NCP45520 ， NCP45521
表1.引脚说明
针
1, 9
2
名字
V
IN
EN
功能
MOSFET的漏极（ 0.5 V - 13.5 V） ， 1脚必须连接到引脚9
NCP45520 -H & NCP45521 -H
用来开启MOSFET ，脚高电平有效数字输入
有一个内部下拉电阻到GND
NCP45520 -L & NCP45521 -L
用于开启MOSFET低有效数字输入，销具有
一个内部上拉电阻到V
CC
3
4
5
6
V
CC
GND
引气
PG
电源电压控制器（ 3.0 V
5.5 V)
控制器接地
负载泄放连接，必须连接到V
OUT
直接地或者通过一个电阻
≤
1 KW
NCP45520
高电平有效，漏极开路输出，用于指示当MOSFET的栅极
完全充电时，外部上拉电阻
≥
1千瓦到所需的外部电压源;为配合
如果不使用GND
NCP45521
压摆率调整;浮，如果不使用
MOSFET的源极连接到负载
SR
7, 8
V
OUT
表2.绝对最大额定值
等级
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
EN数字输入范围
PG输出电压范围（注1 ）
热阻，结到环境，稳态（注2 ）
热阻，结到环境，稳态（注3 ）
热阻，结至外壳（V
IN
PADDLE ）
连续MOSFET电流@ T
A
= 25 ℃（注2和4）
连续MOSFET电流@ T
A
= 25 ℃（注3和4）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述牛逼
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注3 ）
减免上述牛逼
A
= 25°C
存储温度范围
焊接温度，焊接（ 10秒）
ESD能力，人体模型（注5,6 ）
ESD能力，机器模型（注5 ）
ESD能力，带电器件模型（注5 ）
闩锁电流抗扰度（注5,6 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
V
EN
V
PG
R
θJA
R
θJA
R
θJC
I
最大
I
最大
P
D
P
D
T
英镑
T
SLD
ESD
HBM
ESD
MM
ESD
清洁发展机制
LU
价值
0.3
6
0.3
18
0.3
18
0.3
到（Ⅴ
CC
+ 0.3)
0.3
6
40.0
72.7
5.3
10.5
7.8
2.50
24.9
1.37
13.8
40
150
260
3.0
200
1.0
100
单位
V
V
V
V
V
° C / W
° C / W
° C / W
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
kV
V
kV
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. NCP45520只。 PG是漏极开路输出，需要一个外部上拉电阻
≥
1千瓦到外部电压源。
2.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。
3.表面安装在FR4板上使用推荐的最小焊盘尺寸， 1盎司铜。
4.确保实现预期工作MOSFET电流不会引起短路保护，打开MOSFET关断不理想。
5.由下列方法测试@ T
A
= 25°C:
每JESD22- A114 ESD人体模型测试
每JESD22- A115 ESD机模型测试
每JESD22- C101 ESD带电器件模型测试
闩锁电流每JESD78测试
6.评级是除V所有引脚
IN
和V
OUT
这是绑在内部MOSFET的漏极和源极。 MOSFET的典型ESD性能
对于V
IN
和V
OUT
应当预期，这些装置应被视为ESD敏感。
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NCP45520 ， NCP45521
表3.工作范围
等级
电源电压
输入电压
地
环境温度
结温
符号
V
CC
V
IN
GND
T
A
T
J
40
40
民
3
0.5
最大
5.5
13.5
0
85
125
单位
V
V
V
°C
°C
表4.电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
MOSFET
导通电阻
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 5 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
泄漏电流（注8 ）
调节器
供应待机电流（注9 ）
V
EN
= 0 V; V
CC
= 3 V
V
EN
= 0 V; V
CC
= 5.5 V
供应动态电流（注10 ）
V
EN
= V
CC
= 3 V; V
IN
= 12 V
V
EN
= V
CC
= 5.5 V; V
IN
= 1.8 V
出血性
V
EN
= 0 V; V
CC
= 3 V
V
EN
