NCP4330
后稳压驱动程序
的NCP4330容纳双MOSFET驱动器旨在被用作
在AC -DC或DC -DC多路输出后的配套芯片调节
电源供应器。直接由次级AC信号馈送，所述
装置保持的功耗最低，同时降低了
周围的元件数量。此外，一个实施
N沟道MOSFET给出NCP4330基于应用的显著
优势在效率方面。
特点
http://onsemi.com
记号
图
8
8
1
4330D
A
L
Y
W
SO8
后缀
CASE 751
1
=设备号
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
4330D
ALYW
欠压锁定
对于过热保护热关断
PWM操作同步到频率转换器
高门驱动能力
引导的N-MOSFET高侧驱动
交迭管理软开关
高效率后监管
理想的频率高达400 kHz的
这是一个Pb - Free设备
典型应用
ATX 3V3后监管
离线SMPS与磁放大器后监管
多输出DC- DC转换器
V
DD
V
DD
VREF ， UVDth
带隙
水平
移
AR2
HS_DRV
卜FF器
引脚连接
HS_DRV 1
BST 2
RST 3
BST
C_ramp 4
（ TOP VIEW ）
8 GND
7 LS_DRV
6 V
DD
5 I_ramp
V
DD
欠压检测
（ UVD高，如果V
DD
< 4.9 V）
RST
复位模块
U4
+
IRAMP
V
DD
当前
镜
UVD
HS_DRV和
LS_DRV低
订购信息
U1
逆变器
设备
NCP4330DR2G
包
SO8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
U3
V
DD
AR3
LS_DRV
卜FF器
2.5 V/1.5 V
C_ramp
I_ramp
IRAMP
OR
迟滞
比较
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
GND
图1.框图
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 修订版0
出版订单号：
NCP4330/D
NCP4330
转换器绕组
电压
0V
时间
同步
信号
2.55 V
时间
内部复位
信号
时间
C_ramp电压
0V
VREFH
VREFL
时间
高侧驱动器
（参考
HS MOSFET的源极）
时间
低侧驱动器
100 ns的延迟
100 ns的延迟
时间
图2.时序图（S ）
详细的引脚说明（S ）
针
数
1
2
名字
HS_DRV
BST
功能
“ HS_DRV ”是高侧MOSFET的栅极驱动器。
“ BST ”是自举销。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容被连接到该引脚之间
那是共同的线圈和两个MOSFET上的节点。在“ BST ”电压馈高端
驱动程序（ “ HS_DRV ”）。
在“ RST ”复位引脚的C_ramp电压，以便同步后稳压器随心所欲
序列的正向转换器退磁阶段。
连接到C_ramp端子的电容器使得能够调整延迟在导通高边
MOSFET （与“ I_ramp ”目前联） 。
在“ I_ramp ”引脚接收到由调节供给的电流手段。该电流调节后的延迟
其中高边MOSFET导通。通过这种方式，模块的高边MOSFET导通时间
为了调节输出电压。
“V
DD
“是电源输入端。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚连接
对地去耦。
“ LS_DRV ”是低侧MOSFET的栅极的驱动器输出。
地面上。
3
4
5
RST
C_ramp
I_ramp
6
7
8
V
DD
LS_DRV
GND
http://onsemi.com
2
NCP4330
最大额定值
符号
BST
RST
C_ramp
I_ramp
V
DD
R
qJA
T
J
T
JMAX
T
SMAX
T
LMAX
自举输入
复位输入
定时电容节点（注1 ）
调节电流输入（注1 ）
电源电压
热阻
工作结温范围（注2 ）
最高结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
等级
价值
0.3, +40
0.3, +5.0
0.3, V
rampHL
-0.3 ， Vcl的
0.3, +20
180
40, +125
150
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. V
rampHL
和Vcl的是引脚4和5的内部的钳位电平分别。
2.最大结温不应超过。
电气特性
(V
DD
= 10 V, V
BST
= 25 V ，T
J
从-25 ℃至+ 125 ℃，除非另有说明）。
符号
高边输出级
V
HS_H
V
HS_L
I
SOURCE_HS
I
sink_HS
t
RθHS
t
F- HS
T
LS- HS
高侧输出电压为高电平状态@ ISOURCE = -100毫安
高侧输出电压低状态@ ISINK = 100毫安
高侧驱动输出为高电平状态的电流能力
高侧驱动输出的低电平状态的电流能力
高侧输出电压的上升时间从0.5 V至12 V （C
L
= 1.0 NF）
高侧输出电压下降时间从20 V至0.5 V （C
L
= 1.0 NF）
从低侧栅极驱动器低（高）于高侧驱动器高（低）延迟
22.5
23.5
0.9
0.5
0.75
25
25
100
1.5
V
V
A
A
ns
ns
ns
特征
民
典型值
最大
单位
低边输出级
V
LS_H
V
LS_L
I
source_LS
I
sink_LS
t
R- LS
t
F- LS
低边输出电压为高电平状态@ ISOURCE = -500毫安
低侧输出电压低的状态@ ISINK = 750毫安
低侧驱动输出为高电平状态的电流能力
低侧驱动输出的低电平状态的电流能力
低侧输出电压的上升时间从0.5 V至7.0 V（C
L
= 2.0 NF）
低边输出电压下降时间从9.5 V至0.5 V （C
L
= 2.0 NF）
7.4
8.2
1.3
0.5
0.75
25
25
1.7
V
V
A
A
ns
ns
斜坡控制
I
收费
C_ramp电流
@ Ipin5 = 100
mA
@ Ipin5 = 1.5毫安
5脚钳位电压@ Ipin5 = 1.5毫安
斜坡控制参考电压， Vpin4落
斜坡控制参考电压， Vpin4上升
斜坡电压最大值@ Ipin5 = 1.5毫安
斜坡电压低电压@ Ipin5 = 1.5毫安
mA
90
1400
0.7
1.3
2.25
3.2
102
1590
1.4
1. 5
2.5
3.6
110
1800
2.1
1.7
2.75
4.2
100
V
V
V
V
mV
VCL
VREF
L
VREF
H
V
rampHL
V
rampLL
http://onsemi.com
3
NCP4330
电气特性（续）
(V
DD
= 10 V, V
BST
= 25 V ，T
J
在-25° C至+ 125 ° C，除非另有
指定的。 ）
符号
V
DD
管理
UVD
H
UVD
L
H
UVD
I
DD1
I
DD2
I
DD3
复位模块
V
RST_TH
H
RST
T
RESET
I
RESET
V
CL- NEG
复位门限座
复位比较滞后
复位脉冲持续时间
C_ramp引脚的平均电流，一个200千赫兹， 50％占空比脉冲发生器
被应用到复位引脚和1.0 V至引脚4 （ C_ramp ）和@ IRAMP = 0
负钳位电平@ Ipin3 = -2.0毫安
2.2
0.8
0.3
0.5
2.5
1.0
250
0.7
0.3
2.8
500
0
V
V
ns
mA
V
欠压锁定门限（V
DD
RISING ）
欠压锁定门限（V
DD
FALLING ）
欠压闭锁滞后
消费：
@ Vpin4 = 3.0 V和Ipin5 = 500
mA
@ Vpin4 = 0 V和Ipin5 = 500
mA
@ Vpin4振荡0至3.0 V ，200千赫， Ipin5 = 500
mA
5.2
4.9
400
5.8
5.2
600
13
7.0
10
6.4
5.5
20
12
15
V
V
mV
mA
特征
民
典型值
最大
单位
温度保护
T
极限
H
温度
热关断阈值
热关断迟滞
150
50
°C
°C
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4
QQ：2880707522 复制
