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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第205页 > NCP1570DR2
NCP1570
低压同步
降压控制器
该NCP1570是一款低电压降压型控制器。它提供了
控制的DC-DC功率溶液产生一个输出电压为
低至0.985 V在很宽的电流范围。该NCP1570为基础的
解决方案是从12 V电源从5 V派生的输出
供应量。它包含一个同步降压NFET所需的所有电路
使用V稳压器
2
控制的方法来实现尽可能快的
瞬态响应和最佳的整体调节。该NCP1570工作
在固定的内部200 kHz的频率和被打包在一个SO-8 。
该NCP1570提供欠压锁定保护，软启动，
电源良好与延迟，以及内置的自适应非重叠。
特点
0.985 V
±
1.0 ％参考
V
2
控制拓扑
200 ns的瞬态响应
可编程软启动
电源良好
可编程电源正常延时
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
50毫微秒的自适应场效应非重叠时间
固定的200 kHz振荡器频率
欠压锁定
开/关控制通过使用COMP引脚的
通过同步MOSFET的过电压保护
同步N沟道降压设计
双电源， 12 V控制， 5 V电源
http://onsemi.com
8
1
SO8
后缀
CASE 751
引脚连接和
标记图
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
1
1570
ALYW
8
GND
V
FB
门（L）的
门（H）的
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NCP1570D
NCP1570DR2
包
SO8
SO8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
启5
1
出版订单号
NCP1570/D
NCP1570
12 V PWRGD V
逻辑
R1
50 k
C4
0.1
μF
V
CC
PWRGD
NCP1570
PGDELAY
COMP
C13
0.1
μF
GND
V
FB
100 pF的
C6
NTD4302
Q2
R5
10 k
NTD4302
Q1
1.2
μH
L1
+
GND
5.0 V
33
μF/8.0
V / 1.6武器
×
4
C1
+
+
C2
+
C3
1.2 V / 10 A
+
+
+
1.2 V
门（L）的
门（H）的
2.0 k
R3
C8
C9
C10
C11
GND
C12
0.01
μF
56
μF/4.0
V / 1.6武器
SP -CAP 40毫欧
图1.应用电路
最大额定值*
等级
工作结温
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
ESD敏感度（机器型号）
焊接温度焊接：
湿度敏感度等级
封装热阻， SO- 8
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （注1 ）
价值
150
65
150
2.0
200
230峰
2
48
165
单位
°C
°C
kV
V
°C
° C / W
° C / W
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
补偿电容
电压反馈输入。
电源良好输出
电源正常延时
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
地
引脚符号
V
CC
COMP
V
FB
PWRGD
PGDELAY
门（H）的
门（L）的
GND
V
最大
15 V
6.0 V
6.0 V
15 V
6.0 V
15 V
15 V
0.5 V
V
民
0.5
V
0.5
V
0.5
V
0.5
V
0.5
V
0.5
V
2.0
V为50纳秒
0.5
V
2.0
V为50纳秒
0.5
V
I
来源
不适用
10毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
450毫安DC
I
SINK
1.5 A峰值
450毫安DC
10毫安
1.0毫安
20毫安
10毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
不适用
http://onsemi.com
2
NCP1570
C
PGDELAY
= 0.01
μF,
C
COMP
= 0.1
μF;
除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
COMP故障放电电流为
UVLO
COMP故障放电阈值来
欠压复位
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
门（H）和门（L）的
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
最小脉冲宽度
高电压（ AC）的
1.0 V < GATE （ L） & GATE （H ） < V
CC
2.0 V
V
CC
2.0 V < GATE （ L） & GATE （H ） < 1.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
GATE （ X） = 4.0 V
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
电阻到GND 。注2
25
25
V
CC
0.5
40
40
50
50
250
V
CC
80
80
75
75
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
FB
= 0 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 0.8 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 1.2 V
