NCP346
过压保护IC
该NCP346过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
4.45至5.5 V ，并且可以用一个电阻分压器向上调整
在V之间
CC
，IN和GND引脚。它适用于单细胞
锂离子电池应用以及3/4芯镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
5
1
引脚连接&
标记图
出1
xxxYW
GND
CNTRL
2
3
（ TOP VIEW ）
xxx
xxx
Y
W
= SQZ的NCP346SN1
= SRD的NCP346SN2
=年
=工作周
5
V
CC
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
4.45 V和5.5 V准确的电压阈值（标称）
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
这些无铅器件
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
4
IN
典型应用
订购信息
设备
包
航运
3000 /磁带&卷轴
（ 7英寸卷）
NCP346SN1T1G SOT- 23-5
（无铅）
NCP346SN2T1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
（可选）
IN
（可选）
+
V
REF
NCP346
GND
CNTRL
FET
司机
V
CC
P- CH
+
OUT
逻辑
C1
负载
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
2004年12月，
第4版
1
出版订单号：
NCP346/D
NCP346
V
CC
(5)
IN
(4)
V5
预稳压器
R1
V
CC
ON / OFF OUT
司机
OUT
(1)
V
CC
+
COMP
R2
带隙
参考
CNTRL
(3)
逻辑
块
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在IN的电压电平或逻辑状态控制
在CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
在少
比1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高电平结果
在输出信号驱动到内1.0 V V的
CC
其断开FET 。输入通过一个接低电平
内部50千瓦的下拉电阻。因此建议在输入被连接到GND ，如果它不被使用。
该引脚检测外部电压点。如果该输入电压超过过压阈值（Ⅴ
th
),
OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称阈值电平可以是
随着中， V的加入一个外部电阻分压器
CC
和GND 。
正电源电压。输出被保证在低状态（ MOSFET导通），只要V
CC
仍以上
2.5伏，并在下面的过压阈值。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP346
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
输入引脚电压V
CC
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻，结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
针
1
4
3
4, 5
5
3
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V(V
CC,
IN）
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
最大
30
30
13
15
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
ATTRIBUTES
特征
ESD保护
根据JEDEC标准JESD22- A114人体模型（ HBM ）
根据JEDEC标准JESD22- A114机器模型（ MM ）
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
晶体管数量
根据JEDEC标准EIA / JESD78闭锁电流最大额定值
1。有关其他湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
价值
v
2.5千伏
v
250 V
LEVEL 1
89
v
150毫安
http://onsemi.com
3
NCP346
过压保护IC
该NCP346过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
4.45至5.5 V ，并且可以用一个电阻分压器向上调整
在V之间
CC
，IN和GND引脚。它适用于单细胞
锂离子电池应用以及3/4芯镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
5
1
引脚连接&
标记图
出1
GND
2
3
（ TOP VIEW ）
XXX = SQZ的NCP346SN1
= SRD的NCP346SN2
A
= Asembly位置
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
5
V
CC
XXXAYWG
G
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
4.45 V和5.5 V准确的电压阈值（标称）
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
这些无铅器件
CNTRL
4
IN
典型应用
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
订购信息
设备
包
航运
3000 /磁带&卷轴
（ 7英寸卷）
NCP346SN1T1G SOT- 23-5
（无铅）
NCP346SN2T1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
（可选）
IN
+
V
REF
NCP346
GND
CNTRL
V
CC
P- CH
+
逻辑
FET
司机
C1
OUT
负载
（可选）
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年9月 - 修订版6
出版订单号：
NCP346/D
NCP346
V
CC
(5)
IN
(4)
V5
预稳压器
R1
V
CC
逻辑
块
ON / OFF OUT
司机
OUT
(1)
V
CC
+
COMP
R2
带隙
参考
CNTRL
(3)
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在IN的电压电平或逻辑状态控制
在CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
在少
比1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高电平结果
在输出信号驱动到内1.0 V V的
CC
其断开FET 。输入通过一个接低电平
内部50千瓦的下拉电阻。因此建议在输入被连接到GND ，如果它不被使用。
该引脚检测外部电压点。如果该输入电压超过过压阈值（Ⅴ
th
),
OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称阈值电平可以是
随着中， V的加入一个外部电阻分压器
CC
和GND 。
正电源电压。输出被保证在低状态（ MOSFET导通），只要V
CC
仍以上
2.5伏，并在下面的过压阈值。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP346
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
输入引脚电压V
CC
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻，结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
针
1
4
3
4, 5
5
3
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V(V
CC,
IN）
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
最大
30
30
13
15
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
ATTRIBUTES
特征
ESD保护
根据JEDEC标准JESD22- A114人体模型（ HBM ）
根据JEDEC标准JESD22- A114机器模型（ MM ）
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
晶体管数量
根据JEDEC标准EIA / JESD78闭锁电流最大额定值
1。有关其他湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
价值
v
2.5千伏
v
250 V
LEVEL 1
89
v
150毫安
http://onsemi.com
3
NCP346
电气特性
(NCP346SN1T1)
（对于典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ）
特征
V
CC
工作电压范围
总电源电流（IN连接到V
CC
; ON模式，V
CC
= 4.0 V,
CNTRL引脚悬空，稳态）
总电源电流（IN连接到V
CC
;关模式通过驱动
CNTRL引脚，V
CC
= 4.0 V, V
CNTRL
= 1.5 V，稳态）
总电源电流（IN连接到V
CC
;关模式通过驱动
过电压，V
CC
= 5.0 V ， CNTRL引脚悬空，稳态）
输入阈值（以连接到V
CC
; V
CC
增加）
输入阈值（以连接到V
CC
; V
CC
递减）
输入迟滞（IN连接到V
CC
)
IN引脚的输入阻抗
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
输出电压高（IN连接到V
CC
, V
CC
= 5.0 V)
I
来源
= 10毫安
I
来源
= 0.25毫安
I
来源
= 0毫安
输出电压低（IN连接到V
CC
, V
CC
= 4.0 V， CNTRL引脚
浮动）
I
SINK
= 0毫安
输出灌电流（IN连接到V
CC
, V
CC
= 4.0 V， CNTRL引脚
浮，V
OUT
= 1.0 V)
导通延迟 - 输入（IN连接到V
CC
; V
CC
下台的
5.0 V至4.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
< 1.0 V）
延时关闭 - 输入（IN连接到V
CC
; V
CC
台阶从
4.0 V至5.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
＆ GT ; V
CC
1.0 V)
延时关闭 - CNTRL （IN连接到V
CC
; V
CC
= 4.0 V, V
CNTRL
步骤从0.5 V至2.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
＆ GT ; V
CC
1.0 V)
针
5
4,5
4,5
4,5
4
4
4
4
3
3
3
3
1
符号
V
CC （ OPT ）
I
CC ON
I
CC OFF
CNTRL
I
CC OFF
IN
V
th
（ LH ）
V
th
（ HL）。
V
HYST
R
in
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
oh
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
1
V
ol
0.1
V
民
2.5
4.3
4.3
30
1.5
典型值
650
700
750
4.45
4.4
50
55
90
9.0
最大
25
1200
1200
1200
4.6
4.6
85
0.5
200
20
单位
V
mA
mA
mA
V
V
mV
kW
V
V
mA
mA
V
1
1
1
1
I
SINK
t
on
IN
t
关闭
IN
t
关闭
CNTRL
4.0
10
1.8
0.6
0.5
16
3.5
1.0
1.0
mA
毫秒
毫秒
毫秒
http://onsemi.com
4
NCP346
电气特性
(NCP346SN2T1)
（对于典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ）
特征
V
CC
工作电压范围
总电源电流（IN连接到V
CC
; ON模式，V
CC
= 5.0 V,
CNTRL引脚悬空，稳态）
总电源电流（IN连接到V
CC
;关模式通过驱动
CNTRL引脚，V
CC
= 5.0 V, V
CNTRL
= 1.5 V，稳态）
总电源电流（IN连接到V
CC
;关模式通过驱动
过电压，V
CC
= 6.0 V， CNTRL引脚悬空，稳态）
输入阈值（以连接到V
CC
; V
CC
增加）
输入阈值（以连接到V
CC
; V
CC
递减）
输入迟滞（IN连接到V
CC
)
IN引脚的输入阻抗
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
输出电压高（IN连接到V
CC
, V
CC
= 6.0 V)
I
来源
= 10毫安
I
来源
= 0.25毫安
I
来源
= 0毫安
输出电压低（IN连接到V
CC
, V
CC
