NCP3420
与双MOSFET驱动器
输出为同步
降压转换器
该NCP3420是单相12 V MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。高侧和
低侧驱动器能够驱动3000 pF负载了30纳秒
传播延迟和20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。国内
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达35 V ，具有瞬态电压高达40 V的两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
特点
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记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
3420
ALYW
G
8
1
1
1
A
L
Y
W
G
DFN8
MN后缀
CASE 506BJ
3420
ALYWG
G
系统保护热关断
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
MOSFET
防交叉传导保护电路
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM10.x和VRM11.x规格
欠压锁定
耐热增强型封装
这些无铅器件
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
BST
IN
OD
V
CC
（ TOP VIEW ）
8
DRVH
SWN
保护地
DRVL
1
8
DRVH
SWN
保护地
DRVL
订购信息
设备
NCP3420DR2G
NCP3420MNR2G
包
SO8
（无铅）
DFN8
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第3版
1
出版订单号：
NCP3420/D
NCP3420
OD
3
V
CC
TSD
UVLO
IN
2
8
DRVH
1
BST
落下
EDGE
延迟
落下
EDGE
延迟
开始
停止
非重叠
计时器
MONITOR
7
MONITOR
SWN
MIN DRVL
关闭计时器
4
5
6
V
CC
DRVL
保护地
图1.框图
引脚说明
SO8
1
DFN8
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有
这个自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值
100 NF和1.0之间
μF的。
外部二极管需要与NCP3420 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SWN
DRVH
http://onsemi.com
2
NCP3420
最大额定值
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
封装热阻： DFN8 （注2 ）
结到外壳，R
QJC
（从模具到裸露焊盘）
结到环境，R
qJA
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
JEDEC湿度敏感度等级
无铅（注3 ）
SO- 8 （ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
7.5
55
65
150
260峰
1
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2. 2层电路板， 1
2
铜， 1盎司厚度。
3. 60-180秒最小值以上237 ℃。
注意：
此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
保护地
BST
引脚名称
主电源电压输入
地
自举电源电压输入
V
最大
15 V
0V
35 V WRT /地线
40 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
35 V DC
40 V < 50纳秒
BST + 0.3 V
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
V
CC
+ 0.3 V
6.5 V
6.5 V
V
民
0.3
V
0V
0.3
V WRT / SW
SW
DRVH
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
5.0
V DC
10
V < 200纳秒
0.3
V WRT / SW
2.0
V < 200纳秒WRT / SW
0.3
V DC
5.0
V < 200纳秒
0.3
V
0.3
V
DRVL
IN
OD
注意：
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP3420
电气特性
（注4 ） （V
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ）
特征
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
传播延迟时间
PWM输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
SW下拉性能及其
输出电阻，无偏
转换时间
传播延迟（注5 ）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
输出电阻，无偏
超时延迟
转换时间
传播延迟（注5 ）
欠压锁定
UVLO启动
UVLO关闭
迟滞
热关断
过温保护
迟滞
（注6 ）
（注6 ）
150
170
20
°C
°C
3.9
3.7
0.1
4.3
4.1
0.2
4.5
4.3
0.4
V
V
V
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
V
CC
= 12 V （注6 ）
V
CC
PGND = 12 V （注6 ）
V
CC
⑩保护地
DRVH -SW = 0
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（注6 ，T
pdhDRVL
只）（参见图3 ）
10
15
10
1.8
1.0
85
16
11
30
30
3.0
2.5
55
30
25
45
45
W
W
kW
ns
ns
ns
ns
ns
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
V
SW
= 12 V （注6 ）
V
BST
V
SW
= 12 V （注6 ）
申银万国PGND
BST- SW = 0 V
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
10
10
20
10
1.8
1.0
16
11
30
30
3.0
2.5
55
55
30
25
45
45
W
W
kW
kW
ns
ns
ns
ns
V
PWM_HI
V
PWM_LO
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
500
0.8
+1.0
V
V
mV
mA
V
OD_HI
V
OD_LO
t
pdlOD
t
pdhOD
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
1.0
1.0
400
25
25
0.8
+1.0
45
45
V
V
mV
mA
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12 V ， IN = 0 V
4.6
0.7
13.2
6.0
V
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
4.所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
5.对于传播延迟， “T
PDH
''指的是指定的信号变为高电平; “T
PDL
''是指它要低。
6. GBD ：由设计保证;在生产中测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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4
QQ：2881677436 复制