COMP = V
FB
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
COMP = 1.2 V ，V
CC
= 6.9 V
COMP = 0.5 V ，V
CC
= 12 V
6.9 V
12 V.
斜坡COMP至0.1 V.监视I （ COMP ）
15
15
0.975
2.4
0.5
0.1
0.2
30
30
0.985
2.7
0.1
1.7
0.25
98
20
70
32
2.5
2.0
60
60
0.995
0.2
0.3
μA
μA
μA
V
V
V
mA
V
dB
千赫
dB
mmho
MΩ
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
0
0.5
V
GATE （H ） / （L ）的下拉
电源良好
较低的阈值，V
O
升起
较低的阈值，V
O
落下
PWRGD低电压
DELAY充电电流
延迟钳位电压
延时充电门限
延时放电电流为UVLO
延迟放电阈值重置
UVLO
“好”的信号延迟
20
50
115
kΩ
I
SINK
= 1.0毫安， V
FB
= 0 V
PGDELAY = 2.0 V
斜坡PGDELAY ，监控PWRGD
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 6.9 V
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 12 V至6.9 V至
12 V ，斜坡PGDELAY至0.1 V，监视我
（ PGDELAY ）
随着0.01
μF.
注2
0.856
0.666
7.0
3.45
3.1
0.5
0.1
0.887
0.690
0.15
12
4.0
3.3
2.0
0.25
0.917
0.713
0.4
18
4.3
3.5
0.3
V
V
V
μA
V
V
mA
V
1.0
3.0
5.0
ms
2.设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
3
NCP1570
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
C
PGDELAY
= 0.01
μF,
C
COMP
= 0.1
μF;