= 5.0 V ， CNTRL引脚
浮动）
I
SINK
= 0毫安
输出灌电流（IN连接到V
CC
, V
CC
= 5.0 V ， CNTRL引脚
浮，V
OUT
= 1.0 V)
导通延迟 - 输入（IN连接到V
CC
; V
CC
下台的
6.0 V至5.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
< 1.0 V）
延时关闭 - 输入（IN连接到V
CC
; V
CC
台阶从
5.0 V至6.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
＆ GT ; V
CC
1.0 V)
延时关闭 - CNTRL （V
CNTRL
台阶，从0.5 V至2.0 V ，V
CC
= 5.0 V ，C
负载
= 12 nF的，测量到V
OUT
＆ GT ; V
CC
1.0 V)
针
5
4, 5
4, 5
4, 5
4
4
4
4
3
3
3
3
1
符号
V
CC （ OPT ）
I
CC ON
I
CC OFF
CNTRL
I
CC OFF
IN
V
th
（ LH ）
V
th
（ HL）。
V
HYST
R
in
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
oh
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
1
V
ol
0.1
V
民
2.5
5.3
5.3
30
1.5
典型值
650
700
750
5.5
5.45
50
60
95
9.0
最大
25
1200
1200
1200
5.7
5.7
100
0.5
200
20
单位
V
mA
mA
mA
V
V
mV
kW
V
V
mA
mA
V
1
1
1
1
I
SINK
t
on
IN
t
关闭
IN
t
关闭
ICNTRL
4.0
10
1.8
0.5
0.6
16
4.5
1.0
1.0
mA
毫秒
毫秒
毫秒
http://onsemi.com
5
NCP346
过压保护IC
该NCP346过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
4.45至5.5 V ，并且可以用一个电阻分压器向上调整
在V之间
CC
，IN和GND引脚。它适用于单细胞
锂离子电池应用以及3/4芯镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
5
1
引脚连接&
标记图
出1
xxxYW
GND
CNTRL
2
3
（ TOP VIEW ）
xxx
xxx
Y
W
= SQZ的NCP346SN1
= SRD的NCP346SN2
=年
=工作周
5
V
CC
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
4.45 V和5.5 V准确的电压阈值（标称）
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
这些无铅器件
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
4
IN
典型应用
订购信息
设备
包
航运
3000 /磁带&卷轴
（ 7英寸卷）
NCP346SN1T1G SOT- 23-5
（无铅）
NCP346SN2T1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
（可选）
IN
（可选）
+
V
REF
NCP346
GND
CNTRL
FET
司机
V
CC
P- CH
+
OUT
逻辑
C1
负载
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
2004年12月，
第4版
1
出版订单号：
NCP346/D
NCP346
V
CC
(5)
IN
(4)
V5
预稳压器
R1
V
CC
ON / OFF OUT
司机
OUT
(1)
V
CC
+
COMP
R2
带隙
参考
CNTRL
(3)
逻辑
块
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在IN的电压电平或逻辑状态控制
在CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
在少
比1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高电平结果
在输出信号驱动到内1.0 V V的
CC
其断开FET 。输入通过一个接低电平
内部50千瓦的下拉电阻。因此建议在输入被连接到GND ，如果它不被使用。
该引脚检测外部电压点。如果该输入电压超过过压阈值（Ⅴ
th
),
OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称阈值电平可以是
随着中， V的加入一个外部电阻分压器
CC
和GND 。
正电源电压。输出被保证在低状态（ MOSFET导通），只要V
CC
仍以上
2.5伏，并在下面的过压阈值。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP346
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
输入引脚电压V
CC
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻，结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
针
1
4
3
4, 5
5
3
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V(V
CC,
IN）
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
最大
30
30
13
15
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
ATTRIBUTES
特征
ESD保护
根据JEDEC标准JESD22- A114人体模型（ HBM ）
根据JEDEC标准JESD22- A114机器模型（ MM ）
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
晶体管数量
根据JEDEC标准EIA / JESD78闭锁电流最大额定值
1。有关其他湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
价值
v
2.5千伏
v
250 V
LEVEL 1
89
v
150毫安
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3
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