= 0 V; V
CC
= 5.5 V
流血引脚漏电流
V
EN
= V
CC
= 3 V, V
IN
= 1.8 V
V
EN
= V
CC
= 3 V, V
IN
= 12 V
EN输入高电压
EN输入低电压
EN输入漏电流
V
CC
= 3 V
5.5 V
V
CC
= 3 V
5.5 V
NCP45520 -H ; NCP45521 -H ; V
EN
= 0 V
NCP45520 -L; NCP45521 -L; V
EN
= 5.5 V
EN下拉电阻
EN上拉电阻
PG输出低电压（注11 ）
PG输出漏电流（注12 ）
压摆率控制常数（注13 ）
故障保护
热关断阈值（注14 ）
热关断迟滞（注14 ）
V
IN
欠压锁定阈值
V
IN
欠压闭锁滞后
短路保护阈值
V
CC
= 3 V
5.5 V
V
CC
= 3 V
5.5 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3 V; V
IN
= 0.5 V
V
CC
= 3 V; V
IN
= 13.5 V
T
SDT
T
HYS
V
UVLO
V
HYS
V
SC
0.25
20
200
100
145
20
0.35
50
265
285
0.45
70
350
500
°C
°C
V
mV
mV
NCP45520 -H ; NCP45521 -H
NCP45520 -L; NCP45521 -L
NCP45520 ; V
CC
= 3 V ;我
SINK
= 5毫安
NCP45520 ; V
CC
= 3 V; V
TERM
= 3.3 V
NCP45521 ; V
CC
= 3 V
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
R
PD
R
PU
V
OL
I
OH
K
SR
24
5
31
76
76
90
90
100
100
2
0.8
500
500
124
124
0.2
100
38
kW
kW
V
nA
mA
I
引气
R
引气
86
72
I
DYN
I
STBY
0.65
3.2
280
530
115
97
6
60
2
4.5
400
750
144
121
10
70
V
V
nA
mA
W
mA
mA
V
EN
= 0 V; V
IN
= 13.5 V
I
泄漏
R
ON
9.5
10.1
12.8
0.1
12.7
13.9
22.5
1
mA
mW
条件
（注7 ）
符号
民
典型值
最大
单位
7. V
EN
只为NCP45520 -H NCP45521 -H （EN高电平有效） ，除非另有说明所示。
8.从V平均电流
IN
到V
OUT
与MOSFET关断。
9.从V平均电流
CC
至GND， MOSFET关断。
10. V平均电流
CC
到GND MOSFET后的充电时间。
11 PG是被拉低时， MOSFET被禁止漏极开路输出。
12. PG是开漏输出不被驱动时，在MOSFET的栅极被充满电时，需要一个外部上拉电阻
≥
1千瓦到
外部电压源，V
TERM
.
关于如何调整斜率细节13.见应用信息部分。
14.上述操作牛逼
J
= 125°C ，不能保证。
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NCP45520 ， NCP45521
表5.开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注15和16）
参数
条件
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
输出摆率（注17 ）
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
输出导通延迟（注17 ）
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
输出关断延迟（注17 ）
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
电源良好导通时间（注18 ）
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 1.8 V
良好的电源关断时间（注18 ）
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 1.8 V
V
CC
= 3.3 V; V
IN
= 12 V
V
CC
= 5.0 V; V
IN
= 12 V
15.参见下图的测试电路和时序图。
16.测试具备以下条件： V
TERM
= V
CC
; R
PG
= 100千瓦;
L
= 10
W;
C
L
= 0.1
μF的。
17.适用于NCP45520和NCP45521 。
18.仅适用于NCP45520 。
R
PG
T
PG ，关
T
PG ，ON
T
关闭
T
ON
SR
符号
民
典型值
11.9
12.1
13.5
13.9
220
185
270
260
1.2
0.9
0.4
