【NCP349正过压保护控制器内部低ONNMOS FET在NCP349是能够从它的输出引脚断开系统如果】,IC型号NCP349MNAETBG,NCP349MNAETBG PDF资料,NCP349MNAETBG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NCP349

正过压

保护控制器

内部低

NMOS FET

在NCP349是能够从它的输出引脚断开系统

如果错误的输入操作条件下被检测。该系统是

正过压保护高达+28 V.

由于采用内部的NMOS该装置中，没有外部设备是

必要时，降低了系统成本和的PCB面积

应用电路板。

在NCP349是能够从瞬时断开输出

输入时，由于集成低R

功率的NMOS （65毫瓦），如果

输入电压超过过压阈值（ OVLO ）或

欠压门限（ UVLO ）。

在上电时（ EN引脚=低电平）时， V

OUT

开启吨

经过时间

在V

超过欠压阈值。

在NCP349提供了一个负向位（FLAG ）的输出，这

警报已发生故障的系统。

此外，该装置具有ESD保护的输入端（15千伏空气）时

绕过了1.0

或更大的电容。

特点

http://onsemi.com

DFN6

MN后缀

CASE 506BM

记号

图

XX MG

XX =具体设备守则

M =日期代码

= Pb-Free包装

引脚连接

GND

旗

（ TOP VIEW ）

PAD1

OUT

过压保护高达28 V

片内低R

DS （ ON）

NMOS晶体管： 65毫瓦

内部电荷泵

过压锁定（ OVLO ）

欠压锁定（ UVLO ）

软启动

警报

旗

产量

关闭

输入

符合IEC61000-4-2 （4级）

8.0千伏（联系）

15千伏（空气）

ESD额定值：机器型号= B

人体模型= 3

DFN6 1.6x2毫米包装

这是一个Pb - Free设备

应用

订购信息

查看详细的订购，标记和航运信息

包装尺寸本数据手册的第11页上的一节。

手机

拍照手机

数码相机

个人数字应用

MP3播放器

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年3月

第0版

出版订单号：

NCP349/D

NCP349

墙上适配器

交流/直流

USB

NCP349

OUT

旗

CC / CV

充电器或

系统

电池

BAT

10 k

启用/

GND

微处理器

图1.典型应用电路

输入

门

司机

产量

REF

收费

泵

EN块

UVLO

OVLO

控制

逻辑与

定时器

旗

GND

图2.功能框图

http://onsemi.com

NCP349

引脚功能说明

PIN号

1, 7

符号

功能

输入

描述

输入电压引脚。这些引脚连接到墙壁Adapoter （AC- DC ， Vbus用..）。 A 1

低

ESR的陶瓷电容，涨幅较大，必须连接这些引脚之间和GND ，亲如

可能给DUT 。两人在引脚必须连接在一起，电源。（见PCB recom-

议书的管脚7 ）。

地

故障指示引脚。该引脚允许外部系统检测到故障上的IN端子。国旗销

为低电平时，输入电压超过OVLO阈值或低于UVLO门限。自从

FLAG引脚为漏极开路的功能，外部上拉电阻到V

必须添加。（最低

10千瓦）。

输出电压引脚。这些引脚按照引脚时， “无过错”进行检测。这两个OUT引脚必须

硬连接在一起。

使能引脚。该器件进入关断模式时，此引脚连接到一个较高的水平。在这种情况下

输出被从输入端断开。要允许正常功能， EN引脚应连接到

GND到下拉或一个I / O引脚。这个引脚没有上的故障检测产生影响。

GND

旗

动力

产量

4, 5

OUT

产量

输入

最大额定值

等级

最低电压（IN到GND）

最低电压（所有其他人GND）

最大电压（IN到GND）

最大电压（所有其他人GND）

最大电流（ UVLO<V

<OVLO ）

热阻，结到空气（注1 ）

工作环境温度范围

存储温度范围

结工作温度

ESD耐受电压（ IEC 61000-4-2 ）（仅输入）时，用1.0绕过

电容

人体模型（ HBM ），型号= 2 （注2 ）

机器模型（ MM ）型号= B（注3 ）

湿气敏感度

符号

VMIN

VMAX

IMAX

qJA

英镑

VESD

价值

0.3

7.0

2.0

180

+85

+150

150

15航， 8.0联系

2000

200

LEVEL 1

单位

° C / W

°C

MSL

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.第r

qJA

高度依赖于PCB的散热区（连接到引脚7）。

2.人体模型， 100pF的通过一个1.5千瓦的电阻以下规范JESD22 / A114出院。

3.机器型号， 200 pF的通过所有引脚以下规格JESD22 / A115出院。

http://onsemi.com

NCP349

电气特性

（最小/最大限制值（ -40°C <牛逼

< + 85 ℃）和V

= 5.0 V.典型值有T

= +25°C,

除非另有说明）。

输入电压范围

欠压锁定阈值（注4 ）

欠压闭锁滞后

过压锁定阈值（注4 ）

NCP349MNAE

过压闭锁滞后

NCP349MNAE

与V

OUT

阻力

供应静态电流

特征

符号

UVLO

HYST

OVLO

HYST

DS （ ON）

国际直拨电话

条件

倒下UVLO阈值

从5 V至2.7 V

上升UVLO + UVLO

HYST

上升OVLO门槛

倒下OVLO + OVLO

HYST

= 5.0 V ， EN = GND ，

负载与V

OUT

无负载。 EN = 5.0 V

无负载。 EN = GND

UVLO电源电流

旗

输出低电压

国际直拨电话

UVLO

VOL

旗

= 2.7 V

1.2 V < V

< UVLO

沉50

上/ FLAG引脚

> OVLO

沉FLAG引脚上1.0毫安

旗

漏电流

电压高

电压低

漏电流

计时

启动延时

NCP349MNAE

旗

往上延迟

NCP349MNAE

输出关断时间

花花公子

T开始

吨

从V

> UVLO到V

OUT

= 0.3 V

（见图3 & 7 ）

从V

OUT

= 0.3 V至FLAG =

1.2 V（参见图3 & 9 ）

从V

> OVLO到V

OUT

＆ LT ; =

0.3 V （见图4 & 8 ）

从5.0 V提高到8.0 V

在3.0 V / ms的

R负载连接在V

OUT

从V

> OVLO到FLAG < =

0.4 V（参见图4 & 10 ）

从5.0 V提高到8.0 V

在3.0 V / ms的

R负载连接在V

OUT

从EN > = 1.2 V至

OUT

< 0.3 V

RLOAD = 5.0

（见图5 & 12 ）

6.0

1.5

5.0

旗

泄漏

VIH

VOL

泄漏

FLAG水平= 5.0 V

EN = 5.0 V或GND

民

1.2

2.8

5.53

1.2

典型值

2.95

5.68

140

1.0

最大

3.1

5.83

110

150

250

400

0.4

单位

警报延迟

TSTOP

1.0

禁止时间

TDI发动机

1.0

5.0

注：电气参数通过在整个温度范围内的相关保障。

4.附加UVLO和OVLO阈值，从UVLO和OVLO可以制造。请联系您的安森美半导体

代表可用性。

http://onsemi.com

NCP349

时序图

<OVLO

DS （ ON）

开始

旗

1.2 V

停止

0.4 V

OUT

DS （ ON）

OVLO

关闭

0.3 V

UVLO

OUT

0.3 V

图3.启动

图4.关机的过压检测

OUT

DS （ ON）

旗

1.2 V

DIS

0.3 V

旗

1.2 V

OVLO

UVLO

+ t

开始

图5.禁用于EN = 1

图6.旗响应与EN = 1

http://onsemi.com