NCP3418 ， NCP3418A
双自举12 V
MOSFET驱动器
输出禁用
该NCP3418和NCP3418A是双MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。每个驱动器是
能够驱动3000 pF负载为25 ns的传播延迟和的
20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。内部，
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达30 V ，具有瞬态电压高达35V。两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
该NCP3418A是相同的NCP3418除了没有
内部电荷泵二极管。
该NCP3418引脚对引脚与ADI兼容
ADP3418具有以下优点：
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
PD后缀
CASE 751AC
3418
ALYW
1
1
8
3418A
ALYW
3418
ALYW
1
8
3418A
ALYW
更快的上升和下降时间
内部电荷泵二极管降低了成本和零件计数
系统保护热关断
集成OVP
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
MOSFET
防交叉传导保护电路
浮顶驱动升压容纳高达30 V电压
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM 10.x的规格
欠压锁定
热关断
耐热增强型封装
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
特点
订购信息
设备
NCP3418D
NCP3418DR2
NCP3418ADR2
NCP3418ADR2G
NCP3418PD
NCP3418PDR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
98单位/铁
SO- 8 EP 2500磁带&卷轴
NCP3418APDR2 SO- 8 EP 2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 10牧师
出版订单号：
NCP3418/D
NCP3418 ， NCP3418A
V
CC
4
不存在于
该NCP3418A
1
BST
IN
2
8
100 k
7
非重叠
+
1.5 V
+
120 k
SW
DRVH
4V
5
DRVL
OD
3
6
保护地
图1： NCP3418 /方框图
引脚说明
针
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值介于
100 NF和1.0
μF的。
外部二极管将需要与NCP3418A 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SW
DRVH
http://onsemi.com
2
NCP3418 ， NCP3418A
最大额定值*
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
封装热阻： SO- 8 EP
结到环境，R
qJA
（注2 ）
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
标准（注3）
无铅（注4 ）
SO- 8 （ 240峰形）
SO- 8 （ 260峰形）
SO- 8 EP （ 240峰形）
SO- 8 EP （ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
50
-65到150
240峰
260峰
1
1
1
3
JEDEC湿度敏感度等级
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2.评分时，适用焊接到PCB上的适当的热区。
3. 60 - 180秒最小值以上183 ℃。
4. 60 - 180秒最小值以上237 ℃。
*最大包装功耗必须遵守。
注意：
此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
BST
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压输入
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
30 V
BST + 0.3 V
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / SW
SW
DRVH
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
-1.0 V DC
-10 V< 200纳秒
0.3 V WRT / SW
DRVL
IN
OD
保护地
注意：
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
地
-0.3 V DC
-2.0 V < 200纳秒
0.3 V
0.3 V
0V
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP3418 ， NCP3418A
NCP3418SPECIFICATIONS
（注5） （Ⅴ
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ）
参数
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
传播延迟时间（注6 ）
PWM输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间（注6 ）
传播延迟（注6 & 7 ）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
传播延迟
欠压锁定
UVLO
迟滞
热关断
过温保护
迟滞
5.
6.
7.
8.
（注8）
（注8）
150
170
20
°C
°C
（注8）
3.9
4.3
0.5
4.6
V
V
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
V
CC
= 12 V （注8 ）
V
CC
V
SW
= 12 V （注8 ）
C
负载
= 3.0 nF的，见图3
见图3
1.8
1.0
16
11
30
20
3.0
2.5
25
15
60
30
W
W
ns
ns
ns
ns
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的，
见图3
V
BST
V
SW
= 12 V
1.8
1.0
18
10
30
25
3.0
2.5
25
15
60
45
W
W
ns
ns
ns
ns
2.0
1.0
0.8
+1.0
V
V
mA
t
pdlOD
t
pdhOD
见图2
2.0
1.0
40
40
0.8
+1.0
60
60
V
V
mA
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12 V ， IN = 0 V
4.6
2.0
13.2
6.0
V
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
AC特定网络阳离子通过特性保证，但未经生产测试。
传播延迟， “T
PDH
''指的是指定的信号变为高电平; “T
PDL
''是指它要低。
GBD ：由设计保证;在生产中测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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4
NCP3418 ， NCP3418A
OD
t
pdlOD
t
pdhOD
90%
DRVH
or
DRVL
10%
图2.输出禁止时序图
IN
t
pdlDRVL
t
fDRVL
DRVL
90%
1.5 V
10%
t
pdhDRVH
t
rDRVH
90%
DRVH -SW
90%
t
fDRVH
10%
t
pdlDRVH
t
rDRVL
90%
10%
10%
t
pdhDRVL
SW
4V
图3.非重叠时序图（时序被引用到了90 ％和10 ％点数除非另有说明）
http://onsemi.com
5
NCP3418 ， NCP3418A
双自举12 V
MOSFET驱动器
输出禁用
该NCP3418和NCP3418A是双MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。每个驱动器是