0.2
0.91
0.93
1.33
1.21
21
15
21
15
ns
ms
ms
ms
千伏/秒
最大
单位
V
TERM
OFF ON
EN
V
IN
V
CC
NCP4552xH
GND
PG
V
OUT
引气
SR
R
L
C
L
V
EN
50%
T
ON
Dt
90%
DV
D
t
50%
T
关闭
90%
DV
SR =
V
OUT
10%
T
PG ，ON
T
PG ，关
50%
50%
V
PG
图2.开关特性测试电路和时序图
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NCP45520 ， NCP45521
应用信息
使能控制
无论是NCP45520和NCP45521有两个部分
号， NCP4552x -H和NCP4552x - L，也只相差
在使能控制的极性。
该NCP4552x -H设备允许启用
MOSFET的高有效配置。当V
CC
电源引脚施加足够的电压， EN引脚
处于逻辑高电平时，MOSFET将被启用。
类似地，当EN引脚处于逻辑低电平，则
MOSFET将被禁用。内部下拉电阻
地面上的EN引脚可确保MOSFET会
当不被驱动禁用。
该NCP4552x - L器件允许启用
MOSFET在低电平有效的配置。当V
CC
电源引脚施加足够的电压， EN引脚
处于逻辑低电平时，MOSFET将被启用。
类似地，当EN引脚处于逻辑高电平，则
MOSFET将被禁用。一个内部上拉电阻
V
CC
在EN引脚可确保MOSFET会
当不被驱动禁用。
电源排序
测序并减少了所需的使能信号的数目
从系统控制器。如果电源良好特性的不
在应用程序中使用时， PG引脚应连接到GND 。
压摆率控制
该NCP4552x设备都配备有控制
输出压摆率，提供软启动功能。这
将限制引起的电容器充电的浪涌电流和
使这些设备在热交换应用中使用。
该NCP45521的压摆率可以用降低
之间的SR引脚和地外接电容增加（如
在图6和图7）所示。与外部电容
目前，压摆率可以通过以下来确定
公式：
压摆率
+
K
SR
[V S]
C
SR
（当量1）
该NCP4552x设备将与任何幂函数
序，但输出导通延迟可能表现
从指定的内容而变化。达到规定的
性能，有两个推荐电源序列：
1) V
CC
→
V
IN
→
V
EN
2) V
IN
→
V
CC
→
V
EN
负载出血（快速放电）
其中K
SR
是指定的压摆率控制常数，发现
在表4中，和C
SR
被添加的压摆率控制电容
之间的SR引脚和地。该装置的压摆率
总是会默认摆率和较低
调整后的压摆率。因此，如果C
SR
不够大
以降低转换速率大于指定的默认
值，所述装置的转换速率将是默认值。
该SR引脚可以悬空，如果压摆率并不需要
降低。
短路保护
该NCP4552x器件具有内部泄漏电阻，
R
引气
，这是用来流血电荷断负载对
在MOSFET后，地面已被禁用。串联
泄放电阻器是启用的，每当一个泄放开关
该MOSFET被禁用。 MOSFET和泄放
开关永远不会同时处于活动状态。
它是必需的，该引气销连接到V
OUT
直接（如图4和图7 ），或通过一个
外部电阻，R
EXT
（如图3和6）。
EXT
应不超过1千瓦和可以使用的总增加
出血性。
必须小心，以确保电力消耗
R两端
引气
被保持在安全水平。
EXT
可用于
降低功耗的R两端消耗的量
引气
.
电源良好
该NCP45520器件具有一个电源良好输出（ PG ）
可被用于指示当MOSFET的栅
充满电。在PG引脚为高电平有效，漏极开路
输出需要一个外部上拉电阻，R
PG
，更大
大于或等于1千瓦到外部电压源，V
TERM
,
这是连接所有设备的输入电平兼容
该销（如图3和图4 ） 。
电源良好输出可以用来作为使能信号，用于
在该系统（如图其它高电平器件
图5）。这样就可以保证通过设计功耗
该NCP4552x设备都配备了短路
保护，用于帮助保护部和所述系统
从一个突然的大电流时，如输出电压V
OUT
,
被短路到地。该电路才有效，当
MOSFET的栅极被完全充电。
一旦被激活，该电路监视所述的差
电压在V
IN
引脚和出血引脚上的电压。
为了对于V
OUT
电压通过监视
BLEED销，它要求该引气针连接
到V
OUT
直接（如图4和7）或
通过一个电阻R
EXT
（如图3和图6 ） ，
这应该不超过1千瓦。随着放气针
连接到V
OUT
时，短路保护能
监控MOSFET两端的电压降。
如果MOSFET两端的电压降大于或
等于所述短路保护阈值电压，则
MOSFET被立即关断，负载泄放是
激活。该部分仍然锁定在这一关状态，直到EN
翻转或V
CC
电源电压进行循环，在该点处
MOSFET将被导通以受控方式与
正常输出导通延迟和压摆率。趋势/涌流
通过MOSFET ，这将导致短路事件
可以通过将所述短路保护计算
预期的导通电阻的MOSFET的阈值的。
热关断
在NCP4552x设备的热关断保护
该部分从内部或外部产生过度
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5
QQ：2881677436 复制
