NCP345
过压保护IC
该NCP345过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
6.85 V因此非常适合于单节锂离子电池应用以及3/4
电池镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
5
1
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
引脚连接&
标记图
出1
RADYW
GND
CNTRL
2
3
Y
W
5
VCC
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
6.85 V准确的电压阈值（标称）
欠压锁定保护
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
无铅包装是否可用
4
IN
=年
=工作周
（ TOP VIEW ）
典型应用
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
订购信息
设备
NCP345SNT1
NCP345SNT1G
包
SOT235
SOT235
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
（ 7英寸卷）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
V
CC
IN
+
V
REF
NCP345
GND
CNTRL
欠压
锁定
P- CH
+
逻辑
FET
司机
C1
OUT
负载
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
NCP345/D
NCP345
V
CC
(5)
IN
(4)
V
CC
PRE-
调节器
R1
V5
R3
+
COMP
R2
R4
+
UVLO
逻辑
块
开/关
V
CC
OUT
OUT
(1)
司机
带隙
参考
CNTRL
(3)
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在电压电平或逻辑状态控制
的CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
in
小于1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高
结果，在输出信号驱动至1.0范围内V V的
CC
其断开FET 。如果不使用该引脚，
输入应连接到地。
该引脚检测外部电压点。如果该输入的电压高于过电压阈值
（ VTH ） ， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称门限
水平是6.85 V和该阈值电平可以增加通过加入中间的外部电阻器的
和V
CC
.
正电源电压。如果V
CC
低于2.8 V（标称值）， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而
断开P沟道场效应晶体管。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP345
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
ESD性能（ HBM ） {
针
1
4
3
5
3
所有
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
2.5
最大
30
30
13
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
kV
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
{
人体模型（ HBM ） ： MIL STD 883C方法3015-7 ， （ R = 1500欧姆，C = 100 PF ， F = 3脉冲延迟1秒） 。
电气特性
（对于典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 6.0 V时，除非另有说明。 ）
特征
V
CC
工作电压范围
电源电流（I
CC
+ I
输入
; V
CC
= 6.0 V稳态）
输入阈值
(V
输入
连接到V
CC
; V
输入
增加）
输入迟滞（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
递减）
输入阻抗（输入= V
Th
)
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
欠压锁定（V
CC
递减）
输出灌电流（V
CC
＆ LT ; V
Th
, V
OUT
= 1.0 V)
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 10 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0.25 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0 mA时）
输出电压低
（输入< 6.5 V ;我
SINK
= 0 mA时; V
CC
= 6.0 V， CNTRL = 0 V）
导通延迟 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
下台
信号从8.0至6.0伏;测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
加强信号
从6.0至8.0伏;
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
导通延迟 - CNTRL （ CNTRL信号下台为2.0 0.5 V ;
测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - CNTRL （ CNTRL加强信号从0.52.0 V ;
C
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
*导通延迟为设计保证。
符号
V
CC （ OPT ）
V
Th
V
HYST
R
in
V
ih
V
il
I
ih
I
il
V
LOCK
I
SINK
V
oh
针
5
4,5
4
6.65
4
4
3
3
3
3
3
1
1
50
70
1.5
2.5
10
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
6.85
100
150
95
10
2.8
33
0.5
1.0
7.08
200
0.5
200
20
3.0
50
0.1
10
1.0
10
2.0
mV
kW
V
V
mA
mA
V
mA
V
民
3.0
典型值
4.8
0.75
最大
25
1.0
单位
V
mA
V
V
ol
T
在
T
在OFF
T
CT上
T
CT OFF
1
1
1
1
1
V
毫秒
毫秒
毫秒
毫秒
http://onsemi.com
3
NCP345
7.05
7.00
灌电流（mA ）
25
10
5
20
35
50
65
80
95
6.95
电压（V）的
6.90
6.85
6.80
6.75
6.70
40
50
45
40
35
30
25
20
15
10
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
图3.典型的V
th
阈值变化对比
温度
1.0
图4.典型输出灌电流与温度的关系
V
in
t
V
th
, V
OUT
+
1 V
0.9
我公司供应（毫安）
0.8
0.7
0.6
0.5
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
温度（℃）
图5.典型电源电流与温度的关系
I
cc
)
I
in
, V
CC
+
6 V
2
1
CNTRL
电压（V）的
电压（V）的
0
6
4
2
0
中T = 25℃
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
时间（纳秒）
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
2
CNTRL
1
0
6
4
2
0
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
中T = 25℃
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
时间（msec ）
图6.典型关断时间CNTRL到V
负载
图7.典型导通时间CNTRL到V
负载
http://onsemi.com
4
NCP345
过压保护IC
该NCP345过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
6.85 V因此非常适合于单节锂离子电池应用以及3/4
电池镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
5
1
引脚连接&
标记图
出1
GND
CNTRL
2
3
5
V
CC
RADAYWG
G
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
6.85 V准确的电压阈值（标称）
欠压锁定保护
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
无铅包装是否可用
4
IN
典型应用
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
（ TOP VIEW ）
RAD =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NCP345SNT1
NCP345SNT1G
包
SOT235
SOT235
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
（ 7英寸卷）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
V
CC
IN
+
V
REF
NCP345
GND
CNTRL
欠压
锁定
P- CH
+
逻辑
FET
司机
C1
OUT
负载
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版6
出版订单号：
NCP345/D
NCP345
V
CC
(5)
IN
(4)
V
CC
PRE-
调节器
R1
V5
R3
+
COMP
R2
R4
+
UVLO
逻辑
块
开/关
V
CC
OUT
OUT
(1)
司机
带隙
参考
CNTRL
(3)
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在电压电平或逻辑状态控制
的CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
in
小于1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高
结果，在输出信号驱动至1.0范围内V V的
CC
其断开FET 。如果不使用该引脚，
输入应连接到地。
该引脚检测外部电压点。如果该输入的电压高于过电压阈值
（ VTH ） ， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称门限
水平是6.85 V和该阈值电平可以增加通过加入中间的外部电阻器的
和V
CC
.