能够驱动3000 pF负载为25 ns的传播延迟和的
20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。内部，
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达30 V ，具有瞬态电压高达35V。两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
该NCP3418A是相同的NCP3418除了没有
内部电荷泵二极管。
该NCP3418引脚对引脚与ADI兼容
ADP3418具有以下优点：
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
PD后缀
CASE 751AC
1
=器件代码
X = 8或8A
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
341x
341x
ALYW
341X
AYWW
G
更快的上升和下降时间
内部电荷泵二极管降低了成本和零件计数
系统保护热关断
集成OVP
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
MOSFET
防交叉传导保护电路
浮顶驱动升压容纳高达30 V电压
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM 10.x的规格
欠压锁定
耐热增强型封装
无铅包装是否可用
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
订购信息
设备
NCP3418D
NCP3418DR2
NCP3418ADR2
NCP3418ADR2G
NCP3418PDR2
NCP3418APDR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
（无铅）
SO- 8 EP
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 12牧师
出版订单号：
NCP3418/D
NCP3418 ， NCP3418A
V
CC
4
不存在于
该NCP3418A
1
BST
IN
2
8
100 k
7
非重叠
+
1.5 V
+
120 k
SW
DRVH
4V
5
DRVL
OD
3
6
保护地
图1： NCP3418 /方框图
引脚说明
针
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值
100 NF和1.0之间
μF的。
外部二极管将需要与NCP3418A 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SW
DRVH
http://onsemi.com
2
NCP3418 ， NCP3418A
最大额定值
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
封装热阻： SO- 8 EP
结到环境，R
qJA
（注2 ）
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
JEDEC湿度敏感度等级
标准（注3）
无铅（注4 ）
SO- 8 （ 240峰形）
SO- 8 （ 260峰形）
SO- 8 EP （ 240峰形）
SO- 8 EP （ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
50
-65到150
240峰
260峰
1
1
1
3
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2.评分时，适用焊接到PCB上的适当的热区。
3. 60 - 180秒最小值以上183 ℃。
4. 60 - 180秒最小值以上237 ℃。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
BST
SW
DRVH
DRVL
IN
OD
保护地
注意：
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压输入
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
地
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
35 V
v
50纳秒WRT /地线， 15 V WRT / SW
30 V
BST + 0.3 V
35 V
v
50纳秒WRT /地线， 15 V WRT / SW
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / SW
-1.0 V DC
-10 V< 200纳秒
0.3 V WRT / SW
-0.3 V DC
-2.0 V < 200纳秒
0.3 V
0.3 V
0V
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
http://onsemi.com
3
NCP3418 ， NCP3418A
NCP3418SPECIFICATIONS
（注5） （Ⅴ
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ） 。
参数
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
传播延迟时间（注6 ）
PWM输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间（注6 ）
传播延迟
（注6 & 7 ）
低侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间
传播延迟
欠压锁定
UVLO
迟滞
热关断
过温保护
迟滞
5.
6.
7.
8.
（注8）
（注8）
150
170
20
°C
°C
（注8）
3.9
4.3
0.5
4.6
V
V
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
V
CC
= 12 V
（注8）
V
CC
V
SW
= 12 V
（注8）
C
负载
= 3.0 nF的，
见图3
见图3
1.8
1.0
16
11
30
20
3.0
2.5
25
15
60
30
W
W
ns
ns
ns
ns
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的，
见图3
V
BST
V
SW
= 12 V
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
1.0
18
10
30
25
2.5
25
15
60
45
W
ns
ns
ns
ns
1.8
3.0
W
2.0
1.0
0.8
+1.0
V
V
mA
见图2
t
pdlOD
t
pdhOD
2.0
1.0
40
40
0.8
+1.0
60
60
V
V
mA
ns
ns
BST = 12 V ， IN = 0 V
V
CC
I
SYS
4.6
2.0
13.2
6.0
V
mA
条件
符号
民
典型值
最大
单位
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
AC特定网络阳离子通过特性保证，但未经生产测试。
传播延迟， “T
PDH
''指的是指定的信号变为高电平; “T
PDL
''是指它要低。
GBD ：由设计保证;在生产中测试。规格如有变更，恕不另行通知。
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4
NCP3418 ， NCP3418A
OD
t
pdlOD
t
pdhOD
90%
DRVH
or
DRVL
10%
图2.输出禁止时序图
IN
t
pdlDRVL
t
fDRVL
DRVL
90%
1.5 V
10%
t
pdhDRVH
t
rDRVH
90%
DRVH -SW
90%
t
fDRVH
10%
t
pdlDRVH
t
rDRVL
90%
10%
10%
t
pdhDRVL
SW
4V
图3.非重叠时序图（时序被引用到了90 ％和10 ％点数除非另有说明）
http://onsemi.com
5
NCP3418 ， NCP3418A
双自举12 V
MOSFET驱动器
输出禁用
该NCP3418和NCP3418A是双MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。每个驱动器是
