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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第50页 > NCP3020BDR2G
NCP3020A ， NCP3020B
同步PWM控制器
该NCP3020是一个PWM器件设计用于广泛的操作
的输入范围，并且能够产生一个输出电压低至中
0.6 V的NCP3020提供集成的栅极驱动器和内部
设置300千赫（ NCP3020A ）或600千赫（ NCP3020B ）振荡器。该
NCP3020还具有一个外部补偿的跨导误差
放大器的内部固定的软启动。保护功能
包括无损耗限流和短路保护，输出
过压保护，输出欠压保护，输入
欠压锁定。该NCP3020是目前在用
SOIC - 8封装。
特点
http://onsemi.com
8
1
SOIC - 8 NB
CASE 751
输入电压范围为4.7 V至28 V
300 kHz的工作频率（ NCP3020B - 600千赫）
0.6 V内部基准电压
内部设定的6.8毫秒的软启动（ NCP3020B - 4.4毫秒）
电流限制和短路保护
跨导放大器具有外部补偿
输入欠压锁定
输出过压和欠压检测
这是一个Pb - Free设备
V
IN
C
IN
C
BST
VCC BST
HSDR
COMP
R
C
C
C2
C
C1
VSW
LSDR
GND
R
ISET
Q2
R
FB1
R
FB2
C
0
Q1
L
0
VOUT
标记图
8
3020x
ALYW
G
1
3020x
A
L
Y
W
G
=具体设备守则
X = A或B
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
V
CC
COMP
FB
GND
BST
HSDR
VSW
LSDR
FB
订购信息
设备
NCP3020ADR2G
包
航运
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
图1.典型应用电路
NCP3020BDR2G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年11月
第3版
1
出版订单号：
NCP3020/D
NCP3020A ， NCP3020B
VCC
内部偏置
POR /启动
VC
热SD
BOOST
钳
BST
振荡器
CLK /
DMAX /
软
开始
坡道
1.5 V
+
门
DRIVE
逻辑
水平
移
VCC
当前
极限
ISET
VC
样品&
HOLD
HSDR
VSW
COMP
REF
OTA
FB
+
+
PWM
COMP
LSDR
OOV
OUV
BST_CHRG
GND
图2： NCP3020框图
引脚功能说明
针
1
2
引脚名称
V
CC
COMP
描述
在V
CC
销是主电源电压输入。它也可用于在结合VSW销来感测电流
在高边MOSFET 。
COMP引脚连接到运算跨导放大器（ OTA）和正的输出
PWM比较器的终端。该引脚用于与FB管脚来补偿电压
模式控制反馈环路。
FB管脚连接到OTA的反相输入端。该引脚配合使用COMP引脚到
补偿的电压模式控制的反馈回路。
接地引脚
的LSDR引脚连接到低压侧驱动的，连接到低压侧的栅极的输出
N型场效应晶体管。它也被用于设置电流限制电路的阈值（余
SET
）通过从LSDR连接一个电阻
到GND 。
该VSW引脚为高边驱动器的返回路径。它也可用于在与V一起
CC
针感测
目前在高边MOSFET 。
该HSDR引脚连接到所述高侧驱动器的其连接到高压侧的栅极的输出
N型场效应晶体管。
在BST引脚是电源轨的栅极驱动器。必须将一个电容连接在此引脚和之间
VSW引脚。
3
4
5
FB
GND
LSDR
6
7
8
VSW
HSDR
BST
http://onsemi.com
2
NCP3020A ， NCP3020B
绝对最大额定值
（测量与GND端子8 ，除非另有说明）
等级
高侧驱动器升压引脚
提高到V
SW
差分电压
COMP
反馈
高边驱动器输出
低边驱动器输出
主电源电压输入
开关节点电压
最大平均电流
V
CC
， BST ， HSDRV ， LSDRV ，V
SW
， GND
工作结温范围（注1 ）
最高结温
存储温度范围
热特性（注2 ）
SOIC - 8塑料包装
热阻结到空气
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）无铅
（注3）
符号
BST
BST -V
SW
COMP
FB
HSDR
LSDR
V
CC
V
SW
I
最大
T
J
T
J（下最大）
T
英镑
V
最大
45
13.2
5.5
5.5
40
