
170
170
160
75
35
190
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
DRVSource
I
DRVSink
R
OH
R
OL
V
DRV_H
V
DRV_L
250
500
30
10
0.7
0.2
60
20
1.6
0.6
mA
mA
W
W
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
参数设计保证来。
关断传播延迟@ Vbridge = 600 V为设计保证。
见表征曲线
Dt
参数变化对全温度范围内。
B版集成了一个死区时间，以防止DRV_HI和DRV_LO之间的任何交叉传导。参见图10的时序图。
时序图的定义见：图7 ，图8和图9 。
http://onsemi.com
5
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推荐型号
NCP566
NCH280AA3
NX8563LB541
NTE74LS445
NMC27C16Q45/883
N43100Y1EN1S
NTE1V020
NMF2415D
NP50P04KDG
NAND128W3A0AV6T
NX8563LF646-BA
NJU6358D18
NSPB310B
NLAS4501DFT2G
NJM2405
NRSA101M63V10X12.5F
NC14000-B502
NX8567SAS497-CC
NATT221M10V6.3X8NBF
NJU7221U32
供货商
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    NCP5106ADR2G
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联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
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12000
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