NCP4423 ， NCP4424 ，
NCP4425
3的双高速
MOSFET驱动器
该NCP4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四是MOSFET驱动器能够
在苛刻的电气环境中提供可靠的服务。
尽管主要用于驱动功率MOSFET ，这些
驱动程序是非常适合用于驱动其它负载（电容性，电阻性，
或电感），其需要能够高一低阻抗驱动器
峰值电流和快速的开关时间。应用，如严重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器都可以
被驱动的NCP4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四。唯一的已知的限制
上装载的是，总功耗驾驶员必须保持
内包的最大功耗的限制。
特点
http://onsemi.com
记号
图
16
SO–16
DW后缀
CASE 751G
1
1
NCP442x
YYWWXZ
16
高峰值输出电流（ 3 A）
宽工作电压范围（ 4.5 V至18 V ）
高容性负载驱动能力（ 1800 pF的25纳秒）
短延迟时间（ T40纳秒典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流
用逻辑“ 1 ”输入（3.5 mA）的
用逻辑“ 0 ”输入（ 350
A)
低输出阻抗（ 3.5
典型值）
闭锁保护：可承受1.5 A反向电流
逻辑输入可承受负电压高达5 V
ESD保护（ 4千伏）
8
PDIP–8
P后缀
CASE 626
1
NCP442x
YYWWXZ
CO
8
1
x
YY
WW
X
Z
CO
=设备号（3,4或5）
=年
=工作周
=汇编ID码
=分包商ID代码
=原产地
订购信息
设备
包
SO–16
SO–16
SO–16
PDIP–8
PDIP–8
PDIP–8
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
功能框图
VDD
反相
300毫伏
产量
输入
4.7 V
NCP4423双反相
NCP4424双非反相
NCP4425 ONE INV 。一NONINV
GND
有效
输入C = 20 pF的
（每个输入）
注意事项：
1. NCP4425有一个反相和同相1驱动程序。
2.地面任何未使用的驱动器输入。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
NCP4423DWR2
NCP4424DWR2
NCP4425DWR2
NCP4423P
NCP4424P
NCP4425P
同相
1
2000年10月 - 第1版
出版订单号：
NCP4423/D
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
引脚连接
4423
4424
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
4425
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
1
2
3
4
16引脚SO宽
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
NCP4423
NCP4424
NCP4425
8引脚DIP
NCP4423
NCP4424
NCP4425
8
7
6
5
16 NC
15 OUT A
14 OUT A
13 V
DD
12 V
DD
11 OUT B
10 OUT B
9
NC
NC =无连接
注意：
重复的引脚必须
两
连接才能正常
操作。
http://onsemi.com
2
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
绝对最大额定值
等级
电源电压
输入电压，在一个或IN B （V
DD
+ 0.3 V至GND - 5.0 V ）
最大芯片温度
存储温度范围，T
英镑
焊接温度（焊接， 10秒）
封装热阻
SOIC ，R
θJA
PDIP ，R
θJA
PDIP ，R
θJC
工作温度范围
封装功耗（T
A
v
70°C)
SOIC
PDIP
价值
+22
–5
+150
-65到+150
+300
155
–125
–45
-40至+85
470
730
°C
mW
mc
单位
V
V
°C
°C
°C
° C / W
电气特性
(T
A
= + 25°C时具有4.5 V
v
V
DD
v
18 V时，除非另有规定）。
特征
输入
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
I
S
V
IN
= 3.0 V（两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
–
–
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
t
R
t
F
t
D1
t
D2
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
–
–
–
–
23
25
33
38
35
35
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
–
–
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
–
占空比
v
2%
t
v
300
s
V
DD
–0.025
–
–
–
–
1.5
–
–
2.8
3.5
3.0
–
–
0.025
5.0
5.0
–
–
V
V
A
A
V
OH
V
IL
I
IN
–
–
0 V
v
V
IN
v
V
DD
2.4
–
–1.0
–
–
–
–
0.8
1.0
V
V
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
电气特性
（在工作温度范围内具有4.5 V
v
V
DD
v
18 V时，除非另有规定）。
特征
输入
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
I
S
V
IN
= 3.0 V（两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
–
–
2.0
0.2
3.5
0.3
mA
t
R
t
F
t
D1
t
D2
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
–
–
–
–
28
32
32
38
60
60
100
100
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
–
–
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