13.2
40
40
130
40
到+140
+150
55
+150
V
民
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
R
qJA
R
F
165
260峰
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最大封装功耗限值不得超过。
P
D
+
T
J（下最大）
*
T
A
R
qJA
2.当安装在最小建议FR- 4或G- 10板
3. 60-180秒最小值以上237 ℃。
http://onsemi.com
3
NCP3020A ， NCP3020B
电气特性
(
40°C
＆ LT ;吨
J
< + 125°C ，V
CC
= 12伏，最小/最大的值，除非另有说明）
特征
输入电压范围
电源电流
V
CC
电源电流
V
CC
电源电流
NCP3020A
NCP3020B
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 4.7 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 28 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 4.7 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 28 V
欠压锁定
UVLO阈值上升
UVLO阈值下降
振荡器
振荡器频率
振荡器频率
斜坡电压振幅
斜坡谷值电压
PWM
最小占空比
最大占空比
软启动斜坡时间
NCP3020A
NCP3020B
NCP3020A
NCP3020B
V
FB
= V
COMP
（注4 ）
80
75
7.0
84
80
6.8
4.4
%
%
ms
NCP3020A
NCP3020B
T
J
= + 25 ° C， 4.7 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
=
40°C
至+ 125°C ， 4.7 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
= + 25 ° C， 4.7 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
=
40°C
至+ 125°C ， 4.7 V
v
V
CC
v
28 V
V
PEAK
V
胡同
（注4 ）
250
240
550
530
0.46
300
300
600
600
1.5
0.70
350
360
650
670
0.88
千赫
千赫
千赫
千赫
V
V
V
CC
上升沿
V
CC
下降沿
4.0
3.5
4.3
3.9
4.7
4.3
V
V
5.5
7.0
5.9
7.8
8.0
11
10
13
mA
mA
mA
mA
条件
民
4.7
典型值
最大
28
单位
V
误差放大器（ GM）
跨
开环DC增益
输出源电流
输出灌电流
FB输入偏置电流
反馈电压
COMP高压
COMP低压
输出电压故障
反馈OOV阈值
反馈OUV门槛
过电流
ISET源电流
电流限制设定电压（注5 ）
4.
5.
6.
7.
R
SET
= 22.5千瓦
7.0
140
13
240
18
360
mA
mV
0.66
0.42
0.75
0.45
0.84
0.48
V
V
TJ = 25℃
4.7 V < V
CC
＆ LT ; V
IN
< 28 V ，
40°C
＆ LT ;吨
J
＆ LT ; + 125°C
V
FB
= 0.55 V
V
FB
= 0.65 V
（注4和6）
V
FB
= 545毫伏
V
FB
= 655毫伏
0.9
45
45
0.591
0.588
4.0
1.4
70
75
75
0.5
0.6
0.6
4.4
72
1.9
100
100
500
0.609
0.612
5.0
250
mS
dB
mA
mA
nA
V
V
V
mV
通过设计保证。
导通时两端高边MOSFET的电压来检测。
这是假定100 pF的电容到地COMP引脚和一个典型的内部研发
o
对> 10兆瓦。
这不是一个保护功能。
http://onsemi.com
4
NCP3020A ， NCP3020B
电气特性
(
40°C
＆ LT ;吨
J
< + 125°C ，V
CC
= 12伏，最小/最大的值，除非另有说明）
特征
栅极驱动器和升压CLAMP
HSDRV上拉电阻
HSDRV下拉电阻
LSDRV上拉电阻
LSDRV下拉电阻
HSDRV下降到LSDRV上升
延迟
LSDRV下降到HSDRV上升
延迟
提高钳位电压
热关断
热关断
迟滞
4.
5.
6.
7.
