NCP382
固定限流
配电
开关
该NCP382是一款单输入双输出，高侧
配电开关设计应用重
容性负载和短路可能会遇到。该
设备包括一个集成的80毫瓦， P沟道MOSFET 。该
装置通过切换到一个将输出电流限制到所需的水平
当输出负载超过限流恒定电流模式
阈值或短的存在。限流阈值内
固定的。电源开关的上升和下降时间被控制
开关过程中最大限度地减少电流振荡。
过流时的FLAG逻辑输出置为低电平或
温度过高的情况。该开关是由一个逻辑使能控制
输入高电平或低电平。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
1
DFN8 3x3的
CASE 506BW
1
XXXXX
XXXXX
ALYWG
G
8
8
1
SOIC - 8 NB
CASE 751
1
XXXXXX
ALYWX
G
2.5 V - 5.5 V工作范围
80 mW的高边MOSFET
电流限制：固定500毫安， 1 A， 1.5 A和2将
欠压锁定（ UVLO ）
软启动可防止涌流
热保护
软关断
启用Active高或低（ EN或EN ）
符合IEC61000-4-2 （4级）
8.0千伏（联系）
15千伏（空气）
UL列名
文件号E343275
IEC60950
第2版
修订1认证（ CB体系）
这些无铅器件
典型应用
XXXXX =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
笔记本电脑
USB端口/集线器
TVS
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年2月
启8
1
出版订单号：
NCP382/D
NCP382
USB
数据
D+
D
USB
VBUS
PORT
GND
120
mF
USB
数据
D+
D
USB
VBUS
PORT
GND
120
mF
USB输入
5V
RFAULT
100千瓦
FLAG1
EN1
FLAG2
EN2
1
mF
IN
OUT1
NCP382
FLAG1
EN1
FLAG2
EN2
GND
OUT2
图1.典型应用电路
GND
IN
EN1
EN2
1
2
3
4
（ TOP VIEW ）
DFN8
8 FLAG1
7 OUT1
6 OUT2
5 FLAG2
GND
IN
EN1
EN2
1
2
3
4
8
7
6
5
FLAG1
OUT1
OUT2
FLAG2
SOIC8
图2.引脚连接
引脚功能说明
引脚名称
EN1
EN2
GND
IN
FLAG1
FLAG2
OUT1
TYPE
I
I
P
P
O
O
O
描述
启用1路输入，逻辑低/高（即EN或EN ）打开电源开关。
启用2输入，逻辑低/高（即EN或EN ）打开电源开关。
接地连接。
电源开关输入电压;连接1
mF
或更大的陶瓷电容，至GND尽可能接近到
该IC 。
过流或过温条件下在低电平有效的漏极开路输出1 ，有效。连接一个10千瓦或
更大的电阻上拉，否则悬空。
过流或过温条件下在低电平有效的漏极开路输出2 ，有效。连接一个10千瓦或
更大的电阻上拉，否则悬空。
电源开关输出1 ;连接1
mF
陶瓷电容OUT1至GND ，尽可能靠近IC放置。
推荐此最小值为USB要求的负载瞬态响应和强烈的短期
电路。
电源开关输出2 ;连接1
mF
陶瓷电容OUT2接地，尽可能靠近IC放置。
推荐此最小值为USB要求的负载瞬态响应和强烈的短期
电路。
OUT2
O
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2
NCP382
最大额定值
等级
从到OUT1 ，从以OUT2电源电压（注1 ）
IN， OUT1 ， OUT2 ， EN1 ， EN2 ， FLAG1 ， FLAG2 （注1 ）
FLAG1 ， FLAG2灌电流
ESD耐受电压（ IEC 61000-4-2 ） （仅输出，当
旁路1.0
mF
电容最小）
人体模型（ HBM ） ESD额定值为（注2 ）
机器模型（ MM ） ESD额定值为（注2 ）
锁定保护（注3 ）
引脚， OUT1 ， OUT2 ， FLAG1 ， FLAG2
EN1 ， EN2
最高结温（注4 ）
存储温度范围
湿气敏感度（注5 ）
符号
V
中，
V
OUT1
,V
OUT2
V
IN，
V
OUT1,
V
OUT2,
V
EN1,
V
EN2,
V
FLAG1
, V
FLAG2
I
SINK
IEC ESD
ESD HBM
ESD MM
LU
价值
7.0
到+7.0
0.3
到+7.0
1.0
15空气，接触8
2000
200
100
40
到+ TSD
40
到+ 150
LEVEL 1
单位
V
V
mA
kV
V
V
mA
T
J
T
英镑
MSL
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.根据JEDEC标准JESD22- A108 。
2.此设备系列包含ESD保护和通过了以下测试：
人体模型（ HBM ） ±2.0千伏根据JEDEC标准： JESD22- A114的所有引脚。
机器模型（ MM ） +/-根据JEDEC标准的200 V ： JESD22 - A115的所有引脚。
3，闩锁电流最大额定值：
$100
毫安根据JEDEC标准：二JESD78类。
4.热关断保护可避免由于功耗的设备上不可逆转的损害。
5.潮湿敏感度等级（ MSL ） ： 1元IPC / JEDEC标准： J- STD- 020 。
工作条件
符号
V
IN
V
ENX
T
A
I
SINK
C
IN
C
的OUTx
R
qJA
T
J
I
