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NCP1581
高周波同步
降压PWM控制器
用于跟踪应用
该NCP1581控制器IC的设计提供了一个简单
同步降压型稳压器为车载直流到直流应用
14引脚SOIC封装。的NCP1581是用于跟踪专
应用程序通过提供轨道输入。
该NCP1581工作在一个固定的内部400 kHz开关
频率允许使用小的外部组件。该装置
具有可编程软启动由一个外部电容器设置,
欠压锁定和输出欠压检测锁存
关闭设备时,检测到输出短路。
特点
http://onsemi.com
记号
NCP1581G
AWLYWW
1
14
1
A
WL
Y
WW
G
SOIC14
后缀
CASE 751A
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
上电排序/跟踪
使能输入
内部400 kHz振荡器
可编程软启动
固定频率电压模式
电压模式自适应死区时间
这是一个Pb - Free设备
跟踪应用
游戏机
计算外围稳压器
显卡
一般的直流到直流转换器
引脚连接
FB
VP
NC
VCC
NC
LDRV
GND
( TOP VIEW )
1
NC
SS
COMP
NC
VC
HDRV
保护地
应用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
NCP1581
图1.典型应用电路
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年1月
第0版
1
出版订单号:
NCP1581/D
框图
电路说明:
VCC
POR
VP / EN
0.65V
故障
延迟
VC
V CC UVLO
HDRV
GND
V BIAS
POR
Q
64uA最大
2V
SS
POR
R
Q
0.4V
S
POR
CT
复位大教堂
R
振荡器
PWM
S
2V
2 2微安
NCP1581
图2.简化框图
http://onsemi.com
POR
误差放大器
错误
比较
故障
2
SS
VCC
2V
VP / EN
延迟
LDRV
FB
25k
COMP
25k
保护地
NCP1581
表1.引脚功能说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
名字
FB
VP / EN
NC
VCC
NC
LDRV
GND
保护地
HDRV
描述
反相输入端的误差放大器。该引脚被连接到调节器的通过电阻分压的输出
到设定输出电压,并提供反馈到误差放大器。
双功能引脚。非反相输入端的误差放大器。使能输入。
无连接
该引脚提供电源用于低侧驱动器的集成电路,以及为内部块。最低
0.1
MF,
高频电容必须在此引脚与电源地相连。
无连接
输出驱动器的低边MOSFET 。
IC地面的内部控制电路。
电源地。该引脚用作MOSFET驱动器的单独接地,应连接到
该系统的电源地平面。
输出驱动高侧MOSFET 。在这个引脚上的负电压可能造成的不稳定的门
驱动电路。为了防止这种情况,一个低的正向压降二极管(如BAT54或1N4148 )是必需的
之间的引脚和电源地。
该引脚为高侧驱动器。
无连接
输出误差放大器。一个外部电阻和电容网络通常连接从这个引脚
地面提供环路补偿。
软启动。该引脚提供用户可编程的软启动功能。连接从外部电容器
这个引脚到地来设置输出电压的启动时间。
无连接
10
11
12
13
14
VC
NC
COMP
SS
NC
表2.绝对最大额定值
等级
主电源电压输入
主电源电压输入
200纳秒宽的尖峰, 400千赫
符号
V
CC
V
CC_SPK
V
C
V
C_SPK
V
P / EN
V
FB
等级
热阻,结到环境(注2 )
存储温度范围
结工作温度
ESD耐压(注3 )
人体模型
机器型号
湿度敏感度等级
符号
R
thJA
T
英镑
T
J
V
ESD
2.0
200
MSL
JEDEC 1级@ 260℃
kV
V
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
最大
20
22
20
22
10或V
CC
(注1 )
10或V
CC
(注1 )
价值
90
65
150
0至150
单位
V
V
V
V
V
V
单位
K / W
°C
°C
电源电压为高侧驱动器
电源电压为高压侧驱动器200纳秒宽的尖峰, 400千赫
VP / EN引脚电压
FB引脚电压
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
注:所有电压参考GND引脚,除非另有说明。
1,最大值= 10 V或V
CC
,以较低者为准。
2. JEDEC的High-K模型
3.该设备系列包含ESD保护和超过了以下测试:
人体模型( HBM )
±2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
机器模型( MM )
±200
根据JEDEC标准五: JESD22- A115
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3
NCP1581
表3.推荐工作条件
符号
V
CC
V
C
T
J
德网络nition
电源电压
电源电压
结温
7
转换电压+ 5V, (注4 )