–
占空比
v
2%
t
v
300
微秒
V
DD
–0.025
–
–
–
–
1.5
–
–
3.7
4.3
3.0
–
–
0.025
8.0
8.0
–
–
V
V
A
A
V
IH
V
IL
I
IN
–
–
0 V
v
V
IN
v
V
DD
2.4
–
–10
–
–
–
–
0.8
10
V
V
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
测试电路
V
DD
= 16 V
1
F
WIMA
MKS–2
0.1
F
陶瓷的
产量
C
L
= 1800 pF的
测试电路
V
DD
= 16 V
1
F
WIMA
MKS–2
0.1
F
陶瓷的
产量
C
L
= 1800 pF的
输入
输入： 100 kHz时，
方波，
t
上升
= t
秋天
≤
10纳秒
1
2
NCP4423
（ 1/2 NCP4425 ）
输入
输入： 100 kHz时，
方波，
t
上升
= t
秋天
≤
10纳秒
1
2
NCP4424
（ 1/2 NCP4425 ）
+5 V
输入
0V
16 V
产量
0V
10%
10%
t
D1
90%
t
F
90%
+5 V
输入
90%
10%
90%
t
D1
10%
t
R
90%
t
D2
10%
t
D2
0V
t
R
90%
10%
16 V
产量
0V
t
F
图1.反相驱动器开关时间
图2.同相驱动器开关时间
http://onsemi.com
4
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
典型电气特性
100
4700 pF的
80
1000 pF的
吨RISE （纳秒）
吨FALL （纳秒）
60
3300 pF的
1500 pF的
2200 pF的
40
60
3300 pF的
2200 pF的
40
1500 pF的
80
1000 pF的
100
4700 pF的
20
470 pF的
0
4
6
8
10
V
DD
12
14
16
18
20
470 pF的
0
4
6
8
10
V
DD
12
14
16
18
图3.上升时间与电源电压
100
5V
100
图4.下降时间与电源电压
80
吨RISE （纳秒）
80
吨FALL （纳秒）
5V
60
10 V
15 V
60
10 V
15 V
40
40
20
0
100
20
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10000
1000
C
负载
（PF ）
10000
图5.上升时间与容性负载
32
C
负载
= 2200 pF的
30
28
时间（纳秒）
26
24
22
20
18
–55
t
上升
t
秋天
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
t
上升
t
秋天
80
DELAY TIME （ NS ）
100
图6.下降时间 - 容性负载
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10 V
t
D1
60
40
t
D2
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
T
A
(°C)
输入电压（V ）
图7.上升和下降时间与温度的关系
图8.传输延迟与输入幅度
http://onsemi.com
5
NCP4423 ， NCP4424 ，
NCP4425
3的双高速
MOSFET驱动器
该NCP4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四是MOSFET驱动器能够
在苛刻的电气环境中提供可靠的服务。
尽管主要用于驱动功率MOSFET ，这些
驱动程序是非常适合用于驱动其它负载（电容性，电阻性，
或电感），其需要能够高一低阻抗驱动器
峰值电流和快速的开关时间。应用，如严重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器都可以
被驱动的NCP4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四。唯一的已知的限制
上装载的是，总功耗驾驶员必须保持
内包的最大功耗的限制。
特点
http://onsemi.com
记号
图
16
SO–16
DW后缀
CASE 751G
1
1
NCP442x
YYWWXZ
16
高峰值输出电流（ 3 A）
宽工作电压范围（ 4.5 V至18 V ）
高容性负载驱动能力（ 1800 pF的25纳秒）
短延迟时间（ T40纳秒典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流
用逻辑“ 1 ”输入（3.5 mA）的
用逻辑“ 0 ”输入（ 350
A)
低输出阻抗（ 3.5
典型值）
闭锁保护：可承受1.5 A反向电流
逻辑输入可承受负电压高达5 V
ESD保护（ 4千伏）
8
PDIP–8
P后缀
CASE 626
1
NCP442x
YYWWXZ
CO
8
1
x
YY
WW
X
Z
CO
=设备号（3,4或5）
=年
=工作周
=汇编ID码
=分包商ID代码
=原产地
订购信息
设备
包
SO–16
SO–16
SO–16
PDIP–8
PDIP–8
PDIP–8
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
功能框图
VDD
反相
300毫伏
产量
输入
4.7 V
NCP4423双反相
NCP4424双非反相
NCP4425 ONE INV 。一NONINV
GND
有效
输入C = 20 pF的
（每个输入）
注意事项：
1. NCP4425有一个反相和同相1驱动程序。
2.地面任何未使用的驱动器输入。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
NCP4423DWR2
NCP4424DWR2
NCP4425DWR2
NCP4423P
NCP4424P
NCP4425P
同相
1
2000年10月 - 第1版
出版订单号：
NCP4423/D
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
引脚连接
4423
4424
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
4425
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
1
2
3
4
16引脚SO宽
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
NCP4423
NCP4424
NCP4425
8引脚DIP
NCP4423
NCP4424
NCP4425
8
7
6
5