除非另有规定）。
特征
PWM比较器
PWM比较器的失调
坡道最大占空比
人造斜坡
瞬态响应
V
FB
输入范围
振荡器
开关频率
通用电气规格
V
CC
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP放电
开始
停止
8.0
7.0
0.75
10
8.5
7.5
1.0
15
9.0
8.0
1.25
mA
V
V
V
150
200
250
千赫
占空比= 50 ％
COMP = 1.5 V ，V
FB
20 mV过载。
注3
注3
V
FB
= 0 V ，增加COMP直到GATE （H ）
启动开关
0.475
18
0
0.525
80
25
200
0.575
35
300
1.4
V
%
mV
ns
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.通过设计保证。在生产中测试。
封装引脚说明
封装引脚＃
SO8
1
2
3
4
引脚符号
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
电源输入。
集电极开路输出变为低电平时， V
FB
超出规定的。用户
必须从外部电流限制到这个引脚，以小于20毫安。
外部电容编程PWRGD低到高的转变延迟。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器来
LGND提供误差放大器补偿和软启动。拉销
< 0.45锁门输出为零％的占空比状态。
高边开关FET驱动器引脚。能够提供的峰值电流
1.5 A.
低边同步FET驱动器引脚。能够提供峰值
1.5 A.电流
误差放大器和PWM比较器的输入。
电源的回报。
功能
5
6
7
8
门（H）的
门（L）的
V
FB
GND
http://onsemi.com
4
NCP1570
UVLO COMP
故障锁存器
S
8.5 V/7.5 V
+
+
0.25 V
R
设置主导
Q
V
CC
+
+
GND
V
CC
V
FB
+
+
0.985 V
S
复位优先
COMP
0.525 V
+
Σ
艺术斜坡
80 ％，200千赫
0.25 V
+
OSC
门（L）的
误差放大器
+
PWM COMP
PWM锁存器
R
Q
不
交叠
门（H）的
+
12
μA
PGDELAY
+
+
0.89 V/0.69 V
PGDELAY锁存
S
Q
+
+
3.3 V
PWRGD
R
设置主导
图2.框图
http://onsemi.com
5
NCP1570
低压同步
降压控制器
该NCP1570是一款低电压降压型控制器。它提供了
控制的DC-DC功率溶液产生一个输出电压为
低至0.985 V在很宽的电流范围。该NCP1570为基础的
解决方案是从12 V电源从5 V派生的输出
供应量。它包含一个同步降压NFET所需的所有电路
使用V稳压器
2
控制的方法来实现尽可能快的
瞬态响应和最佳的整体调节。该NCP1570工作
在固定的内部200 kHz的频率和被打包在一个SO-8 。
该NCP1570提供欠压锁定保护，软启动，
电源良好与延迟，以及内置的自适应非重叠。
特点
0.985 V
±
1.0 ％参考
V
2
控制拓扑
200 ns的瞬态响应
可编程软启动
电源良好
可编程电源正常延时
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
50毫微秒的自适应场效应非重叠时间
固定的200 kHz振荡器频率
欠压锁定
开/关控制通过使用COMP引脚的
通过同步MOSFET的过电压保护
同步N沟道降压设计
双电源， 12 V控制， 5 V电源
http://onsemi.com
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
引脚连接和
标记图
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
1
1570
ALYW
8
GND
V
FB
门（L）的
门（H）的
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NCP1570D
NCP1570DR2
包
SO–8
SO–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年2月 - 第4版
出版订单号
NCP1570/D
NCP1570
12 V PWRGD V
逻辑
R1
50 k
C4
0.1
F
V
CC
PWRGD
NCP1570
PGDELAY
COMP
C13
0.1
F
GND
V
FB
100 pF的
C6
NTD4302
Q2
NTD4302
Q1
1.2
H
L1
+
+
+
+
GND
5.0 V
33
F/8.0
V / 1.6武器
×
4
C1
+
+
C2
+
C3
1.2 V / 10 A
1.2 V
门（L）的
门（H）的
2.0 k
R3
C8
C9
C10
C11
GND
C12
0.01
F
R5
10 k
56
F/4.0
V / 1.6武器
SP -CAP 40毫欧
图1.应用电路
最大额定值*
等级
工作结温
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
ESD敏感度（机器型号）
焊接温度焊接：
湿度敏感度等级
封装热阻， SO- 8
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （注1 ）
价值
150
-65到150
2.0
200
230峰
2
48
165
单位
°C
°C
kV
V
°C
–
° C / W
° C / W
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
补偿电容
电压反馈输入。
电源良好输出
电源正常延时
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
地
引脚符号
V
CC
COMP
V
FB
PWRGD
PGDELAY
门（H）的
门（L）的
GND
V
最大
15 V
6.0 V
6.0 V
15 V
6.0 V
15 V
15 V
0.5 V
V
民
–0.5 V
–0.5 V
–0.5 V
–0.5 V
–0.5 V
–0.5 V
-2.0 V 50纳秒
–0.5 V
-2.0 V 50纳秒
–0.5 V
I
来源
不适用
10毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
450毫安DC
I
SINK
1.5 A峰值
450毫安DC
10毫安
1.0毫安
20毫安
10毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
不适用
http://onsemi.com
2
NCP1570
C
PGDELAY
= 0.01
F,
C
COMP
= 0.1
F;
除非另有规定）。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
COMP故障放电电流为
UVLO
COMP故障放电阈值来
欠压复位
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
门（H）和门（L）的
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
最小脉冲宽度
高电压（ AC）的
1.0 V < GATE （ L） & GATE （H ） < V
CC
– 2.0 V
V
CC
- 2.0 V < GATE （ L） & GATE （H ） < 1.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
GATE （ X） = 4.0 V
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
测量门（ L）或门（H ）
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
注2
电阻到GND 。注2
–
–
25
25
–
V
CC
– 0.5
40
40
50
50
250
V
CC
80
80
75
75
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
FB
= 0 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 0.8 V
COMP = 1.5 V ，V
FB
= 1.2 V
COMP = V
FB
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
COMP = 1.2 V ，V
CC
= 6.9 V
COMP = 0.5 V ，V
CC
= 12 V – 6.9 V – 12 V.