0
最大
20
20
125
单位
V
V
°C
注:所有电压参考GND引脚。
4.依靠高侧MOSFET V
GS
表4.电气规格
除非另有规定ED ,V
CC
= V
C
= 12 V , 0 ℃, <牛逼
J
& LT ; 125°C
参数
电源电流
V
CC
电源电流(静态)
V
CC
电源电流(动态)
V
C
电源电流(静态)
V
C
电源电流(动态)
欠压锁定
V
CC
- 启动门限
V
CC
-stop -门槛
V
CC
-Hysteresis
启用启动门限
启用一站式门槛
启用滞后
FB UVLO
振荡器
频率
斜坡幅度
最小占空比
最大占空比
误差放大器器
FB输入偏置电流
FB输入偏置电流
VP / EN输入偏置电流
输入失调电压
VP / EN共模范围
I
FB1
I
FB2
I
VP / EN
gm
V
OS
V
COMN
I
OTA ( SINK )
I
OTA ( SOURCE )
V
P / EN
= 0.8 V, V
COMP
= 2.0 V
(注5 )
V
SS
= 3 V
V
SS
= 0 V
V
SS
= 3 V
440
6
0.6
0
0.1
64
0.1
0.5
1300
+6
1.5
0.5
mA
mA
mA
mmho
mV
V
f
SW
V
坡道
D
D
最大
(注5 )
V
FB
=1V, V
P / EN
= 0.8 V
f
SW
= 400千赫,V
FB
= 0.6 V, V
P / EN
= 0.8 V
83
85
370
400
1.25
0
95
430
千赫
V
%
%
V
CC
UVLO (R )
V
CC
UVLO ( F)
V
CC
( HYST )
V
P / EN
UVLO (R )
V
P / EN
UVLO ( F)
V
P / EN
( HYST )
V
FB
UVLO
电源电压上升
电源电压下降
供应斜坡向上和向下
电源电压上升
电源电压下降
供应斜坡向上和向下
FB斜坡下降
0.3
6.3
6.0
0.2
0.6
0.56
6.6
6.3
0.3
0.65
0.6
40
0.4
0.5
7.0
6.6
0.4
0.7
0.66
V
V
V
V
V
mV
V
I
CC (静态)
I
CC (动态)
I
C(静态)
I
C(动态)
V
P / EN
= 0 V ,无开关
f
SW
= 400千赫,C
L
= 1.5 nF的
V
P / EN
= 0 V ,无开关
f
SW
= 400千赫,C
L
= 1.5 nF的
1.5
10
0.05
9
3
15
0.1
15
mA
mA
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
误差放大器设计规范
OTA输出电流
OTA输出电流
V
FB
= 1.2 V, V
P / EN
= 1.0 V,
V
COMP
= 2.0 V, (注5 )
V
FB
= 0.8 V, V
P / EN
= 1.0 V,
V
COMP
= 2.0 V, (注5 )
100
100
mA
mA
5.保证所设计的,但在生产中测试。
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4
NCP1581
表5.电气规格
除非另有规定ED ,V
CC
= V
C
= 12 V , 0 ℃, <牛逼
J
& LT ; 125°C
参数
软启动
软启动电流
软启动开启
输出驱动器
LO驱动上升时间
喜驱动器上升时间
LO驱动下降时间
喜驱动器下降时间
死区时间
自适应DBT水平
TR (LO )
TR(喜)
TF (LO )
TF (喜)
t
DEAD
V
ADT
t
R( HI )
9V
高端驱动器
( HDRV )
2V
t
R( LO )
9V
低侧驱动器
( LDRV )
2V
t
F( HI )
C
L
= 1.5 nF的(参见图3)
C
L
= 1.5 nF的(参见图3)
C
L
= 1.5 nF的(参见图3)
C
L
= 1.5 nF的(参见图3)
(参见图3)
35
20
30
20
30
45
2.0
50
60
50
60
90
ns
ns
ns
ns
ns
V
I
SS
SS (上)
V
SS
= 0 V
12
1.8
22
2
32
2.2
mA
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
t
DEAD
t
DEAD
t
F( LO)的
图3.崛起的定义/下降时间和死区时间
典型特征
7.00
6.90
6.80
6.70
V
CC
(V)
6.60
6.50
6.40
6.30
6.20
6.10
6.00
落下
升起
0
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
图4. V
CC
UVLO
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5
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    NCP1581DR2G
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    -
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