（注4和7）
（注4和7）
165
20
°C
°C
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V, V
SW
= GND
百毫安出HSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V, V
SW
= GND
百毫安到HSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V, V
SW
= GND
百毫安出LSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V, V
SW
= GND
百毫安到LSDR销
V
IN
= 12 V, V
SW
= GND ，V
COMP
= 1.3 V
V
IN
= 12 V, V
SW
= GND ，V
COMP
= 1.3 V
V
IN
= 12 V, V
SW
= GND ，V
COMP
= 1.3 V
5.0
2.0
5.0
1.0
50
60
5.5
11
5.0
9.0
3.0
80
80
7.5
20
11.5
16
6.0
110
120
9.6
W
W
W
W
ns
ns
V
条件
民
典型值
最大
单位
通过设计保证。
导通时两端高边MOSFET的电压来检测。
这是假定100 pF的电容到地COMP引脚和一个典型的内部研发
o
对> 10兆瓦。
这不是一个保护功能。
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5
NCP3020A ， NCP3020B
产品预览
同步PWM控制器
该NCP3020是一个PWM器件设计用于广泛的操作
的输入范围，并且能够产生一个输出电压低至中
0.6五， NCP3020A提供了集成的栅极驱动器和一个
内部设置300 kHz振荡器（ 600千赫的NCP3020B ） 。该
NCP3020具有外部补偿的跨导误差
放大器的内部固定的软启动。保护功能
包括无损耗限流和短路保护，输出
过压保护，输出欠压保护，输入
欠压锁定。该NCP3020是目前在用
SOIC - 8封装。
特点
http://onsemi.com
8
1
SOIC - 8 NB
CASE 751
输入电压范围为4.5 V至28 V
开关和同步整流器驱动器与>1.0能力
300 kHz的工作频率（ NCP3020B - 600千赫）
0.6
±
1.0 ％的基准电压
内部设定的6.8毫秒的软启动（ NCP3020B - 3.4毫秒）
电流限制和短路保护
跨导放大器具有外部补偿
输入欠压锁定
输出过压和UndervoltageDetection
这是一个Pb - Free设备
标记图
8
XXXXX
ALYW
G
1
XXXXX
A
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
4.528 V
C
IN
C
BST
VCC
BST
HSDR
COMP
R
C
C
C2
C
C1
VSW
LSDR
GND
R
ISET
Q2
R
FB1
R
FB2
C
0
Q1
L
0
VOUT
引脚连接
V
CC
COMP
FB
GND
BST
HSDR
VSW
LSDR
订购信息
设备
NCP3020ADR2G
NCP3020BDR2G
包
航运
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
FB
图1.典型应用电路
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
牧师P1
1
出版订单号：
NCP3020/D
NCP3020A ， NCP3020B
VCC
内部偏置
POR /启动
VC
热SD
BOOST
钳
BST
振荡器
CLK /
DMAX /
软
开始
坡道
1.5 V
+
门
DRIVE
逻辑
水平
移
VCC
当前
极限
ISET
VC
样品&
HOLD
HSDR
VSW
COMP
REF
OTA
FB
+
+
PWM
COMP
LSDR
OOV
OUV
BST_CHRG
GND
图2： NCP3020框图
引脚功能说明
针
1
2
引脚名称
V
CC
COMP
描述
在V
CC
销是主电源电压输入。它也可用于在结合VSW销来感测电流
在高边MOSFET 。
COMP引脚连接到运算跨导放大器（ OTA）和正的输出
PWM比较器的终端。该引脚用于与FB管脚来补偿电压
模式控制反馈环路。
FB管脚连接到OTA的反相输入端。该引脚配合使用COMP引脚到
补偿的电压模式控制的反馈回路。
接地引脚
的LSDR引脚连接到低压侧驱动的，连接到低压侧的栅极的输出
N型场效应晶体管。它也被用于设置电流限制电路的阈值（余
SET
）通过从LSDR连接一个电阻
到GND 。
该VSW引脚为高边驱动器的返回路径。它也可用于在与V一起
CC
针感测
目前在高边MOSFET 。
该HSDR引脚连接到所述高侧驱动器的其连接到高压侧的栅极的输出
N型场效应晶体管。
在BST引脚是电源轨的栅极驱动器。必须将一个电容连接在此引脚和之间
VSW引脚。
3
4
5
FB
GND
LSDR
6
7
8
VSW
HSDR
BST
http://onsemi.com
2
NCP3020A ， NCP3020B
绝对最大额定值
（测量与GND端子8 ，除非另有说明）
等级
高侧驱动器升压引脚
提高到V
SW
差分电压
COMP
反馈
高边驱动器输出
低边驱动器输出
主电源电压输入
开关节点电压
最大平均电流
V
CC
， BST ， HSDRV ， LSDRV ，V
SW
， GND
工作结温范围（注1 ）
最高结温
存储温度范围
热特性（注2 ）
TSSOP -14塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）无铅
（注3）
潮湿敏感度等级（注4 ）
ESD耐压（注5 ）
人体模型
机器型号
闩锁电流（T
A
= 85°C ） （注6 ）
符号
BST
BST -V
SW
COMP
FB
HSDR
LSDR
V
CC
V
SW
I
最大
T
J
T
J（下最大）
T
英镑
V
最大
45
13.2
5.5
5.5
40
13.2
40
40
130
40
到+140
+150
55
+150
V
民
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
P
D
R
qJA
R
F
MSL
V
ESD
0.5
190
260峰
3
2.0
200
100
W
° C / W
°C
kV
V
mA
Lu
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最大封装功耗限值不得超过。
P
D
+
2.
3.
4.
5.