斜坡COMP至0.1 V.监视I （ COMP ）
–
–
–
–
–
–
15
15
0.975
2.4
–
0.5
0.1
–
–
–
–
–
0.2
30
30
0.985
2.7
0.1
1.7
0.25
98
20
70
32
2.5
2.0
60
60
0.995
–
0.2
–
0.3
–
–
–
–
–
A
A
A
V
V
V
mA
V
dB
千赫
dB
mmho
M
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
–
0
0.5
V
GATE （H ） / （L ）的下拉
电源良好
较低的阈值，V
O
升起
较低的阈值，V
O
落下
PWRGD低电压
DELAY充电电流
延迟钳位电压
延时充电门限
延时放电电流为UVLO
延迟放电阈值重置
UVLO
“好”的信号延迟
20
50
115
k
–
–
I
SINK
= 1.0毫安， V
FB
= 0 V
PGDELAY = 2.0 V
–
斜坡PGDELAY ，监控PWRGD
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 6.9 V
PGDELAY = 0.5 V ，V
CC
= 12 V至6.9 V至
12 V ，斜坡PGDELAY至0.1 V，监视我
（ PGDELAY ）
随着0.01
F.
注2
0.856
0.666
–
7.0
3.45
3.1
0.5
0.1
0.887
0.690
0.15
12
4.0
3.3
2.0
0.25
0.917
0.713
0.4
18
4.3
3.5
–
0.3
V
V
V
A
V
V
mA
V
1.0
3.0
5.0
ms
2.设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
3
NCP1570
C
PGDELAY
= 0.01
F,
C
COMP
= 0.1
F;
除非另有规定）。
特征
PWM比较器
PWM比较器的失调
坡道最大占空比
人造斜坡
瞬态响应
V
FB
输入范围
振荡器
开关频率
通用电气规格
V
CC
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP放电
启动 - 停止
–
8.0
7.0
0.75
10
8.5
7.5
1.0
15
9.0
8.0
1.25
mA
V
V
V
–
150
200
250
千赫
占空比= 50 ％
COMP = 1.5 V ，V
FB
20 mV过载。
注3
注3
V
FB
= 0 V ，增加COMP直到GATE （H ）
启动开关
–
0.475
–
18
–
0
0.525
80
25
200
–
0.575
–
35
300
1.4
V
%
mV
ns
V
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
J
< 125°C ， 11.4 V < V
CC
< 12.6 V ，C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.通过设计保证。在生产中测试。
封装引脚说明
封装引脚＃
SO–8
1
2
3
4
引脚符号
V
CC
PWRGD
PGDELAY
COMP
电源输入。
集电极开路输出变为低电平时， V
FB
超出规定的。用户
必须从外部电流限制到这个引脚，以小于20毫安。
外部电容编程PWRGD低到高的转变延迟。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器来
LGND提供误差放大器补偿和软启动。拉销
< 0.45锁门输出为零％的占空比状态。
高边开关FET驱动器引脚。能够提供的峰值电流
1.5 A.
低边同步FET驱动器引脚。能够提供峰值
1.5 A.电流
误差放大器和PWM比较器的输入。
电源的回报。
功能
5
6
7
8
门（H）的
门（L）的
V
FB
GND
http://onsemi.com
4
NCP1570
故障锁存器
S
+
+
–
–
8.5 V/7.5 V
+
+
–
0.25 V
R
设置主导
Q
V
CC
–
UVLO COMP
GND
V
CC
误差放大器
+
+
–
+
–
0.985 V
S
复位优先
COMP
0.525 V
– +
Σ
OSC
门（L）的
V
FB
–
PWM COMP
PWM锁存器
R
Q
不
交叠
门（H）的
艺术斜坡
80 ％，200千赫
+
–
+
–
12
A
PGDELAY
0.25 V
–
+
+
–
0.89 V/0.69 V
PGDELAY锁存
S
Q
+
–
–
+
PWRGD
3.3 V
R
设置主导
图2.框图
http://onsemi.com
5
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