的OUTx
P
D
参数
工作电源
开启电压
环境温度范围
FLAG灌电流
去耦电容输入
去耦电容输出
热阻结到空气
每个集线器USB端口
DFN - 8封装（注6及7 ）
SOIC - 8封装（注6及7 ）
结温范围
推荐最大直流
当前
功率耗散额定值（注8）
T
A
v
25°C
T
A
= 85°C
DFN -8封装
SOIC - 8封装
DFN -8封装
SOIC - 8封装
DFN -8封装
SOIC - 8封装
850
570
428
285
40
1
120
140
210
25
+125
2
1.5
条件
民
2.5
0
40
25
典型值
最大
5.5
5.5
+85
1
°C
mA
mF
mF
° C / W
° C / W
°C
A
A
mW
mW
mW
mW
单位
V
6.热关断保护可避免由于功耗的设备上不可逆转的损害。
7.第r
qJA
是依赖于印刷电路板的散热。宣布热电阻是除非PCB的散热，并且可以提高与
最终的PCB布局。
8.最大功耗（P
D
）由下式给出下面的公式：
T
*
T
P
D
+
JMAX
A
R
qJA
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3
NCP382
电气特性
闵&最大限制适用对于T
A
间
40°C
至+ 85°C和T
J
高达+ 125°C的V
IN
间
2.5 V至5.5 V （除非另有说明） 。典型值被引用至T
A
= + 25 ° C和V
IN
= 5 V.
符号
开关
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
T
R
T
F
静态漏源导通电阻
（ SOIC - 8封装）
静态漏源导通电阻
（ DFN8封装）
输出上升时间
输出下降时间
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 3.6 V至5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 2.5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 2.5 V
使能输入ENX或ENX
V
IH
V
IL
I
ENX
T
ON
T
关闭
I
OCP
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流
启动时间
关闭时间
限流阈值（最大直流
输出电流I
的OUTx
交付加载）
V
IN
= 5 V ，固定资产0.5 A
V
IN
= 5 V ，固定资产1.0
V
IN
= 5 V ，固定资产1.5 A
V
IN
= 5 V ，固定2将
T
DET
T
REG
T
OCP
V
UVLO
V
HYST
T
RUVLO
I
INOFF
I
INON
响应时间来短路
调节时间
过电流保护时间
IN引脚低电平输入电压
IN引脚迟滞
重新布防时间
低电平输出电源电流
高电平输出电源电流
V
IN
升起
T
J
= 25°C
V
IN
升起
V
IN
= 5 V ，在OUTX无负载，设备关闭
V
ENX
=
0
V或V
ENX
= 5 V
0.5 A
1和1.5
2A
I
转
标志引脚
V
OL
I
泄漏
T
FLG
T
FOCP
T
SD
T
SDOCP
T
RSD
FLAGX输出低电压
断态泄漏
FLAGX抗尖峰脉冲
FLAGX抗尖峰脉冲
热关断阈值
热调节的阈值
热调节的阈值重新武装
I
FLAGx
= 1毫安
V
FLAGx
= 5 V
FLAGX去断言时，由于
过电流
FLAGX断言，由于过流
4
6
0.02
6
8
140
125
115
400
1
9
12
mV
mA
ms
ms
°C
°C
°C
反向漏电流
V
的OUTx
= 5 V,
V
IN
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
1.0
V
IN
= 5 V
2.0
14
2.0
25
5.0
V
ENX
= 0 V, V
ENX
= 5 V
C
负载
= 1
MF，
R
负载
= 100
W
（注9 ）
0.5
1.0
1.0
0.5
1.0
1.5
2
0.6
1.2
1.75
2.25
2.0
3.0
20
2.35
40
10
2.0
4.0
26
2.5
60
15
3.0
95
100
115
125
130
140
2.0
mA
1.2
0.4
0.5
3.0
3.0
0.7
1.4
2.0
2.5
ms
ms
ms
V
mV
ms
mA
mA
V
V
mA
ms
ms
A
-40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
80
0.3
0.2
0.1
0.1
1.0
0.65
-40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
C
负载
= 1
MF，
R
负载
= 100
W
（注9 ）
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 3.6 V至5 V
80
110
140
95
100
1.5
1.0
0.5
0.5
ms
mW
mW
参数
条件
民
典型值
最大
单位
电流限制
欠压锁定
电源电流
热关断
9.参数都保证对C
负载
和R
负载
连接到OUTX销相对于地面。
10. DFN封装而已。
11.通过特性保证。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
