NCP3488
与双MOSFET驱动器
输出为同步
降压转换器
该NCP3488是单相12 V MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。高侧和
低侧驱动器能够驱动3000 pF负载为25纳秒
传播延迟和20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。国内
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达30 V ，具有瞬态电压高达35V。两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
特点
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记号
图表
8
8
1
A
L
Y
W
G
SO8
后缀
CASE 751
N3488
ALYW
G
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
8
DRVH
SWN
保护地
DRVL
系统保护热关断
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
MOSFET
防交叉传导保护电路
浮顶驱动升压容纳高达30 V电压
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM10.x和VRM11.x规格
欠压锁定
热关断
耐热增强型封装
这是一个Pb - Free设备
订购信息
设备
NCP3488DR2G
包
SO8
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年5月
第1版
1
出版订单号：
NCP3488/D
NCP3488
OD
3
V
CC
TSD
UVLO
IN
2
8
DRVH
1
BST
落下
EDGE
延迟
落下
EDGE
延迟
开始
停止
非重叠
计时器
MONITOR
7
MONITOR
SWN
MIN DRVL
关闭计时器
4
5
6
V
CC
DRVL
保护地
图1.框图
引脚说明
PIN号
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值介于
100 NF和1.0
μF的。
外部二极管需要与NCP3488 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SWN
DRVH
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2
NCP3488
最大额定值
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
JEDEC湿度敏感度等级
无铅（注3 ）
（ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
65
150
260峰
1
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2. 2层电路板， 1
2
铜， 1盎司厚度。
3. 60-180秒最小值以上237 ℃。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
BST
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压输入
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
30 V
BST + 0.3 V
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0V
V
民
0.3
V
0.3
V WRT / SW
SW
DRVH
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
1.0
V DC
10
V< 200纳秒
0.3
V WRT / SW
DRVL
IN
OD
保护地
注意：
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
地
0.3
V DC
2.0
V < 200纳秒
0.3
V
0.3
V
0V
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP3488
电气特性
（注4 ） （V
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ）
特征
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
传播延迟时间（注5 ）
PWM输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间（注5 ）
传播延迟（注5 & 6 ）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
超时延迟
转换时间
传播延迟
欠压锁定
UVLO启动
UVLO关闭
迟滞
热关断
过温保护
迟滞
4.
5.
6.
7.
（注7 ）
（注7 ）
150
170
20
°C
°C
3.7
3.2
0.3
3.9
3.5
0.4
4.4
3.9
0.7
V
V
V
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
V
CC
= 12 V （注7 ）
V
CC
V
SW
= 12 V （注7 ）
DRVH -SW = 0
C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
（参见图3）
1.8
1.0
85
16
11
30
20
W
W
ns
ns
ns
ns
ns
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
V
SW
= 12 V （注7 ）
V
BST
V
SW
= 12 V （注7 ）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
V
BST
V
SW
= 12 V
1.8
1.0
16
11
30
25
W
W
ns
ns
ns
ns
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
500
0.8
+1.0
V
V
mV
mA
t
pdlOD
t
pdhOD
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
30
30
500
50
50
0.8
+1.0
60
60
V
V
mV
mA
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12 V ， IN = 0 V
4.6
2.0
13.2
6.0
V
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
AC特定网络阳离子通过特性保证，但未经生产测试。
传播延迟， “T
PDH
''指的是指定的信号变为高电平; “T
PDL
''是指它要低。
GBD ：由设计保证;在生产中测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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4
NCP3488
OD
t
pdlOD
90%
DRVH
or
DRVL
10%
t
pdhOD
图2.输出禁止时序图
IN
t
pdlDRVL
t
fDRVL
90%
10%
t
pdhDRVH
t
rDRVH
90%
t
pdlDRVH
90%
2V
10%
t
pdhDRVL
t
fDRVH
10%
t
rDRVL
DRVL
90%
2V
DRVH -SW
10%
SW
图3.非重叠时序图
应用信息
工作原理
高侧驱动器
该NCP3488是单相MOSFET驱动器设计
用于驱动两个N沟道MOSFET的同步降压
转换器拓扑结构。该NCP3488将从5 V工作或
12 V ，但它已被优化用于高电流多相位
降压型稳压器，转换成12伏的铁路直接将核心
需要复杂的逻辑芯片的电压。单个PWM输入
信号所需的所有正常驱动高侧和
低侧MOSFET 。每个驱动器能够驱动一对
3.3 nF的负载，频率高达500 kHz 。
低侧驱动器
低侧驱动器设计用于驱动
接地参考的低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。该
电压轨为低侧驱动器内部连接到
在V
CC
电源和GND 。
高边驱动器设计用于驱动一个浮动小
R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。的栅极电压为高
侧驱动器是通过参考一个自举电路开发
交换节点（ SW ）引脚。
自举电路包括一个外部二极管，
和外部自举电容。当NCP3488是
启动时， SW引脚接地，这样启动
电容器充电至V
CC
通过自举二极管
参见图4，当PWM输入为高电平时，高侧
驱动器将开始使用以打开高侧MOSFET
存储电荷的自举电容。作为高侧
MOSFET导通， SW引脚将上升。当高侧
MOSFET处于完全导通时，交换节点将在12伏，且
在BST引脚将在12伏加的充电
自举电容（接近24伏）。
自举电容充电时开关
节点的下一个周期期间变低。
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5