16 NC
15 OUT A
14 OUT A
13 V
DD
12 V
DD
11 OUT B
10 OUT B
9
NC
NC =无连接
注意：
重复的引脚必须
两
连接才能正常
操作。
http://onsemi.com
2
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
绝对最大额定值
等级
电源电压
输入电压，在一个或IN B （V
DD
+ 0.3 V至GND - 5.0 V ）
最大芯片温度
存储温度范围，T
英镑
焊接温度（焊接， 10秒）
封装热阻
SOIC ，R
θJA
PDIP ，R
θJA
PDIP ，R
θJC
工作温度范围
封装功耗（T
A
v
70°C)
SOIC
PDIP
价值
+22
–5
+150
-65到+150
+300
155
–125
–45
-40至+85
470
730
°C
mW
mc
单位
V
V
°C
°C
°C
° C / W
电气特性
(T
A
= + 25°C时具有4.5 V
v
V
DD
v
18 V时，除非另有规定）。
特征
输入
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
I
S
V
IN
= 3.0 V（两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
–
–
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
t
R
t
F
t
D1
t
D2
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
–
–
–
–
23
25
33
38
35
35
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
–
–
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
–
占空比
v
2%
t
v
300
s
V
DD
–0.025
–
–
–
–
1.5
–
–
2.8
3.5
3.0
–
–
0.025
5.0
5.0
–
–
V
V
A
A
V
OH
V
IL
I
IN
–
–
0 V
v
V
IN
v
V
DD
2.4
–
–1.0
–
–
–
–
0.8
1.0
V
V
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
电气特性
（在工作温度范围内具有4.5 V
v
V
DD
v
18 V时，除非另有规定）。
特征
输入
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
I
S
V
IN
= 3.0 V（两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
–
–
2.0
0.2
3.5
0.3
mA
t
R
t
F
t
D1
t
D2
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
–
–
–
–
28
32
32
38
60
60
100
100
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
–
–
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 18 V
–
占空比
v
2%
t
v
300
微秒
V
DD
–0.025
–
–
–
–
1.5
–
–
3.7
4.3
3.0
–
–
0.025
8.0
8.0
–
–
V
V
A
A
V
IH
V
IL
I
IN
–
–
0 V
v
V
IN
v
V
DD
2.4
–
–10
–
–
–
–
0.8
10
V
V
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
测试电路
V
DD
= 16 V
1
F
WIMA
MKS–2
0.1
F
陶瓷的
产量
C
L
= 1800 pF的
测试电路
V
DD
= 16 V
1
F
WIMA
MKS–2
0.1
F
陶瓷的
产量
C
L
= 1800 pF的
输入
输入： 100 kHz时，
方波，
t
上升
= t
秋天
≤
10纳秒
1
2
NCP4423
（ 1/2 NCP4425 ）
输入
输入： 100 kHz时，
方波，
t
上升
= t
秋天
≤
10纳秒
1
2
NCP4424
（ 1/2 NCP4425 ）
+5 V
输入
0V
16 V
产量
0V
10%
10%
t
D1
90%
t
F
90%
+5 V
输入
90%
10%
90%
t
D1
10%
t
R
90%
t
D2
10%
t
D2
0V
t
R
90%
10%
16 V
产量
0V
t
F
图1.反相驱动器开关时间
图2.同相驱动器开关时间
http://onsemi.com
4
NCP4423 ， NCP4424 ， NCP4425
典型电气特性
100
4700 pF的
80
1000 pF的
吨RISE （纳秒）
吨FALL （纳秒）
60
3300 pF的
1500 pF的
2200 pF的
40
60
3300 pF的
2200 pF的
40
1500 pF的
80
1000 pF的
100
4700 pF的
20
470 pF的
0
4
6
8
10
V
DD
12
14
16
18
20
470 pF的
0
4
6
8
10
V
DD
12
14
16
18
图3.上升时间与电源电压
100
5V
100
图4.下降时间与电源电压
80
吨RISE （纳秒）
80
吨FALL （纳秒）
5V
60
10 V
15 V
60
10 V
15 V
40
40
20
0
100
20
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10000
1000
C
负载
（PF ）
10000
图5.上升时间与容性负载
32
C
负载
= 2200 pF的
30
28
时间（纳秒）
26
24
22
20
18
–55
t
上升
t
秋天
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
t
上升
t
秋天
80
DELAY TIME （ NS ）
100
图6.下降时间 - 容性负载
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10 V
t
D1
60
40
t
D2
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
T
A
(°C)
输入电压（V ）
图7.上升和下降时间与温度的关系
图8.传输延迟与输入幅度
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