正电源电压。如果V
CC
低于2.8 V（标称值）， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而
断开P沟道场效应晶体管。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP345
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
ESD性能（ HBM ） {
针
1
4
3
5
3
所有
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
2.5
最大
30
30
13
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
kV
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
{
人体模型（ HBM ） ： MIL STD 883C方法3015-7 ， （ R = 1500欧姆，C = 100 PF ， F = 3脉冲延迟1秒） 。
电气特性
（对于典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 6.0 V时，除非另有说明。 ）
特征
V
CC
工作电压范围
电源电流（I
CC
+ I
输入
; V
CC
= 6.0 V稳态）
输入阈值
(V
输入
连接到V
CC
; V
输入
增加）
输入迟滞（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
递减）
输入阻抗（输入= V
Th
)
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
欠压锁定（V
CC
递减）
输出灌电流（V
CC
＆ LT ; V
Th
, V
OUT
= 1.0 V)
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 10 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0.25 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0 mA时）
输出电压低
（输入< 6.5 V ;我
SINK
= 0 mA时; V
CC
= 6.0 V， CNTRL = 0 V）
导通延迟 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
下台
信号从8.0至6.0伏;测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
加强信号
从6.0至8.0伏;
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
导通延迟 - CNTRL （ CNTRL信号下台为2.0 0.5 V ;
测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - CNTRL （ CNTRL加强信号从0.52.0 V ;
C
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
*导通延迟为设计保证。
符号
V
CC （ OPT ）
V
Th
V
HYST
R
in
V
ih
V
il
I
ih
I
il
V
LOCK
I
SINK
V
oh
针
5
4,5
4
6.65
4
4
3
3
3
3
3
1
1
50
70
1.5
2.5
10
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
6.85
100
150
95
10
2.8
33
0.5
1.0
7.08
200
0.5
200
20
3.0
50
0.1
10
1.0
10
2.0
mV
kW
V
V
mA
mA
V
mA
V
民
3.0
典型值
4.8
0.75
最大
25
1.0
单位
V
mA
V
V
ol
T
在
T
在OFF
T
CT上
T
CT OFF
1
1
1
1
1
V
毫秒
毫秒
毫秒
毫秒
http://onsemi.com
3
NCP345
7.05
7.00
灌电流（mA ）
25
10
5
20
35
50
65
80
95
6.95
电压（V）的
6.90
6.85
6.80
6.75
6.70
40
50
45
40
35
30
25
20
15
10
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
图3.典型的V
th
阈值变化对比
温度
1.0
图4.典型输出灌电流与温度的关系
V
in
t
V
th
, V
OUT
+
1 V
0.9
我公司供应（毫安）
0.8
0.7
0.6
0.5
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
温度（℃）
图5.典型电源电流与温度的关系
I
cc
)
I
in
, V
CC
+
6 V
2
1
CNTRL
电压（V）的
电压（V）的
0
6
4
2
0
中T = 25℃
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
时间（纳秒）
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
2
CNTRL
1
0
6
4
2
0
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
中T = 25℃
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
时间（msec ）
图6.典型关断时间CNTRL到V
负载
图7.典型导通时间CNTRL到V
负载
http://onsemi.com
4
NCP345
过压保护IC
该NCP345过压保护电路（ OVP ）保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
供给故障结合外部P沟道时使用
FET 。本设备被设计用于感测过压状态和
之前的任何迅速断开输入电源电压从负载
破坏可能发生。过压保护由一个精确的电压基准，
迟滞比较器，控制逻辑和一个MOSFET的栅极驱动器。
过压保护是设计上的健壮BiCMOS工艺，目的是
耐受电压瞬变高达30V。
所述装置被用于具有外部应用进行了优化
AC / DC适配器或汽车配件充电器产品电源和/或
充电的内置电池。额定过压阈值
6.85 V因此非常适合于单节锂离子电池应用以及3/4
电池镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
5
1
薄型SOT -23-5
SN后缀
CASE 483
引脚连接&
标记图
出1
RADYW
GND
CNTRL
2
3
Y
W
5
VCC
过电压关断的1.0倍以上
毫秒
6.85 V准确的电压阈值（标称）
欠压锁定保护
CNTRL输入兼容1.8 V逻辑电平
无铅包装是否可用
4
IN
=年
=工作周
（ TOP VIEW ）
典型应用
手机
数码相机
便携式电脑和PDA
便携式CD和其他消费类电子产品
订购信息
设备
NCP345SNT1
NCP345SNT1G
包
SOT235
SOT235
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
（ 7英寸卷）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
肖特基
二极管
AC / DC适配器或
附件充电器
V
CC
IN
+
V
REF
NCP345
GND
CNTRL
欠压
锁定
P- CH
+
逻辑
FET
司机
C1
OUT