能够驱动3000 pF负载为25 ns的传播延迟和的
20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。内部，
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达30 V ，具有瞬态电压高达35V。两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
该NCP3418A是相同的NCP3418除了没有
内部电荷泵二极管。
该NCP3418引脚对引脚与ADI兼容
ADP3418具有以下优点：
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
PD后缀
CASE 751AC
3418
ALYW
1
1
8
3418A
ALYW
3418
ALYW
1
8
3418A
ALYW
更快的上升和下降时间
内部电荷泵二极管降低了成本和零件计数
系统保护热关断
集成OVP
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
MOSFET
防交叉传导保护电路
浮顶驱动升压容纳高达30 V电压
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM 10.x的规格
欠压锁定
热关断
耐热增强型封装
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
特点
订购信息
设备
NCP3418D
NCP3418DR2
NCP3418ADR2
NCP3418ADR2G
NCP3418PD
NCP3418PDR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
98单位/铁
SO- 8 EP 2500磁带&卷轴
NCP3418APDR2 SO- 8 EP 2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 10牧师
出版订单号：
NCP3418/D
NCP3418 ， NCP3418A
V
CC
4
不存在于
该NCP3418A
1
BST
IN
2
8
100 k
7
非重叠
+
1.5 V
+
120 k
SW
DRVH
4V
5
DRVL
OD
3
6
保护地
图1： NCP3418 /方框图
引脚说明
针
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值介于
100 NF和1.0
μF的。
外部二极管将需要与NCP3418A 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SW
DRVH
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2
NCP3418 ， NCP3418A
最大额定值*
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
封装热阻： SO- 8 EP
结到环境，R
qJA
（注2 ）
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
标准（注3）
无铅（注4 ）
SO- 8 （ 240峰形）
SO- 8 （ 260峰形）
SO- 8 EP （ 240峰形）
SO- 8 EP （ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
50
-65到150
240峰
260峰
1
1
1
3
JEDEC湿度敏感度等级
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2.评分时，适用焊接到PCB上的适当的热区。
3. 60 - 180秒最小值以上183 ℃。
4. 60 - 180秒最小值以上237 ℃。
*最大包装功耗必须遵守。
注意：
此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
BST
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压输入
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
30 V
BST + 0.3 V
35 V
v
50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / SW
SW
DRVH
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
-1.0 V DC
-10 V< 200纳秒
0.3 V WRT / SW
DRVL
IN
OD
保护地
注意：
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
地
-0.3 V DC
-2.0 V < 200纳秒
0.3 V
0.3 V
0V
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP3418 ， NCP3418A
NCP3418SPECIFICATIONS
（注5） （Ⅴ
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ）
参数
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
传播延迟时间（注6 ）
PWM输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间（注6 ）
传播延迟（注6 & 7 ）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
传播延迟
欠压锁定
UVLO
迟滞
热关断
过温保护
迟滞
5.
6.
7.
8.
（注8）
（注8）
150
170
20
°C
°C
（注8）
3.9
4.3
0.5
4.6
V
V
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
V
CC
= 12 V （注8 ）
V
CC
V
SW
= 12 V （注8 ）
C
负载
= 3.0 nF的，见图3
见图3
1.8
1.0
16
11
30
20
3.0
2.5
25
15
60
30
W
W
ns
ns
ns
ns
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V （注8 ）
V
BST
V
SW
= 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的，
见图3
V
BST
V
SW
= 12 V
1.8
1.0
18
10
30
25
3.0
2.5
25
15
60
45
W
W
ns
ns
ns
ns
2.0
1.0
0.8
+1.0
V
V
mA
t
pdlOD
t
pdhOD
见图2
2.0
1.0
40
40
0.8
+1.0
60
60
V
V
mA
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12 V ， IN = 0 V
4.6
2.0
13.2
6.0
V
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
AC特定网络阳离子通过特性保证，但未经生产测试。
传播延迟， “T
PDH
''指的是指定的信号变为高电平; “T
PDL
''是指它要低。
GBD ：由设计保证;在生产中测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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4
NCP3418 ， NCP3418A
OD
t
pdlOD
t
pdhOD
90%
DRVH
or
DRVL
10%
图2.输出禁止时序图
IN
t
pdlDRVL
t
fDRVL
DRVL
90%
1.5 V
10%
t
pdhDRVH
t
rDRVH
90%
DRVH -SW
90%
t
fDRVH
10%
t
pdlDRVH
t
rDRVL
90%
10%
10%
t
pdhDRVL
SW
4V
图3.非重叠时序图（时序被引用到了90 ％和10 ％点数除非另有说明）
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5
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