T
J（下最大）
*
T
A
R
qJA
当安装在最小建议FR- 4或G- 10板
60-180秒最小值以上237 ℃。
潮湿敏感度等级（ MSL ） ：根据IPC / JEDEC标准3 ： J- STD- 020A 。
此设备系列包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型（ HBM ）根据JEDEC标准： JESD22 - A114 。
机器模型（ MM ）根据JEDEC标准： JESD22 - A115 。
6.闩锁电流最大额定值：根据JEDEC标准： JESD78
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3
NCP3020A ， NCP3020B
电气特性
(
40°C
＆ LT ;吨
J
< + 125°C ，V
CC
= 12伏，最小/最大的值，除非另有说明）
特征
输入电压范围
电源电流
V
CC
电源电流
V
CC
电源电流
NCP3020A
NCP3020B
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 4.5 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 28 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 4.5 V
V
FB
= 0.55 V，开关，V
CC
= 28 V
欠压锁定
UVLO阈值上升
UVLO阈值下降
振荡器
振荡器频率
振荡器频率
斜坡电压振幅
斜坡谷值电压
PWM
最小占空比
最大占空比
软启动斜坡时间
NCP3020A
NCP3020B
V
FB
= V
COMP
（注7 ）
80
7.0
84
6.8
3.4
%
%
ms
NCP3020A
NCP3020B
T
J
= + 25 ° C， 4.5 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
=
40°C
至+ 125°C ， 4.5 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
= + 25 ° C， 4.5 V
v
V
CC
v
28 V
T
J
=
40°C
至+ 125°C ， 4.5 V
v
V
CC
v
28 V
V
PEAK
V
胡同
250
240
待定
待定
0.46
300
300
600
600
1.5
0.71
350
360
待定
待定
0.85
千赫
千赫
千赫
千赫
V
V
V
CC
上升沿
V
CC
下降沿
4.0
3.5
4.3
3.9
4.7
4.3
V
V
5.1
6.2
6.8
8.3
8.0
11
待定
待定
mA
mA
mA
mA
条件
民
4.5
典型值
最大
28
单位
V
误差放大器（ GM）
跨
开环DC增益
输出源电流
输出灌电流
FB输入偏置电流
反馈电压
COMP高压
COMP低压
输出电压故障
反馈OOV阈值
反馈OUV门槛
过电流
ISET源电流
电流限制设定电压（注8 ）
R
SET
= 22.5千瓦
待定
待定
12.5
298
待定
待定
mA
mV
0.68
0.42
0.75
0.45
0.82
0.48
V
V
TJ = 25℃
4.5 V＆ LT ; V
IN
< 28 V ，
40°C
＆ LT ;吨
J
＆ LT ; + 125°C
V
FB
= 0 V
V
FB
= 2 V
（注7,9 ）
V
FB
= 545毫伏
V
FB
= 655毫伏
0.9
45
45
0.594
0.588
4.0
1.3
70
70
70
0.5
0.6
0.6
4.4
65
1.7
100
100
500
0.606
0.612
5.0
200
mS
dB
mA
mA
nA
V
V
V
mV
7.通过设计保证。
导通时两端高边MOSFET 8.电压检测。
9.这是假设100 pF的电容到地COMP引脚和一个典型的内部研发
o
对> 10兆瓦。
10.这不是一个保护功能。
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4
NCP3020A ， NCP3020B
电气特性
(
40°C
＆ LT ;吨
J
< + 125°C ，V
CC
= 12伏，最小/最大的值，除非另有说明）
特征
栅极驱动器和升压CLAMP
HSDRV上拉电阻
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
SW
= GND
百毫安出HSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
SW
= GND
百毫安到HSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
SW
= GND
百毫安出LSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
SW
= GND
百毫安到LSDR销
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
CC
= 8 V, V
BST
= 7.5 V
V
IN
= 12 V, V
SW
= GND ，V
COMP
= 1.3 V
（注7和10 ）
（注7和10 ）
5.0
10.5
20
W
条件
民
典型值
最大
单位
HSDRV来源
HSDRV下拉电阻
2.5
0.7
5.0
10.5
A
W
HSDRV水槽
LSDRV上拉电阻
5.0
1.5
8.9
15
A
W
LSDRV来源
LSDRV下拉电阻
1.0
0.85
2.8
6.0
A
W
LSDRV水槽
HSDRV下降到LSDRV上升
延迟
LSDRV下降到HSDRV上升
延迟
提高钳位电压
热关断
热关断
迟滞
60
60
6.0
2.7
76
84
7.5
175
20
100
100
9.6
A
ns
ns
V
°C
°C
7.通过设计保证。
导通时两端高边MOSFET 8.电压检测。
9.这是假设100 pF的电容到地COMP引脚和一个典型的内部研发
o
对> 10兆瓦。
10.这不是一个保护功能。
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