负载
微处理器端口
注：该器件包含89有源晶体管
图1.简化应用图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
NCP345/D
NCP345
V
CC
(5)
IN
(4)
V
CC
PRE-
调节器
R1
V5
R3
+
COMP
R2
R4
+
UVLO
逻辑
块
开/关
V
CC
OUT
OUT
(1)
司机
带隙
参考
CNTRL
(3)
GND
(2)
图2.详细框图
引脚功能描述
针＃
1
符号
OUT
引脚说明
这个信号驱动的P沟道MOSFET的栅极。它是通过在电压电平或逻辑状态控制
的CNTRL输入。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
in
小于1.0
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断的P沟道MOSFET 。逻辑高
结果，在输出信号驱动至1.0范围内V V的
CC
其断开FET 。如果不使用该引脚，
输入应连接到地。
该引脚检测外部电压点。如果该输入的电压高于过电压阈值
（ VTH ） ， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开FET 。标称门限
水平是6.85 V和该阈值电平可以增加通过加入中间的外部电阻器的
和V
CC
.
正电源电压。如果V
CC
低于2.8 V（标称值）， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而
断开P沟道场效应晶体管。
2
3
GND
CNTRL
4
IN
5
V
CC
真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
http://onsemi.com
2
NCP345
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
V
CC
最大射程
在T最大功耗
A
= 85°C
热阻结到空气
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
ESD性能（ HBM ） {
针
1
4
3
5
3
所有
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
民
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
2.5
最大
30
30
13
30
0.216
300
150
85
5.0
150
单位
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
kV
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
{
人体模型（ HBM ） ： MIL STD 883C方法3015-7 ， （ R = 1500欧姆，C = 100 PF ， F = 3脉冲延迟1秒） 。
电气特性
（对于典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 6.0 V时，除非另有说明。 ）
特征
V
CC
工作电压范围
电源电流（I
CC
+ I
输入
; V
CC
= 6.0 V稳态）
输入阈值
(V
输入
连接到V
CC
; V
输入
增加）
输入迟滞（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
递减）
输入阻抗（输入= V
Th
)
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
欠压锁定（V
CC
递减）
输出灌电流（V
CC
＆ LT ; V
Th
, V
OUT
= 1.0 V)
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 10 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0.25 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0 mA时）
输出电压低
（输入< 6.5 V ;我
SINK
= 0 mA时; V
CC
= 6.0 V， CNTRL = 0 V）
导通延迟 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
下台
信号从8.0至6.0伏;测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
加强信号
从6.0至8.0伏;
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
导通延迟 - CNTRL （ CNTRL信号下台为2.0 0.5 V ;
测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - CNTRL （ CNTRL加强信号从0.52.0 V ;
C
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
*导通延迟为设计保证。
符号
V
CC （ OPT ）
V
Th
V
HYST
R
in
V
ih
V
il
I
ih
I
il
V
LOCK
I
SINK
V
oh
针
5
4,5
4
6.65
4
4
3
3
3
3
3
1
1
50
70
1.5
2.5
10
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
6.85
100
150
95
10
2.8
33
0.5
1.0
7.08
200
0.5
200
20
3.0
50
0.1
10
1.0
10
2.0
mV
kW
V
V
mA
mA
V
mA
V
民
3.0
典型值
4.8
0.75
最大
25
1.0
单位
V
mA
V
V
ol
T
在
T
在OFF
T
CT上
T
CT OFF
1
1
1
1
1
V
毫秒
毫秒
毫秒
毫秒
http://onsemi.com
3
NCP345
7.05
7.00
灌电流（mA ）
25
10
5
20
35
50
65
80
95
6.95
电压（V）的
6.90
6.85
6.80
6.75
6.70
40
50
45
40
35
30
25
20
15
10
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
图3.典型的V
th
阈值变化对比
温度
1.0
图4.典型输出灌电流与温度的关系
V
in
t
V
th
, V
OUT
+
1 V
0.9
我公司供应（毫安）
0.8
0.7
0.6
0.5
40
25
10
5
20
35
50
65
80
95
温度（℃）
图5.典型电源电流与温度的关系
I
cc
)
I
in
, V
CC
+
6 V
2
1
CNTRL
电压（V）的
电压（V）的
0
6
4
2
0
中T = 25℃
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
时间（纳秒）
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
2
CNTRL
1
0
6
4
2
0
V
负载
= 50
W
MOSFET = MGSF3441
V
负载
中T = 25℃
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
时间（msec ）
图6.典型关断时间CNTRL到V
负载
图7.典型导通时间CNTRL到V
负载
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
