NCP1571
低压同步
降压控制器
该NCP1571是一款低电压降压型控制器。它提供了
控制的DC-DC功率溶液产生一个输出电压为
低至0.980 V在很宽的电流范围。该NCP1571为基础的
溶液从12伏电源与一个2-7 V得到的输出
供应量。它包含一个同步降压NFET所需的所有电路
使用V稳压器
2
t
控制的方法来实现尽可能快的
瞬态响应和最佳的整体调节。 NCP1571工作在
固定的内部200 kHz的频率，封装采用SOIC - 8 。
该器件提供了欠压锁定保护，软启动，
电源良好与延迟，以及内置的自适应非重叠。中
欠压锁定，则NCP1571控制器允许电源
电源输出漂移下来，使负载时关断。这
操作区分NCP1571来自其家庭的其他部分。
特点
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记号
图
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
1571
ALYW
无铅包装是否可用
0.980 V
±
1.0 ％的基准电压
V
2
控制拓扑
200 ns的瞬态响应
可编程软启动
电源良好
可编程电源正常延时
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
自适应的FET非重叠时间
固定的200 kHz振荡器频率
欠压锁定举行两个门输出低
开/关控制通过使用COMP引脚的
通过同步MOSFET的过电压保护
同步N沟道降压设计
双电源， 12 V控制， 2-7 V电源
引脚连接
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
1
8
GND
V
FB
门（L）的
门（H）的
订购信息
设备
NCP1571D
NCP1571DR2
NCP1571DR2G
包
SOIC8
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第4版
出版订单号
NCP1571/D
NCP1571
12 V PWRGD V
逻辑
R1
50 k
C4
0.47
mF
R4
10
PWRGD
NCP1571
PGDELAY
COMP
C13
0.1
mF
V
FB
V
CC
GND
100 pF的
C6
NTD4302
Q1
2.7
mH
L1
+
+
+
+
GND
5.0 V
33
mF/8.0
V / 1.6武器
C1
+
+
C2
+
C3
2.5 V / 10 A
门（L）的
门（H）的
NTD4302
Q2
5.1 k
R3
C8
C9
C10
C11
GND
C12
0.01
mF
R5
3.3 k
56
mF/4.0
V / 1.6武器
SP -CAP 40毫瓦
图1.应用电路
最大额定值
等级
工作结温
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
焊接温度焊接：
湿度敏感度等级
封装热阻， SOIC- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
回流焊： （注1 ）
价值
150
-65到150
2.0
230峰
2
48
165
单位
°C
°C
kV
°C
° C / W
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
第二个最大以上183℃一60 。
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
补偿电容
电压反馈输入。
电源良好输出
电源正常延时
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
地
引脚符号
V
CC
COMP
V
FB
PWRGD
PGDELAY
门（H）的
门（L）的
GND
V
最大
15 V
6.0 V
6.0 V
15 V
6.0 V
15 V
15 V
0.5 V
V
民
0.5 V
0.5 V
0.5 V
0.5 V
0.5 V
0.5 V
-2.0 V 50纳秒
0.5 V
-2.0 V 50纳秒
0.5 V
I
来源
不适用
10毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
450毫安DC
I
SINK
1.5 A峰值
450毫安DC
10毫安
1.0毫安
20毫安
10毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
不适用
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2
NCP1571
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
C
PGDELAY
= 0.01
MF，
C
COMP
= 0.1
μF的;
除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
COMP故障放电电流为UVLO
COMP故障放电阈值来
欠压复位
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
门（H）和门（L）的
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
最小脉冲宽度
高电压（ AC）的
1.0V的< GATE （ L）时，门（H）， < V
CC
2.0 V
V
CC
- 2.0V的< GATE （ L）时，门（H）， < 1.0V的
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
GATE （ X） = 4.0 V
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
电阻到GND 。注2
40
40
V
CC
0.5
40
40
60
60
250
V
CC
80
80
100
100
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
FB
= 0 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 0.8 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 1.2 V
COMP = V
FB
T
J
< 25℃
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
COMP = 1.2 V ，V
CC
= 6.9 V
15
15
0.970
0.965
2.4
0.5
0.1
0.2
30
30
0.980
0.980
2.7
0.1
1.7
0.25
98
20
70
32
2.5
2.0
60
60
0.990
0.995
0.2
0.3
mA
mA
mA
V
V
V
V
mA
V
dB
千赫
dB
mmho
MW
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
0
0.5
V
门（H） / （L）的下拉
电源良好
较低的阈值，V
O
升起
20
50
115
kW
T
J
< 25℃
较低的阈值，V
O
落下
T
J
< 25℃
PWRGD低电压
DELAY充电电流
延迟钳位电压
延时充电门限
延时放电电流为UVLO
I
SINK
= 1.0毫安， V
FB
= 0 V
PGDELAY = 2.0 V
斜坡PGDELAY ，监控PWRGD
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 6.9 V
0.852
0.847
0.663
0.658
7.0
3.45
3.1
0.5
0.882
0.882
0.685
0.685
0.15
12
4.0
3.3
2.0
0.912
0.917
0.709
0.714
0.4
18
4.3
3.5
V
V
V
V
V
mA
V
V
mA
2.设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
3
NCP1571
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
C
PGDELAY
= 0.01
MF，
C
COMP
= 0.1
μF的;
除非另有规定）。
特征
电源良好
延迟放电阈值重置UVLO
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 12 V至6.9至12
五，斜坡PGDELAY到0.1 V，监视I
（ PGDELAY ）
随着0.01
μF的。
注3
0.1
0.25
0.3
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
“好”的信号延迟
PWM比较器
PWM比较器的失调
坡道最大占空比
人造斜坡
瞬态响应
V
FB
输入范围
振荡器
开关频率
通用电气规格
V
CC
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
1.0
3.0
5.0
ms
V
FB
= 0 V ，增加COMP直到GATE （H ）
启动开关
占空比= 50 ％
COMP = 1.5 V ，V
FB
20 mV过载。注3
注3
0.475
18
0
0.525
80
25
200
0.575
35
300
1.4
V
%
mV
ns
V
150
200
250
千赫
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP放电
启动 - 停止
8.0
7.0
0.75
10
8.5
7.5
1.0
15
9.0
8.0
1.25
mA
V
V
V
3.通过设计保证。在生产中测试。
封装引脚说明
封装引脚＃
1
2
3
4
引脚符号
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
电源输入。
集电极开路输出变为低电平时， V
FB
超出规定的。用户必须在外部
电流限制到这个引脚，以小于20毫安。
外部电容编程PWRGD低到高的转变延迟。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND
误差放大器补偿和软启动。拉销< 0.475 V锁门输出到
零％的占空比状态。
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.5 A.峰值电流
低边同步FET驱动器引脚。能够提供1.5 A.峰值电流
误差放大器和PWM比较器的输入。
电源的回报。
功能
5
6
7
8
门（H）的
门（L）的
V
FB
GND
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
